半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及程序制造方法及图纸

本发明专利技术包括(a)向配置于处理室的衬底供给处理气体而对衬底进行处理的工序、和(b)向处理室供给清洁气体而将附着于处理室内的部件的沉积物除去的工序，使从(b)的执行完成时至第n+1次进行的(a)的执行开始时为止的期间T2短于从第n次进行的(a)完成时至(b)开始执行时为止的期间T1。为止的期间T1。为止的期间T1。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及程序


[0001]本公开文本涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及程序。

技术介绍

[0002]作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行向配置于处理室中的衬底供给处理气体、对衬底进行处理的工序。将该工序进行多次而由此使沉积物附着于处理室内的部件等后，有时会在规定的时刻进行清洁(例如参见专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2011
‑
243677号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]本公开文本的目的在于使衬底处理间的衬底处理品质一致。
[0008]用于解决课题的手段
[0009]根据本公开文本的一个方式，提供下述技术，其包括：
[0010](a)向配置于处理室中的衬底供给处理气体而对前述衬底进行处理的工序；和，
[0011](b)向前述处理室供给清洁气体而将附着于前述处理室内的部件的沉积物除去的工序，
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.半导体器件的制造方法，其包括：(a)向配置于处理室的衬底供给处理气体而对所述衬底进行处理的工序；和，(b)向所述处理室供给清洁气体而将附着于所述处理室内的部件的沉积物除去的工序，使从所述(b)的执行完成时至第n+1次进行的所述(a)的执行开始时为止的期间T2短于从第n次进行的所述(a)的完成时至所述(b)的执行开始时为止的期间T1(n为1以上的整数)。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，当成为应进行所述(b)的状态时，在成为应开始第n+1次的所述(a)的情况的时刻开始所述(b)，而不是在未与所述(b)相伴地进行了n次的所述(a)刚完成后开始所述(b)。3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其还包括工序(c)，在进行了n次所述(a)之后而未成为应开始第n+1次的所述(a)的情况时，转移至等待成为应开始第n+1次的所述(a)的情况的空闲状态，而不是开始所述(b)。4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述空闲状态下，当成为应开始第n+1次的所述(a)的情况时，在进行所述(b)之后进行所述(a)。5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述(a)即将开始之前执行所述(b)。6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，使从所述(b)的执行完成时至第n+1次进行的所述(a)的执行开始时为止的期间T2为零。7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，使所述(b)的处理条件恒定。8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述(b)的处理条件中，使所述处理室的温度在规定的范围内。9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，使所述(b)的执行时间恒定。10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，使所述(b)的所述清洁气体的供给时间恒定。11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述处理气体为选自由一硅烷(SiH4)气体、二硅烷(Si2H6)气体、三硅烷(...

【专利技术属性】
技术研发人员：西浦进，清水英人，猪岛香织，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：