一种VCSEL激光器结构制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体技术领域，公开了一种VCSEL激光器结构，包括依次连接的蓝宝石层、N

【技术实现步骤摘要】
一种VCSEL激光器结构


[0001]本技术涉及半导体
，尤其涉及一种VCSEL激光器结构。

技术介绍

[0002]VCSEL是指从垂直于衬底面射出激光的一种新型结构的半导体激光器，以砷化镓半导体材料为基础研制。VCSEL从诞生起就作为新一代光存储和光通信应用的核心器件，应用在光并行处理、光识别、光互联系统、光存储等领域。随着工艺、材料技术改进，VCSEL器件在功耗、制造成本、集成、散热等领域的优势开始显现，逐渐应用于工业加热、环境监测、医疗设备等商业级应用以及3D感知等消费级应用。未来，随着智能化信息世界的不断发展，VCSEL将广泛应用在消费电子3D成像、物联网、数据中心/云计算、自动驾驶等领域。其中，VCSEL在消费电子领域发挥越来越重要的作用，VCSEL可用来进行智能手机人脸识别、无人机避障、VR/AR、扫地机器人、家用摄像头等。
[0003]目前市面上的VCSEL激光器的结构如说明书附图2所示，从下至上一般包括N
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contact金属层、衬底、N
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DNR层、有源区、氧化层、P
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种VCSEL激光器结构，其特征在于：包括依次连接的蓝宝石层、N
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contact金属层、N
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DNR层、有源区、氧化层、P
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DBR层和P
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contact金属层；所述N
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contact金属层从蓝宝石层至N
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DNR层依次为Al金属层、Cu金属层、Au金属层、Pt金属层、Ti金属层、Ge金属层和Pd金属层。2.根据权利要求1所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭鹏，姚林松，陈丽祥，
申请(专利权)人：威科赛乐微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：