低噪声放大电路及信号收发电路制造技术

本发明专利技术公开了一种低噪声放大电路及信号收发电路，包括信号放大电路、第一保护电路和第二保护电路；第一保护电路，第一端耦合在信号放大电路的输入路径上，第二端与接地端相连，第一保护电路包括低阻模式和高阻模式；第二保护电路，一端耦合在信号放大电路的输入路径上，另一端与接地端相连；在信号放大电路处于非工作状态时，第一保护电路处于低阻模式，若输入路径存在泄露信号，在泄露信号小于第二保护电路的导通阈值时，泄露信号通过第一保护电路释放到地，在泄露信号大于或者等于第二保护电路的导通阈值时，泄露信号通过第一保护电路和第二保护电路共同释放到地。本技术方案能够对泄露信号进行全面有效抑制，对低噪声放大电路进行有效保护。电路进行有效保护。电路进行有效保护。

【技术实现步骤摘要】
低噪声放大电路及信号收发电路


[0001]本专利技术涉及射频集成电路
，尤其涉及一种低噪声放大电路及信号收发电路。

技术介绍

[0002]低噪声放大电路(Low Noise Amplifier，简称LNA)一般用作各类无线电接收机的高频或中频的前置放大器，能够将接收路径上天线接收到的微弱信号进行放大。
[0003]目前，为了保证低噪声放大电路的高增益和小噪声性能，低噪声放大电路中的放大晶体管耐压性能都较差。然而，现有的低噪声放大电路在使用过程中又容易受到其它路径上的泄露信号的干扰和影响，从而大大减短了低噪声放大电路中的放大晶体管的使用寿命，影响了低噪声放大电路中的放大晶体管的可靠性，因此，如何保护射频前端电路中的低噪声放大电路不被泄露信号所影响是目前亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种低噪声放大电路及信号收发电路，以解决泄露信号对低噪声放大电路中的放大晶体管的可靠性造成影响的问题。
[0005]一种低噪声放大电路，包括信号放大电路、第一保护电路和第二保护电路；
[0006]所述第一保护电路的第一端耦合在所述信号放大电路的输入路径上，所述第一保护电路的第二端与接地端相连，所述第一保护电路包括低阻模式和高阻模式；
[0007]所述第二保护电路的一端耦合在所述信号放大电路的输入路径上，所述第二保护电路的另一端与接地端相连；
[0008]在所述信号放大电路处于非工作状态时，所述第一保护电路处于低阻模式，若所述输入路径存在泄露信号，在所述泄露信号小于所述第二保护电路的导通阈值时，所述泄露信号通过所述第一保护电路释放到地，在所述泄露信号大于或者等于所述第二保护电路的导通阈值时，所述泄露信号通过所述第一保护电路和所述第二保护电路共同释放到地。
[0009]进一步地，在所述信号放大电路处于工作状态时，所述第一保护电路处于高阻模式。
[0010]进一步地，在所述第二保护电路处于导通状态下时，所述第二保护电路呈现出的阻抗小于所述第一保护电路呈现出的阻抗。
[0011]进一步地，所述第一保护电路包括保护开关，在所述信号放大电路处于工作状态时，所述保护开关断开。
[0012]进一步地，第一保护电路包括与所述保护开关串联连接的第一电阻。
[0013]进一步地，所述第一保护电路包括可调电阻。
[0014]进一步地，所述保护开关包括至少一个场效应晶体管；每一所述场效应晶体管依次连接，依次连接的首端场效应晶体管的源级连接至所述信号放大电路的输入路径上，依次连接的末端场效应晶体管的漏级与接地端相连，所述首端场效应晶体管的漏级与其相邻
的场效应晶体管的源级相连，所述末端场效应晶体管的源级与其相邻的场效应晶体管的漏级相连，所述首端场效应晶体管和所述末端场效应晶体管之间依次连接的相邻两个场效应晶体管中邻近所述首端场效应晶体管的漏级、与邻近所述末端场效应晶体管的源级相连。
[0015]进一步地，所述第二保护电路包括第一二极管阵列和第二二极管阵列，所述第一二极管阵列和所述第二二极管阵列反向并联连接；所述第二保护电路的导通阈值与所述第一二极管阵列或所述第二二极管阵列的二极管数量呈正相关。
[0016]进一步地，所述第一二极管阵列包括至少一个第一二极管，第二二极管阵列包括至少一个第二二极管，每一所述第一二极管之间串联连接，每一所述第二二极管之间串联连接。
[0017]进一步地，所述第一二极管阵列中的所述第一二极管的数量和所述第二二极管阵列中的第二二极管的数量相同。
[0018]一种低噪声放大电路，包括信号放大电路、第一保护电路和第二保护电路；
[0019]所述第一保护电路的第一端耦合在所述信号放大电路的输入路径上，所述第一保护电路的第二端与接地端相连,所述第一保护电路包括低阻模式和高阻模式；
[0020]所述第二保护电路的一端耦合在所述信号放大电路的输入路径上，所述第二保护电路的另一端与接地端相连，所述第二保护电路包括第一二极管阵列和第二二极管阵列，所述第一二极管阵列和所述第二二极管阵列反向并联连接，所述第二保护电路的导通阈值与所述第一二极管阵列或所述第二二极管阵列的二极管数量呈正相关；
[0021]在所述信号放大电路处于非工作状态时，所述第一保护电路处于低阻模式，若所述输入路径存在泄露信号，在所述泄露信号的电压小于所述第二保护电路的导通阈值时，所述第二保护电路处于非导通状态，在所述泄露信号的电压大于或者等于所述第二保护电路的导通阈值时，所述第二保护电路处于导通状态。
[0022]一种信号收发电路，包括发射通路和接收通路，所述发射通路被配置通过切换开关将发射信号发送至天线；所述接收通路被配置为通过所述切换开关接收来自所述天线的接收信号，并对所述接收信号进行放大；所述接收通路包括上述低噪声放大电路。
[0023]上述低噪声放大电路及信号收发电路，包括信号放大电路、第一保护电路和第二保护电路；第一保护电路，第一端耦合在信号放大电路的输入路径上，第二端与接地端相连，第一保护电路包括低阻模式和高阻模式；第二保护电路，一端耦合在信号放大电路的输入路径上，另一端与接地端相连；在信号放大电路处于非工作状态时，第一保护电路处于低阻模式，若输入路径存在泄露信号，在泄露信号小于第二保护电路的导通阈值时，泄露信号通过第一保护电路释放到地，在泄露信号大于或者等于第二保护电路的导通阈值时，泄露信号通过第一保护电路和第二保护电路共同释放到地，在第二保护电路处于截止状态下时，第一保护电路将输入到信号放大电路中的泄露信号释放到地，当第二保护电路处于导通状态下时，第一保护电路与第二保护电路共同作用，将泄露到信号放大电路的输入路径中的泄露信号释放到地，解决了泄露信号对低噪声放大电路中的放大晶体管的可靠性造成影响的问题，从而对泄露信号的进行全面有效处理，达到对低噪声放大电路进行有效保护的目的。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1是本专利技术一实施例中低噪声放大电路的一电路示意图；
[0026]图2是本专利技术一实施例中低噪声放大电路的另一电路示意图；
[0027]图3是本专利技术一实施例中低噪声放大电路的另一电路示意图；
[0028]图4是本专利技术一实施例中低噪声放大电路的另一电路示意图；
[0029]图5是本专利技术一实施例中信号收发电路的一电路示意图。
[0030]图中：10、信号放大电路；20、第一保护电路；30、第二保护电路；31、第一二极管阵列；32、第二二极管阵列；40、发射通路；50、切换开关；60、双工器；70、天线。
具体实施方式
[0031]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低噪声放大电路，其特征在于，包括信号放大电路、第一保护电路和第二保护电路；所述第一保护电路的第一端耦合在所述信号放大电路的输入路径上，所述第一保护电路的第二端与接地端相连，所述第一保护电路包括低阻模式和高阻模式；所述第二保护电路的一端耦合在所述信号放大电路的输入路径上，所述第二保护电路的另一端与接地端相连；在所述信号放大电路处于非工作状态时，所述第一保护电路处于低阻模式，若所述输入路径存在泄露信号，在所述泄露信号小于所述第二保护电路的导通阈值时，所述泄露信号通过所述第一保护电路释放到地，在所述泄露信号大于或者等于所述第二保护电路的导通阈值时，所述泄露信号通过所述第一保护电路和所述第二保护电路共同释放到地。2.如权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，在所述信号放大电路处于工作状态时，所述第一保护电路处于高阻模式。3.如权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，在所述第二保护电路处于导通状态下时，所述第二保护电路呈现出的阻抗小于所述第一保护电路呈现出的阻抗。4.如权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述第一保护电路包括保护开关，在所述信号放大电路处于工作状态时，所述保护开关断开。5.如权利要求4所述的低噪声放大电路，其特征在于，第一保护电路包括与所述保护开关串联连接的第一电阻。6.如权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述第一保护电路包括可调电阻。7.如权利要求4所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述保护开关包括至少一个场效应晶体管；每一所述场效应晶体管依次连接，依次连接的首端场效应晶体管的源级连接至所述信号放大电路的输入路径上，依次连接的末端场效应晶体管的漏级与接地端相连，所述首端场效应晶体管的漏级与其相邻的场效应晶体管的源级相连，所述末端场效应晶体管的源级与其相邻的场效应晶体管的漏级相连，所述首端场效应晶体管和所述末端场效应晶体管之间依次连接的相邻两个场效应晶体管中邻近所述首端场效应晶体管的漏级、与邻近所述末端...

【专利技术属性】
技术研发人员：李镁钰，宋楠，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯深圳科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：