掩模版及显示装置的制备方法制造方法及图纸

本公开实施例提供一种掩模版及显示装置的制备方法，其中，该掩模版设置有具有一定图形的多个开口，每个图形的各内转角处分别设置有朝向图形的中心延伸的凸部。采用本公开实施例的技术方案可以提高柔性OLED器件的水氧阻隔性能。隔性能。隔性能。

【技术实现步骤摘要】
掩模版及显示装置的制备方法


[0001]本公开涉及显示
，尤其涉及一种掩模版及显示装置的制备方法。

技术介绍

[0002]柔性OLED(Organic Electroluminescence Display，有机发光半导体)显示器因具有可弯折、可弯曲及边框窄等优点，受到广泛关注。柔性OLED显示器通常利用薄膜封装(Thin Film Encapsulation，简称TFE)方法进行封装。然而，受掩模版的制作精度及对准精度的限制及阴影效应的影响，掩模版上每个图形的内转角边缘与柔性基底上围堰(Dam)的内转角边缘之间的距离更容易小于图形的内直边边缘与柔性基底上的围堰的内直边边缘之间的距离。在采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，简称CVD)工艺形成封装层时，会造成封装层上转角区域亲液性强的部分外移，从而墨水在封装层的转角区域的流动速度大于其在封装层的直边边缘的流动速度，导致墨水易于沿封装层的转角区域溢出围堰，降低了柔性OLED显示器的水氧阻隔性能。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提供一种掩模版及显示装置的制备方法，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。
[0004]作为本公开实施例的一个方面，本公开实施例提供一种掩模版，掩模版设置有具有一定图形的多个开口，每个图形的各内转角处分别设置至少一个朝向图形的中心延伸的凸部。
[0005]在一种实施方式中，凸部在与掩模版平行的平面上的投影为轴对称图形。
[0006]在一种实施方式中，凸部在与掩模版平行的平面上的投影为等腰三角形、矩形、等腰梯形、菱形和椭圆形中的一种或多种。
[0007]在一种实施方式中，凸部的宽度范围为50μm
‑
300μm。
[0008]在一种实施方式中，内转角为圆角，凸部为多个，多个凸部沿圆角的周向间隔设置。
[0009]在一种实施方式中，图形在与掩模版平行的平面上的正投影为矩形、正方形、平行四边形、五边形、六边形和椭圆形中的一种。
[0010]作为本公开实施例的一个方面，本公开实施例提供一种显示装置的制备方法，包括采用上述任一种实施方式的掩模版形成封装层。
[0011]在一种实施方式中，采用掩模版形成封装层包括：
[0012]将掩模版设置在基底设有多个第一围堰的一侧；多个第一围堰与所掩模版中的多个开口一一对应，开口对应的图形在基底上的正投影覆盖第一围堰在基底上的正投影；凸部在基底上的正投影与第一围堰在基底上的正投影交叠；
[0013]在基底具有第一围堰的一侧依次形成第一封装层、有机层和第二封装层；其中，第一封装层和第二封装层在基底上的正投影均覆盖第一围堰在基底上的正投影，第一围堰包
围的区域在基底上的正投影覆盖有机层在基底上的正投影。
[0014]在一种实施方式中，基底设有第一围堰的一侧还设有多个第二围堰，多个第二围堰与多个第一围堰一一对应，第二围堰在基底上的正投影位于对应的第一围堰在基底上的正投影的内侧。
[0015]采用本公开实施例的掩模版形成第一封装层，可使形成的第一封装层中位于凸部下方的转角区域的膜质与第一封装层的直边边缘的膜质接近，确保第一封装层中转角区域的亲液性与其直边边缘的亲液性接近或一致，从而使得墨水在第一封装层中转角区域及直边边缘的流动速度接近或相同，避免因墨水在第一封装层的转角区域的流动速度较快而发生溢流，以使墨水形成的有机层可被第一封装层和第二封装层完全包裹，有利于提高柔性OLED显示器的水氧阻隔性，可避免OLED显示器被水氧腐蚀而产生不良。
[0016]上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本公开进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。
附图说明
[0017]在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本公开公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本公开范围的限制。
[0018]图1A示出相关技术中掩模版与基底之间的位置示意图。
[0019]图1B示出相关技术中掩模版的结构示意图。
[0020]图2A示出采用图1B所示的掩模版形成TFE封装结构的俯视示意图。
[0021]图2B示出图2A中掩模版上图形的内转角边缘与基底上围堰的转角边缘之间的位置示意图。
[0022]图3示出根据本公开实施例的掩模版的结构示意图。
[0023]图4A示出采用图3所示的掩模版形成TFE封装结构的俯视示意图。
[0024]图4B示出图4A中掩模版上图形的内转角边缘与TFE封装结构之间的位置示意图。
[0025]图4C示出图4A中掩模版上图形的内直边边缘与TFE封装结构之间的位置示意图。
[0026]图5A至图5C示出根据本公开实施例的凸部的其中三种示意图。
[0027]图6A至图6C示出根据本公开实施例的凸部的另外三种示意图。
具体实施方式
[0028]在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
[0029]如图1A和图1B所示，由于掩模版110与基底120之间存在间隙，在采用化学气相沉积工艺在基底120上形成封装层130的过程中，工艺气体A会在掩模版110上图形111的边缘产生扰动，使得封装层130形成亲液性具有差异的第一部分131和第二部分132，其中第一部分131为封装层130的周缘部分，第二部分132为封装层130上第一部分131包围的部分，第一部分131的亲液性比第二部分132的亲液性更差。
[0030]如图2A和图2B所示，在相关技术中，受掩模版110的制作精度和对准精度的限制，掩模版110上每个图形111的各内转角边缘111A与基底120的围堰210上对应的内转角边缘210A之间的距离更容易小于掩模版110上每个图形111的内直边边缘111B与围堰210上对应的内直边边缘210B之间的距离。在利用掩模版110形成第一封装层130A时，容易造成第一封装层130A上转角边缘与围堰210上对应的内转角边缘210A之间的距离小于第一封装层130A上直边边缘与围堰210上对应的内直边边缘210B之间的距离，从而导致第一封装层130A上转角区域亲液性强的部分外移。继而，在向第一封装层130A上喷印墨水时，墨水在第一封装层130A上转角区域的流动速度比其在第一封装层130A的直边边缘的流动速度更快，墨水易于沿第一封装层130A上转角区域溢出围堰210，使得墨水所形成的有机层140无法被第一封装层130A和第二封装层130B完全包裹，导致水汽和氧气沿围堰210的外侧指向内侧的方向浸入有机层140，降低了水氧阻隔性能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩模版，其特征在于，所述掩模版设置有具有一定图形的多个开口，每个所述图形的各内转角处分别设置至少一个朝向所述图形的中心延伸的凸部。2.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述凸部在与所述掩模版平行的平面上的投影为轴对称图形。3.根据权利要求2所述的掩模版，其特征在于，所述凸部在与所述掩模版平行的平面上的投影为等腰三角形、矩形、等腰梯形、菱形和椭圆形中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述凸部的宽度范围为50μm
‑
300μm。5.根据权利要求4所述的掩模版，其特征在于，所述凸部的长度范围为0.5mm
‑
2mm。6.根据权利要求1至5中任一项所述的掩模版，其特征在于，所述内转角为圆角，所述凸部为多个，多个所述凸部沿所述圆角的周向间隔设置。7.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述图形在与所述掩模版平行的平面上的正投影为矩形、正方形、平行四边形、五边形、六边形和椭圆形中的一种。...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡明，蒋志亮，王格，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：