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半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及程序制造方法及图纸
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文档序号:33628200
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本发明包括(a)向配置于处理室的衬底供给处理气体而对衬底进行处理的工序、和(b)向处理室供给清洁气体而将附着于处理室内的部件的沉积物除去的工序,使从(b)的执行完成时至第n+1次进行的(a)的执行开始时为止的期间T2短于从第n次进行的(a)...
该专利属于株式会社国际电气所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社国际电气授权不得商用。
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