一种两相复合微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种两相复合微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用，属于功能陶瓷及其制备技术领域。本发明专利技术提供的两相复合微波介质陶瓷材料，化学组成为(1

【技术实现步骤摘要】
一种两相复合微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于功能陶瓷及其制备
，涉及一种两相复合微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用，特别涉及一种低介电常数高性能、谐振频率温度系数τ
f
接近0的两相复合微波介质陶瓷材料及制备方法。

技术介绍

[0002]微波介质陶瓷是近几十年发展起来的一种功能陶瓷，是指应用于微波频段(主要是UHF、SHF频段，300MHz～300GHz)电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷。随着近些年通信的飞速发展，对微波器件的需求也日益提高，尤其是随着5G的发展，为了满足超高连接密度，超高流量密度，等需求要使用Massive MIMO技术对于天线和滤波器进行大规模集成化，基站数量激增，微波介质陶瓷，凭借其高Q值，选频特性好、工作频率稳定性好、插入损耗小有利于小型化和集成化等优势越来越受到广泛的关注，成为近些年来微波介质材料的一个热点。微波介质陶瓷，在电子电路中被用于谐振器、滤波器制造，微波介质陶瓷具有高介电常数，低微波损耗，谐振频率温度系数近零等优点，可实现现代电路微波电路小型化、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种两相复合微波介质陶瓷材料，其特征在于，该两相复合微波介质陶瓷材料的组成表达式为(1
‑
x)Ba3(VO4)2‑
xMg2B2O5，其中0.5≤x≤0.7。2.根据权利要求1所述的两相复合微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述两相复合微波介质陶瓷材料的介电常数ε
r
＝10.0～11.6，品质因数Q
×
f＝48,050GHz～62,600GHz，谐振频率温度系数τ
f
＝
‑
3ppm/℃～+43.6ppm/℃。3.权利要求1或2所述的两相复合微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)制备预烧料按化学式Ba3(VO4)2将BaCO3和V2O5按比例混合后，进行研磨处理，然后烘干、过筛得到Ba3(VO4)2原料，再将Ba3(VO4)2原料进行预烧结，得到Ba3(VO4)2预烧料；按化学式Mg2B2O5将MgO和H3BO3按比例混合后，进行研磨处理，然后烘干、过筛得到Mg2B2O5原料，再将Mg2B2O5原料进行预烧结，得到Mg2B2O5预烧料；2)制备(1
‑
x)Ba3(VO4)2‑
xMg2B2O5粉料将Ba3(VO4)2预烧料和Mg2B2O5预烧料按比例混合后，进行研磨处理，然后烘干、过筛，得到(1
‑
x)Ba3(VO4)2‑
xMg2B2O5粉料，其中0.5≤x≤0.7；3)制备两相复合微波介质陶瓷材料在(1
‑
x)Ba3(VO4)2‑
xMg2B2O5粉料中加入粘合剂进行造粒、过筛，然后将过筛后的颗粒压制成型，再经排胶、烧结处理，制得两相复合微波介质陶瓷材料，即(1
‑
x)Ba3(VO4)2‑
xMg2B2O5复合微波介质陶瓷，其中0.5≤x≤0.7。4.根据权利要求3所述的两相复合微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤1)和...

【专利技术属性】
技术研发人员：庞利霞，方振，周迪，王晓龙，刘卫国，
申请(专利权)人：西安工业大学，
类型：发明
国别省市：