光电子装置及其制造方法制造方法及图纸

一种光电子装置(100)。所述装置(100)包括：绝缘体上硅SOI晶片(120)，所述SOI晶片包括空腔(126)和输入波导(116)，所述输入波导(116)光学地耦合到所述空腔(126)中；以及镜(110)，所述镜位于所述空腔(126)内并且接合(128)到所述空腔的底床，所述镜(110)包括反射器(114)，所述反射器被配置成反射从所述SOI晶片(120)中的所述输入波导(116)接收到的光(124)。(124)。(124)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电子装置及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种光电子装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]在光电子装置领域中，优选地制备可紧凑地集成到消费型电子器件中的装置。然而，典型的光电子装置在装置的横向边缘处发射光并且这不利于紧凑集成。
[0003]则需要开发通过装置的上表面或下表面发射光同时还提供保护以不受环境影响并且可低成本地制造并具有低光学损耗的装置。

技术实现思路

[0004]因此，在第一方面中，本专利技术的实施方案提供一种光电子装置，所述光电子装置包括：绝缘体上硅SOI晶片，所述SOI晶片包括空腔和输入波导，所述输入波导光学地耦合到所述空腔中；以及镜，所述镜位于所述空腔内并且接合到所述空腔的底床，所述镜包括反射器，所述反射器被配置成反射从所述SOI晶片中的所述输入波导接收到的光。
[0005]所述装置达成低损耗平面外光学转折，并且在显示出宽带性能的同时适合于大量制造。此外，所述装置可证明在宽的温度范围内可靠性得以增强。
[0006]所述光电子装置可具有以下任选特征中的任一者，或在以下任选特征兼本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1. 一种光电子装置，所述光电子装置包括：绝缘体上硅SOI晶片，所述SOI晶片包括空腔和输入波导，所述输入波导光学地耦合到所述空腔中；以及镜，所述镜位于所述空腔内并且接合到所述空腔的底床，所述镜包括反射器，所述反射器被配置成反射从所述SOI晶片中的所述输入波导接收到的光。2.如权利要求1所述的光电子装置，其中所述镜是微镜。3.如权利要求1或权利要求2所述的光电子装置，其中所述镜由硅形成，并且所述反射器由金属形成并面向所述输入波导。4.如任一前述权利要求所述的光电子装置，其中所述装置还包括在所述反射器与所述空腔的所述底床之间的底部填充胶。5.如任一前述权利要求所述的光电子装置，所述光电子装置还包括位于所述镜与所述空腔的所述底床之间的粘合剂层。6.如任一前述权利要求所述的光电子装置，所述光电子装置还包括沿着所述空腔的一个或多个侧壁和底床设置的抗反射涂层。7.如任一前述权利要求所述的光电子装置，其中所述输入波导位于所述SOI晶片的装置层内。8.如任一前述权利要求所述的光电子装置，其中所述输入波导被配置成沿着引导方向引导光，并且所述输入波导与所述空腔之间的耦合界面相对于所述引导方向而成锐角。9.如任一前述权利要求所述的光电子装置，其中所述空腔超出所述SOI晶片的绝缘体层而延伸到所述SOI晶片的衬底床中。10.如任一前述权利要求所述的光电子装置，所述光电子装置还包括在所述SOI晶片的装置层上方的上包覆层。11.如任一前述权利要求所述的光电子装置，其中所述镜具有梯形横截面，并且其...

【专利技术属性】
技术研发人员：张毅，CT，
申请(专利权)人：洛克利光子有限公司，
类型：发明
国别省市：