电介质陶瓷形成用组合物及电介质陶瓷材料制造技术

提供电介质陶瓷形成用组合物及将该组合物烧制得到的电介质陶瓷材料。该组合物包含作为主成分的(Ba

【技术实现步骤摘要】
电介质陶瓷形成用组合物及电介质陶瓷材料


[0001]本专利技术涉及电介质陶瓷形成用组合物和将该电介质陶瓷形成用组合物进行烧制而得到的电介质陶瓷材料。

技术介绍

[0002]叠层陶瓷电容器用电介质陶瓷形成用组合物通常以用BaTiO3表示的钛酸钡等为主成分，以赋予耐还原性、温度特性的调节、提高可靠性等各种特性为目的，添加多种元素作为添加成分元素。
[0003]作为含有这种添加成分元素的电介质陶瓷形成用组合物，在例如专利文献1中，记载的是如下技术：为了即使在电介质层厚度为超薄层的情况下，也满足所期望的温度特性及电特性，且降低短路不良率，在钛酸钡中添加所期望量的镁化合物、钇化合物、钪化合物、铕化合物、钆化合物、镝化合物、钬化合物、铒化合物、铥化合物、镱化合物、镥化合物、铽化合物、钡化合物、锶化合物、钙化合物、硅化合物、锰化合物、铬化合物、钒化合物、钼化合物、钨化合物、铌化合物及钽化合物进行预烧，得到电介质陶瓷组合物。出于同样的目的，在几个文献中提出了在钛酸钡中含有镁化合物或锰化合物等副成分的技术(例如，参照专利文献2～4)。
[0004本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电介质陶瓷形成用组合物，其特征在于，含有：作为主成分的用(Ba
1－x
Ca
x
)
m
TiO3表示的钙钛矿型复合氧化物，其中，0≤x≤0.250，0.980≤m≤1.020；和作为添加成分的M化合物、Mg化合物、Mn化合物、Ma化合物、Mb化合物和Mc化合物，其中，M是选自Ba及Ca中的至少一种，Ma是选自V、Nb及Ta中的至少一种，Mb是选自Y、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及Yb中的至少一种，Mc是选自Si及Ge中的至少一种，所述添加成分的含量，相对于100mol所述钙钛矿型复合氧化物，换算成以下氧化物时，以MO换算计为0.01mol以上5.00mol以下；以MgO换算计为0.20mol以上2.00mol以下；以MnO换算计为0.05mol以上0.40mol以下；以Ma2O5换算计为0.02mol以上0.20mol以下；以Mb2O3换算计为0.20mol以上3.00...

【专利技术属性】
技术研发人员：国枝武久，
申请(专利权)人：日本化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：