【技术实现步骤摘要】
一种以Y2Si2O7为基体的SiO2/SiC基微波吸收陶瓷的制备方法
[0001]本专利技术涉及一种以Y2Si2O7为基体的SiO2/SiC基微波吸收陶瓷的制备方法,属于微波吸收材料
技术介绍
[0002]目前,智能电子设备和通信技术的推广和应用导致了电磁干扰和电磁波辐射问题的日益突出,严重威胁着信息安全和人类健康。此外,由于雷达跟踪系统的不断创新,传统战斗武器的生存也面临着巨大的威胁。因此,对电磁波屏蔽和电磁波吸收材料的研究可以缓解这些污染问题,提高武器的生存能力。
[0003]电磁波吸收材料应满足以下要求:首先材料的特性阻抗应尽可能接近自由空间阻抗,其次可以尽可能地衰减入射电磁波。为满足上述要求,非磁性电磁波吸收材料的相对复介电常数应达到适中的值。Y2Si2O7基复合陶瓷的电磁波吸收性能和微波吸收机理尚未见报道,这可能为开发具有高温电磁吸收性能的新型材料提供了参考方向。
[0004]因此,迫切需要开发一种具有较低介电常数的新型材料作为电磁波吸收材料的基体。
技术实现思路
[000 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种以Y2Si2O7为基体的SiO2/SiC基微波吸收陶瓷的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:(1)将Si(C2H5)4溶解于乙醇中得到溶液A,Y(NO3)3·
6H2O搅拌溶解于去离子水中得到溶液B;室温下,溶液A和溶液B搅拌混合得到凝胶C,凝胶C干燥得到干凝胶,干凝胶研磨成凝胶粉,凝胶粉进行冷压成型后置于温度为1400~1500℃的空气中烧结热处理2~3h,得到Y2Si2O7粉末;(2)Y2Si2O7粉末经碳化硅化学气相渗透沉积,得到SiC
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Y2Si2O7复合陶瓷;(3)SiC
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Y2Si2O7复合陶瓷经氧化处理得到SiO2/SiC
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Y2Si2O7复...
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