半导体结构及其制作方法技术

本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构中，异质结上依次形成有原位绝缘层与过渡层，原位绝缘层与过渡层中具有凹槽，在凹槽内以及过渡层上的栅极区域形成有p型半导体层。过渡层利于工艺中p型半导体层在凹槽外形成。原位绝缘层与过渡层可以减小器件中沟道泄漏到栅极形成的栅泄漏电流，因而异质结中的势垒层的厚度可以较小，从而可以提高阈值电压；此外，由于原位绝缘层的设置，可减小方块电阻，增加二维电子气的浓度，提高了栅极对沟道的控制能力，提升工作电流。提升工作电流。提升工作电流。提升工作电流。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：