结合型聚焦环制造技术

本发明专利技术涉及将聚焦环分离为多个而组装，由此可以仅更换暴露于等离子体而发生蚀刻消耗的部分的结合型聚焦环，其特征在于，其包括：上部等离子体暴露环，其放置在静电吸盘的上部外侧；下部导热支承环，其紧贴到上述上部等离子体暴露环的下部而被组装；结合环，其组装到上述下部导热支承环的外侧；第一结合部，其将上述上部等离子体暴露环和下部导热支承环结合；及第二结合部，其将上述上部等离子体暴露环和结合环结合。结合环结合。结合环结合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】结合型聚焦环


[0001]本专利技术涉及结合型聚焦环，更具体地，涉及将聚焦环分离成多个而组装，由此可以仅更换暴露于等离子体而发生蚀刻消耗的部分的结合型聚焦环。

技术介绍

[0002]在一般情况下，为了制造半导体而使用的蚀刻技术是将形成于半导体基板上的膜质加工成所希望的图案的技术，为了这样的加工而所使用的装置则是蚀刻装置。
[0003]特别地，在蚀刻装置中，将利用等离子体而形成图案的蚀刻装置称为等离子体蚀刻装置或干式蚀刻装置，这样的干式蚀刻装置主要使用于需要0.15μm以下的设计规则(design rule)的技术。
[0004]图1示出一般的干式蚀刻装置，在处理腔10的内部具备供晶片W安置的静电吸盘11，在静电吸盘11的底面具备下部电极12，在自静电吸盘11起的规定的高度处具备上部电极13。
[0005]并且，从具备上部电极13的处理腔10的上部或一侧供给反应气体。
[0006]因此，在处理腔10的静电吸盘11安置晶片W的状态下向内部供给反应气体而向下部电极12和上部电极13施加RF偏压时，在晶片W的上部产生等离子体，该等离子体与晶片W的膜质发生冲突而进行蚀刻。
[0007]在利用等离子体而蚀刻晶片W的工序的执行中，在静电吸盘11上通常通过边缘环14包围晶片W的外侧，由此等离子体均匀地分布到晶片W的边缘环14为止。
[0008]根据韩国公开专利公报第10
‑
2005
‑
0091853号(以下，称为
‘
专利文献1/>’
)的“半导体晶片制造装置的聚焦环”中的聚焦环的结构，聚焦环分成外侧环和内侧环而形成，外侧环和内侧环以彼此垂直的形态分离，晶片仅接触到内侧环的上端。
[0009]另外，上述外侧环以晶片为中心位于外侧而与内盖环的内侧接触结合，内侧环结合到外侧环的内侧。
[0010]这样的以往的专利文献1的聚焦环的情况下，将外侧环和内侧环在垂直方向上分离组装，从而在分离组装的部分发生间隙(gap)，通过间隙而在内侧和外侧的温度传递率产生差异，通过外侧环和内侧环之间的间隙而涂敷聚合物时，存在形成电弧(arcing)的问题。
[0011]另外，通过外侧环和内侧环的分离的间隙而发生等离子体的电位差，由此通过等离子体鞘层的变化而在晶片边缘良率上出现问题。

技术实现思路

[0012]技术课题
[0013]因此，本专利技术是为了解决上述的问题而研究出的，其目的在于提供一种如下的结合型聚焦环：将聚焦环在上、下水平方向上分离成多个而组装，从而可以仅更换上部等离子体暴露部分，可由相同的材料或不同的材料混合而制造各个聚焦环，由此能够节省作业的效率及费用。
[0014]解决课题的方法
[0015]为了达到上述目的，本专利技术的实施例的结合型聚焦环包括：上部等离子体暴露环，其放置在静电吸盘的上部外侧；下部导热支承环，其紧贴到上述上部等离子体暴露环的下部而被组装；结合环，其组装到上述下部导热支承环的外侧；第一结合部，其将上述上部等离子体暴露环和下部导热支承环结合；及第二结合部，其将上述上部等离子体暴露环和结合环结合。
[0016]上述第一结合部包括：第一组装接片，其形成于上部等离子体暴露环的内表面的外侧；及第二组装接片，其形成于上述下部导热支承环的上端的外侧面，与第一组装接片结合而将上部等离子体暴露环和下部导热支承环结合。
[0017]上述第一组装接片形成于上部等离子体暴露环的下部的外侧面，上述第二组装接片形成于下部导热支承环的上端的内侧面而与第一组装接片组装。
[0018]上述第二结合部包括：第一联接接片，其形成于上部等离子体暴露环的外表面的外侧；及第二联接接片，其形成于上述结合环的上部内侧而与第一联接接片结合来将上部等离子体暴露环和结合环结合。
[0019]上述结合型聚焦环还包括阶梯部，该阶梯部形成于上述下部导热支承环和结合环而将下部导热支承环和结合环组装时提高紧贴效率。
[0020]上述阶梯部包括：上部台阶，其形成于下部导热支承环的上部外侧；及下部台阶，其形成于上述结合环的内侧上部而与上部台阶紧贴。
[0021]上述结合型聚焦环还包括导热片，该导热片设置于上述上部等离子体暴露环与下部导热支承环之间而提高导热率。
[0022]上述导热片由硅制成且包含作为导热性高的添加剂的氧化铝或碳化硅(SiC)。
[0023]在上述上部等离子体暴露环的下部形成有螺栓联接槽，在上述下部导热支承环以与螺栓联接槽连通的方式上下贯通地形成有插入槽，从而将联接螺栓联接到上述插入槽和螺栓联接槽。
[0024]专利技术效果
[0025]如上所述，根据本专利技术的结合型聚焦环，将聚焦环在上下水平方向上分成多个而通过第一结合部以螺丝方式组装上部等离子体暴露环和下部导热支承环，由此将上部等离子体暴露环和下部导热支承环的内侧和外侧均匀地紧贴，并在下部导热支承环的下部紧贴结合环，由此通过第二结合部以螺丝方式与上部等离子体暴露环组装，从而上部等离子体暴露环和下部导热支承环无间隙地最大限度紧贴，由此在温度传递率上不发生差异，能够将产品性最大化。
[0026]另外，本专利技术将聚焦环分成多个而能够拆装地分离组装，从而使上部等离子体暴露环和下部导热支承环的寿命不同而具备不同的更换周期，由此能够减少费用。
附图说明
[0027]图1是示出一般的蚀刻装置的侧剖面图。
[0028]图2是示出本专利技术的结合型聚焦环的分解立体图。
[0029]图3是示出本专利技术的结合型聚焦环的结合立体图。
[0030]图4是示出本专利技术的结合型聚焦环的截面图。
[0031]图5是示出图4的结合型聚焦环的结合前的状态的截面图。
[0032]图6是示出本专利技术的结合型聚焦环的另一个组装状态的截面图。
[0033]图7是示出本专利技术的结合型聚焦环的又一个组装状态的截面图。
[0034]图8是示出本专利技术的结合型聚焦环的另一例的分离立体图。
[0035]图9是示出图8的结合型聚焦环的结合截面图。
[0036]<对附图中的主要部分的符号说明>
[0037]100：结合型聚焦环
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110：上部等离子体暴露环
[0038]111：螺栓联接槽
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120：下部导热支承环
[0039]121：插入槽
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130：结合环
[0040]140：第一结合部
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141：第一组装接片
[0041]142：第二组装接片
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150：第二结合部
[0042]151：第一联接接片
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152：第二联接接片
[0043]160：阶梯部
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161：上部台阶
[0044]162：下部台阶
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种结合型聚焦环，其特征在于，其包括：上部等离子体暴露环，其放置在静电吸盘的上部外侧；下部导热支承环，其紧贴到上述上部等离子体暴露环的下部而被组装；结合环，其组装到上述下部导热支承环的外侧；第一结合部，其将上述上部等离子体暴露环和下部导热支承环结合；及第二结合部，其将上述上部等离子体暴露环和结合环结合，上部等离子体暴露环和下部导热支承环以具备水平接触面的方式结合，上述第一结合部通过第一组装接片和第二组装接片而将上部等离子体暴露环和下部导热支承环结合，并分别形成为内螺纹和外螺纹而以螺丝方式结合，上述第二结合部包括：第一联接接片，其形成于上部等离子体暴露环的外表面的外侧；及第二联接接片，其形成于上述结合环的上部内侧而与第一联接接片结合来将上部等离子体暴露环和结合环结合，该结合型聚焦环还包括阶梯部，该阶梯部形成在上述下部导热支承环和结合环而在将下部导热支承环和结合环组装时提高紧贴效率，上述阶梯部包括：上部台阶，...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴珍庆，
申请(专利权)人：TEM株式会社，
类型：发明
国别省市：