选择器器件、电阻式类型存储器器件及相关联的制造方法技术

本发明专利技术的主题是旨在选择电阻式存储器单元的选择器器件(S)，其包括包含第一活性材料(105)的第一选择器器件(S1)和包含第二活性材料(108)的第二选择器器件(S2)，第一选择器器件(S1)和第二选择器器件(S2)并联连接。件(S1)和第二选择器器件(S2)并联连接。件(S1)和第二选择器器件(S2)并联连接。

【技术实现步骤摘要】
选择器器件、电阻式类型存储器器件及相关联的制造方法


[0001]本专利技术的
是电阻式存储器。本专利技术涉及一种旨在选择电阻式存储器单元的选择器器件。本专利技术的第二主题是一种集成了非易失性存储器功能和选择器功能二者的存储器器件。本专利技术的另一主题是一种用于制造根据本专利技术的选择器器件的方法。

技术介绍

[0002]对于即使在关闭电压时也需要存储信息的应用，通常使用EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)或FLASH(闪速)类型的非易失性存储器。然而，这些存储器具有缺点，例如写入时间长、存储器点的密度受所使用晶体管的尺寸限制或者重写循环次数有限。
[0003]诸如存储类存储器(SCM)之类的新技术的发展使得有可能设想具有改进性能和低能耗的新一代计算机。非易失性电阻式存储器器是SCM技术开发的非常好的候选者，并且构成FLASH或EEPROM类型存储器的有前途的替代品。
[0004]电阻式存储器基于活性介质的使用，其电阻取决于施加到材料端子的电压。换言之，电阻式存储器单元具有两种状态：对应于高电阻状态的OFF(关断)状态和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种旨在选择电阻式存储器单元的选择器器件(S)，其特征在于，它包括包含第一活性材料(105)的第一选择器器件(S1)和包含第二活性材料(108)的第二选择器器件(S2)，所述第一选择器器件(S1)和所述第二选择器器件(S2)并联连接，所述第一选择器器件(S1)被配置为提供适合于读取所述电阻式存储器单元的状态的电流，并且所述第二选择器器件(S2)被配置为提供适合于写入所述电阻式存储器单元的状态的电流。2.根据前述权利要求所述的选择器器件(S)，其特征在于，所述第一活性材料(105)具有用于电流通过的第一阈值电压，并且所述第二活性材料(108)具有用于电流通过的第二阈值电压，所述第一阈值电压低于所述第二阈值电压。3.根据前述权利要求之一所述的选择器器件(S)，其特征在于，所述第一选择器器件(S1)是二极管。4.根据前述权利要求之一所述的选择器器件(S)，其特征在于，所述第二选择器器件(S2)是双向阈值开关或场辅助超线性阈值选择器或混合离子电子传导选择器。5.根据前述权利要求之一所述的选择器器件(S)，其特征在于，所述第二选择器器件(S2)被布置为围绕所述第一选择器器件(S1)。6.根据前述权利要求之一所述的选择器器件(S)，其特征在于，所述第二选择器器件(S2)还包括所述第二选择器器件的第一电极(107)，并且所述第二选择器器件(S2)的第一电极(107)和所述第二活性材料(108)围绕所述第一选择器器件(S1)。7.根据前述权利要求所述的选择器器件(S)，其特征在于，所述第二选择器器件的第一电极(107)包括第一电极的第一部分(107a)和第二部分(107b)，所述第二活性材料(108)包括活性材料(108)的第一部分(108a)和第二部分(108b)，所述第一部分(107a、108a)与所述第一选择器器件(S1)的层(104、105、106)的平面形成第一角度，并且所述第二部分(107b、108b)与所述第一选择器器件(S1)的所述层(104、105、106)的平面形成第二角度。8.根据前述权利要求所述的选择器器件(S)，其特征在于，所述第一部分(107a、108a)基本上与所述第一选择器器件(S1)的所述层(104、105、106)的平面垂直，并且所述第二部分(107b、108b)基本上与所述第一选择器器件的所述层(104、105、106)的平面平行。9.一种存储器器件(100)，其特征在于，它包括根据前述权利要求之一所述的选择器器件(S)和电阻式存储器单元(CR)，所述选择器器件(S)和所述电阻式存储器单元(CR)串联连接。10.根据前述权利要求所述的存储器器件(100)，其特征在于，它包括单个存储器单元(CR)。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：加布里埃尔，
申请(专利权)人：法国原子能及替代能源委员会，
类型：发明
国别省市：