一种含镓正交无机化合物晶体及其制备方法、作为红外非线性光学晶体材料的应用技术

本申请公开了一种含镓正交无机化合物晶体，该化合物具有下列化学式：AGa5Q8。Q选自硫族元素中的一种。所述含镓无机化合物属于正交晶系，Iba21空间群。进一步公开了制备上述含镓正交无机化合物晶体的方法。并进一步公开了该材料作为非线性光学晶体的应用。本申请所述的含镓无机化合物具有激光损伤阈值高、倍频信号强度高等优良特点，本申请所提出的制备含镓无机化合物的方法具有产率高，合成工艺简单的优点。点。点。

【技术实现步骤摘要】
一种含镓正交无机化合物晶体及其制备方法、作为红外非线性光学晶体材料的应用


[0001]本申请涉及晶体合成
，涉及一系列含镓正交无机化合物晶体的制备，以及在光学领域中的应用。

技术介绍

[0002]二阶非线性光学(NLO)晶体材料在激光通讯，激光探测，激光治疗等具有重要的应用。经过50多年来在NLO晶体领域的探索和研究，二阶NLO氧化物材料如KH2PO4,KTiOPO4,β
‑
BaB2O4,LiB3O5等基本上满足了可见及近红外波段激光发展的要求，目前在可见光区和紫外光区的研究较为成熟；由于氧化物NLO晶体材料存在强吸收而不能应用于中远红外光区范围。目前，已有的商用中远红外NLO晶体材料具有硫属、磷属化合物AgGaS2,ZnGeP2等，由于具有宽的红外透过范围以及高的NLO系数而被大众认可，但由于激光损伤阈值低或存在双光子吸收，不能满足大功率激光发展的要求。因此探索合成新的中远红外NLO材料具有重要的意义。

技术实现思路

[0003]根据本申请的一个方面，提供了一种含镓正交无机化合物晶体。
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含镓正交无机化合物晶体，其特征在于，所述含镓无机化合物具有式I所示的化学式：AGa5Q8ꢀꢀꢀꢀ
式I；其中，A选自碱金属元素中的一种；Q选自硫族元素中的一种；所述含镓无机化合物属于正交晶系，Iba21空间群。2.根据权利要求1所述的含镓正交无机化合物晶体，其特征在于，所述含镓无机化合物的晶胞参数为α＝90
°
，β＝90
°
，γ＝90
°
，Z＝2；优选地，所述含镓无机化合物的晶胞参数为优选地，所述含镓无机化合物的晶胞参数为α＝90
°
，β＝90
°
，γ＝90
°
，Z＝2。3.根据权利要求1所述的含镓正交无机化合物晶体，其特征在于，所述含镓正交无机化合物晶体中的连接关系为：四面体GaQ4通过共点硫族原子链接，从b轴看，形成三维蜂窝状框架化合物，而A
+
离子填充在间隙中。4.制备权利要求1
‑
3中任一项所述含镓正交无机化合物晶体的方法，其特征在于，包括以下步骤：将钇金属、镓金属元素源、硫族元素源、碱金属元素源混合，置于反应容器中，抽气，密封，加热至反应温度，反应，得到所述含镓正交无机化合物晶体。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述碱金属元素源选自碱金属元素单质或其卤化物中的一种；优选地，碱金属元素源选自KCl、KBr、KI、RbCl、RbBr、RbI、CsCl、CsBr、CsI中的至少一种；优选地，所述镓金属元素源选自含有金属镓的单质或化合物；优选地，所述镓金属元素源为镓单质；优选地，所述硫族元素...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘彬文，郭国聪，陈文发，姜小明，徐忠宁，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：