一种加热与振动协同化学机械抛光CaF2晶片的装置及方法制造方法及图纸

技术编号:33745279 阅读:97 留言:0更新日期:2022-06-08 21:44
一种加热与振动协同化学机械抛光CaF2晶片的装置及方法,本发明专利技术涉及晶片抛光的装置及方法。它是要解决现有的CaF2晶体元件抛光方法的作业时间长、表面质量差的技术问题。本装置包括第一电机、抛盘、加热垫、抛光垫、支撑架、第二电机、工件盘、振动装置、配重块、气动夹持装置;第一电机带动抛盘逆时针转动;加热垫和抛光垫置于抛盘表面,第二电机带动工件盘顺时针转动;在工件盘上方设置振动装置和配重块,气动夹持装置用于调整配重块对工件盘的压力。方法:一、粗磨;二、沥青盘抛光;三、精抛;四、精整;抛光后的CaF2晶片表面的粗糙度Ra达到0.07~0.08nm,可用作透镜、棱镜和红外成像设备的窗口等光学领域。口等光学领域。口等光学领域。

【技术实现步骤摘要】
一种加热与振动协同化学机械抛光CaF2晶片的装置及方法


[0001]本专利技术涉及晶片抛光的装置及方法。

技术介绍

[0002]氟化钙(CaF2)晶体因为具有透射范围宽(125nm~10μm)、热光补充性好、优异的消色差和复消色差能力及折射率恒定等特性,已被广泛应用于制造透镜、棱镜、和红外成像设备的窗口等光学元件。尤其是在紫外光学系统中,氟化钙晶体元件以高透射率、高激光损伤阈值及低双折射率,已经被确认为光刻系统和高能量激光系统的最佳透镜材料。高能量激光系统要求光学元件具有高的激光损伤阈值和透射性能,因此对CaF2晶体元件的表面光滑度提出了更高的要求。如在193nm光刻系统中要求其表面粗糙度要小于0.5nm。但CaF2晶体具有硬度低、脆性大、各向异性等材料特性,使得CaF2晶体加工中易出现表面的划痕、微裂纹、麻坑、表面破损等缺陷,严重限制着CaF2晶体的超精密加工获取超光滑表面。
[0003]常规的CaF2晶体元件抛光技术是采用化学机械抛光法,是利用抛光液与工件表面的化学反应生成变质层,利用磨粒的机械作用去除变质层。但由于这种抛光加工技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种加热与振动协同化学机械抛光CaF2晶片的装置,其特征在于该装置包括第一电机(1)、抛盘(2)、加热垫(3)、抛光垫(4)、支撑架(5)、第二电机(6)、工件盘(7)、振动装置(8)、配重块(9)、气动夹持装置(10);其中第一电机(1)与抛盘(2)连接,第一电机(1)带动抛盘(2)逆时针转动;加热垫(3)置于抛盘(2)表面,抛光垫(4)置于加热垫(3)之上;加热垫(3)由温度控制器(3

1)控制;其中抛光垫(4)有三种,分别是羊毛毡抛光垫、盘面呈网格状的沥青抛光盘和陶氏IC

1000抛光垫;支撑架(5)用来支撑第二电机(6),第二电机(6)与工件盘(7)连接,第二电机(6)带动工件盘(7)顺时针转动;在工件盘(7)上方设置振动装置(8),振动装置(8)之上设置配重块(9),在配重块(9)上方设置气动夹持装置(10),用于调整配重块(9)对工件盘(7)的压力;振动装置(8)由振动控制器(8

1)控制;工件盘(7)的轴线与抛盘(2)的轴线平行且距离d满足2r≤d≤R

r,其中r为工件盘(7)的半径,R为抛盘(2)的半径。2.利用权利要求1所述的一种加热与振动协同化学机械抛光CaF2晶片的装置对CaF2晶片抛光的方法,其特征在于该方法按以下步骤进行:一、粗磨:将羊毛毡抛光垫固定抛盘(2)上,将CaF2晶体固定于工件盘(7)下侧,通过调节气动夹持装置(10)将配重压力控制在50~100g/cm2,控制抛盘3转速为60~100rpm rpm、工件盘(7)转速为50~80rpm进行粗磨,粗磨过程中向旋转的晶体滴加金刚砂悬浮液,粗磨时间为45~60min;粗磨结束后用超纯水冲洗CaF2晶片2~5次;二、沥青盘抛光:将盘面呈网格状的沥青抛光盘固定在抛盘(2)...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨春晖郝树伟曾俊雷作涛朱崇强
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学
类型:发明
国别省市:

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