【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】结合型聚焦环
[0001]本专利技术涉及结合型聚焦环，更具体地，涉及将聚焦环分离成多个而组装，由此可以仅更换暴露于等离子体而发生蚀刻消耗的部分的结合型聚焦环。
技术介绍
[0002]在一般情况下，为了制造半导体而使用的蚀刻技术是将形成于半导体基板上的膜质加工成所希望的图案的技术，为了这样的加工而所使用的装置则是蚀刻装置。
[0003]特别地，在蚀刻装置中，将利用等离子体而形成图案的蚀刻装置称为等离子体蚀刻装置或干式蚀刻装置，这样的干式蚀刻装置主要使用于需要0.15μm以下的设计规则(design rule)的技术。
[0004]图1示出一般的干式蚀刻装置，在处理腔10的内部具备供晶片W安置的静电吸盘11，在静电吸盘11的底面具备下部电极12，在自静电吸盘11起的规定的高度处具备上部电极13。
[0005]并且，从具备上部电极13的处理腔10的上部或一侧供给反应气体。
[0006]因此，在处理腔10的静电吸盘11安置晶片W的状态下向内部供给反应气体而向下部电极12和上部电极13施加RF偏压时，在...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种结合型聚焦环，其特征在于，其包括：上部等离子体暴露环，其放置在静电吸盘的上部外侧；下部导热支承环，其紧贴到上述上部等离子体暴露环的下部而被组装；结合环，其组装到上述下部导热支承环的外侧；第一结合部，其将上述上部等离子体暴露环和下部导热支承环结合；及第二结合部，其将上述上部等离子体暴露环和结合环结合，上部等离子体暴露环和下部导热支承环以具备水平接触面的方式结合，上述第一结合部通过第一组装接片和第二组装接片而将上部等离子体暴露环和下部导热支承环结合，并分别形成为内螺纹和外螺纹而以螺丝方式结合，上述第二结合部包括：第一联接接片，其形成于上部等离子体暴露环的外表面的外侧；及第二联接接片，其形成于上述结合环的上部内侧而与第一联接接片结合来将上部等离子体暴露环和结合环结合，该结合型聚焦环还包括阶梯部，该阶梯部形成在上述下部导热支承环和结合环而在将下部导热支承环和结合环组装时提高紧贴效率，上述阶梯部包括：上部台阶，...
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