用于电子元件的无纺布膜材及其制备方法技术

一种用于电子元件的无纺布膜材及其制备方法，用于电子元件的无纺布膜材包括聚醚酰亚胺基材以及气凝胶。气凝胶配置于聚醚酰亚胺基材上，且具有介于0.7％至0.9％间的含水率以及介于85％至95％间的孔隙率。本揭露的无纺布膜材具有低的介电常数值、低的介质损耗因素以及低的吸湿性，从而适用于电子元件中。从而适用于电子元件中。从而适用于电子元件中。

【技术实现步骤摘要】
用于电子元件的无纺布膜材及其制备方法


[0001]本揭露内容是有关于一种无纺布膜材，且特别是有关于一种用于电子元件的无纺布膜材。

技术介绍

[0002]气凝胶是具有高孔隙率的独特固体。高的孔隙率使得气凝胶具有高比表面积、低折射率、低介电常数、低热量损失系数以及低音速传导介质等的特性。因此，气凝胶在集成电路、节能、航空等领域有着广泛的应用前景。
[0003]在传统制造气凝胶的方法中，基于所使用的试剂的特性，通常需额外对气凝胶进行疏水处理。然而，由于气凝胶的结构细微，因此往往难以全面性地对其进行疏水处理，且常需投入大量的人力与时间。因此，如何有效率地制备出具有良好疏水性的气凝胶，使得气凝胶可良好地发挥其在电性上的功能，是本领域技术人员亟欲解决的问题。

技术实现思路

[0004]本揭露内容提供一种无纺布膜材以及一种无纺布膜材的制备方法。本揭露的无纺布膜材具有低的介电常数值、低的介质损耗因素(Dissipation Factor)以及低的吸湿性，从而适用于电子元件中。
[0005]根据本揭露一些实施方式，用于电子元件的无本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无纺布膜材，其特征在于，用于电子元件，所述无纺布膜材包括：聚醚酰亚胺基材；以及气凝胶，配置于所述聚醚酰亚胺基材上，且所述气凝胶具有介于0.7％至0.9％间的含水率以及介于85％至95％间的孔隙率。2.根据权利要求1所述的无纺布膜材，其特征在于，所述气凝胶是通过包括以下试剂制备而成：92.5至97.5重量份的第一烷基三甲氧基硅烷；以及2.5至7.5重量份的第二烷基三甲氧基硅烷或芳香基三甲氧基硅烷。3.根据权利要求2所述的无纺布膜材，其特征在于，所述第一烷基三甲氧基硅烷包括甲基三甲氧基硅烷，且所述第二烷基三甲氧基硅烷包括己基三甲氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷或其组合。4.根据权利要求2所述的无纺布膜材，其特征在于，所述芳香基三甲氧基硅烷包括苯基三甲氧基硅烷。5.根据权利要求1所述的无纺布膜材，其特征在于，所述气凝胶的粒径(D90)介于100nm至200nm间。6.一种无纺布膜材的制备方法，其特征在于，所述无纺布膜材用于电子元件，且所述无纺布膜材的制备方法包括：提供聚醚酰亚胺基材以及气凝胶分散液，所述气凝胶分散液具有气凝胶，且所述气凝胶具有介于0.7％至0.9％间的含水率以及介于85％至95％间的孔隙率；将所述聚醚酰亚胺基材含浸于所述气凝胶...

【专利技术属性】
技术研发人员：张绍彦，周上智，林俊宏，
申请(专利权)人：财团法人纺织产业综合研究所，
类型：发明
国别省市：