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本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构中，异质结上依次形成有原位绝缘层与过渡层，原位绝缘层与过渡层中具有凹槽，在凹槽内以及过渡层上的栅极区域形成有p型半导体层。过渡层利于工艺中p型半导体层在凹槽外形成。原位绝缘层与过渡层可以减小...
该专利属于苏州晶湛半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州晶湛半导体有限公司授权不得商用。

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