一种红光VCSEL芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种红光VCSEL芯片，涉及激光芯片技术领域。本实用新型专利技术的一种红光VCSEL芯片，包括包括衬底，缓冲层、底部反射层、有源层、氧化限制层、顶部反射层和钝化层；所述底部反射层包括第一BOTTOM DBR层和第二BOTTOM DBR层，所述第一BOTTOM DBR层包括重叠生长的多对第一复合层，第二BOTTOM DBR层包括重叠生长的多对第二复合层，所述顶部反射层包括第一TOP DBR层和第二TOP DBR层，所述第一TOP DBR层包括重叠生长的多对第三复合层，第二TOP DBR层包括重叠生长的多对第四复合层。本实用新型专利技术公开了一种红光VCSEL芯片，利用复合DBR层，仅使用较少DBR的周期数就可获得高的反射率，从而降低因DBR材料晶格不匹配形成的应力和禁带差异引起的电阻，进而提升红光VCSEL的光电转换效率。VCSEL的光电转换效率。VCSEL的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种红光VCSEL芯片


[0001]本技术涉及激光芯片
，尤其涉及一种红光VCSEL芯片。

技术介绍

[0002]垂直腔面发射激光器(VCSEL)在新的光电子领域中起着越来越重要的作用。与传统的边发射激光器不同，VCSEL是光从垂直于半导体衬底表面方向出射的一种新型半导体激光器，具有单纵模、发散角小、圆形对称光斑、耦合效率高、阈值低、调制速率高、体积小、可二维集成、可在片测试、价格便宜等很多优点。
[0003]垂直腔面发射激光器的核心是谐振腔，激光在腔体内产生，通过受激辐射实现光的放大，该腔体由一对反射镜(即顶部反射层和底部反射层)隔开，提供光反馈，这是产生激光的先决条件。VCSEL中的谐振腔只有几微米厚，腔长极短，比传统的EEL的谐振腔厚度薄数百倍，如此短的腔体使得VCSEL能够快速地开启和关闭，但缺点是需要高反射率的反射层才能产生激光。
[0004]目前红光VCSEL大多数都是使用MOCVD设备在GaAs衬底上交替生长AlGaAs 层和AlAs层，得到反射层DBR，但是AlGaAs与AlAs的折射率差较小，这就要求DB本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种红光VCSEL芯片，其特征在于，包括衬底，缓冲层、底部反射层、有源层、氧化限制层、顶部反射层和钝化层；所述底部反射层包括第一BOTTOM DBR层和第二BOTTOM DBR层，所述第一BOTTOM DBR层包括重叠生长的多对第一复合层，所述第一复合层包括Al
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Ga
(1
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x)
As层和Al2O3层，第二BOTTOM DBR层包括重叠生长的多对第二复合层，所述第二复合层包括Al
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Ga
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x)
As层和Al
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Ga
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y)
As层，所述顶部反射层包括第一TOP DBR层和第二TOP DBR层，所述第一TOP DBR层包括重叠生长的多对第三复合层，所述第三复合层包括Al
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Ga
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As层和Al
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Ga
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y)
As层，第二TOP DBR层包括重叠生长的多对第四复合层，所述第四复合层包括Al2O3层和Al
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Ga
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As层。2.根据权利要求1所述的一种红光VCSEL芯片，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：张新勇，刘浩飞，苑汇帛，杨绍林，郑鑫，张彬，宋世金，
申请(专利权)人：威科赛乐微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：