气相成长装置及气相成长方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供即使不调整晶圆(W)的上下加热比率也能够抑制升降销的位置对外延层造成的影响的气相成长装置(1)。在反应室(111)设置有搭载载具(C)的基座(112)、使载具(C)相对于基座(112)相对地上下移动的载具升降销(115)，载具升降销(115)在俯视观察将支承有晶圆(WF)的载具(C)搭载于基座(112)的状态的情况下，被比晶圆(WF)的外缘靠外侧地设置。晶圆(WF)的外缘靠外侧地设置。晶圆(WF)的外缘靠外侧地设置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】气相成长装置及气相成长方法


[0001]本专利技术涉及用于外延晶圆的制造等的气相成长装置及气相成长方法。

技术介绍

[0002]已知用于在硅晶圆处使硅外延层气相成长的气相成长装置中，在加热被在反应容器内的基座上载置的硅晶圆时，通过调整在基座的上侧和下侧设置的加热装置的加热比率，控制在硅晶圆的升降销附近形成的硅外延层的表面形状，使硅外延层平坦化(专利文献1)。
[0003]专利文献1 : 国际公开第2005/034219号。
[0004]上述现有技术在加热时经由升降销向基座的下方放热，所以根据升降销的位置对硅外延层的表面形状造成不良影响。因此，通过加热装置的调整来减少该不良影响。然而，即使调整晶圆的加热装置的加热比率，升降销的位置对硅外延层的表面形状造成的影响也较多地存在。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种气相成长装置及气相成长方法，其即使不调整晶圆的加热也能够抑制载具升降销的位置对外延层造成的影响。
[0006]本专利技术是一种气相成长装置，前述气相成长装置利用支承晶圆的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种气相成长装置，利用支承晶圆的外周部的环状的载具，具备用于在前述晶圆处形成CVD膜的反应室，其特征在于，在前述反应室，设置有基座和载具升降销，前述基座搭载载具，前述载具支承有前述晶圆，前述载具升降销使支承有前述晶圆的载具相对于前述基座相对地上下移动，前述载具升降销在俯视观察将支承有前述晶圆的载具搭载于前述基座的状态的情况下，被比前述晶圆的外缘靠外侧地设置。2.如权利要求1所述的气相成长装置，其特征在于，前述载具升降销在俯视观察将支承有前述晶圆的载具搭载于前述基座的状态的情况下，设置成前述载具升降销的中心位于比前述晶圆的外缘靠外侧7mm以上位置。3.如权利要求1或2所述的气相成长装置，其特征在于，前述CVD膜是硅外延膜。4.如权利要求1至3中任一项所述的气相成长装置，其特征在于，将多个处理前的前述晶圆从晶圆收纳容器经由工厂接口、装载锁定室及晶圆移载室向在前述晶圆处形成前述CVD膜的前述反应室顺次搬运，并且将多个处理后的前述晶圆从前述反应室经由前述晶圆移载室、前述装载锁定室及前述工厂接口向前述晶圆收纳容器顺次搬运，前述装载锁定室经由第1门与前述工厂接口连通，并且经由第2门与前述晶圆移载室连通，前述晶圆移载室经由闸门阀与前述反应室连通，在前述晶圆移载室处设置有第1机器人，前述第1机器人将被搬运至前述装载锁定室的处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：南出由生，和田直之，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：