一种吸料装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种吸料装置，涉及单晶硅棒生产领域。该吸料装置能够用于吸取不同单晶炉内的溶液，具有适应性强，操作简便的有益效果。吸料装置应用于单晶炉，单晶炉内放置有第一盛料组件，吸料装置用于吸取第一盛料组件中的熔液；吸料装置包括吸管、第二盛料组件、升降组件和气压调节组件；第二盛料组件位于单晶炉外，吸管连接于单晶炉和第二盛料组件之间；吸管具有相对的吸取端和排出端，吸取端伸入第一盛料组件中，排出端与第二盛料组件相对；升降组件与吸管连接，升降组件带动吸管下降或上升，吸取端浸入熔液，或远离第一盛料组件；气压调节组件与单晶炉和/或第二盛料组件连通。调节组件与单晶炉和/或第二盛料组件连通。调节组件与单晶炉和/或第二盛料组件连通。

【技术实现步骤摘要】
一种吸料装置


[0001]本技术涉及单晶硅棒生产领域，尤其涉及一种吸料装置。

技术介绍

[0002]对单晶硅棒切片加工后可以得到单晶硅片。现有技术中，通常采用丘克拉斯基提拉法生产单晶硅棒，该方法包括：在坩埚中熔化多晶硅颗粒并将单晶硅籽晶浸入熔融硅(或称为熔液)中；当籽晶开始熔化时，以预定的速率从熔融硅中缓慢提取籽晶，使籽晶生长成单晶硅棒；一旦硅棒达到所需尺寸，就移除硅棒。
[0003]现有技术中，为了节省成本，提高生产速率，单晶硅的生长可以根据多次提拉法(RCz)和连续提拉法(CCz)。在多次提拉法中，移除一个新的晶锭后，会重新向炉内加入原料，熔化，并进行晶棒的生长。
[0004]但是，由于持续加料，单晶炉的排气系统可能因为挥发物堵塞而排气不畅，造成炉内碳等杂质的含量持续升高，进而溶于熔融硅中。由于杂质的分凝效应，熔融硅中杂质的分凝系数大多数小于1，使得杂质在提取籽晶时趋向于留在炉内。这就导致炉内熔融硅的底部因分凝效应而持续富集杂质，熔融硅品质下降，拉取出的单晶硅棒少子寿命降低，当生产的单晶硅棒品质小于规格线时，无法继续进行加料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种吸料装置，其特征在于，所述吸料装置应用于单晶炉，所述单晶炉内放置有第一盛料组件，所述吸料装置用于吸取所述第一盛料组件中的熔液；所述吸料装置包括吸管、第二盛料组件、升降组件和气压调节组件；所述第二盛料组件位于所述单晶炉外，所述吸管连接于所述单晶炉与所述第二盛料组件之间；所述吸管具有相对的吸取端和排出端，所述吸取端伸入所述第一盛料组件中，所述排出端与所述第二盛料组件相对；所述升降组件与所述吸管连接，所述升降组件带动所述吸管下降或上升，所述吸取端浸入所述熔液，或远离所述第一盛料组件；所述气压调节组件与所述单晶炉和/或所述第二盛料组件连通。2.根据权利要求1所述的吸料装置，其特征在于，所述气压调节组件包括第一气压调节件和第二气压调节件，所述第一气压调节件与所述单晶炉连通，所述第二气压调节件与所述第二盛料组件连通。3.根据权利要求1所述的吸料装置，其特征在于，所述吸料装置还包括第一密封件和第二密封件，其中，所述第一密封件为可伸缩式第一密封件，所述可伸缩式第一密封件的一端与所述吸管密封连接，另一端与所述单晶炉密封连接；和/或，所述第二密封件为可伸缩式第二密封件，所述可伸缩式第二密封件的一端与所述吸管密封连接，另一端与所述第二盛料组件密封连接。4.根据权利要求1所述的吸料装置，其特征在于，所述吸管包括依次连接的首段、中段和末段，所述吸取端位于所述首段远离所述中段处，所述排出端位于所述末段远离所述中段处。5.根据权利要求1所述的吸料装置，其特征在于，所述升降组件包括与所述吸管连接的连接件，所述连接件具有可打开的且允许所述吸管穿过的容纳孔所述吸料装置还包括用于加热所述吸管的第一加热件，所述第一加热件位于所述容纳孔中，并包围所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜超，邓浩，韩伟，李侨，董升，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：