气相成长装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种气相成长装置(1)，前述气相成长装置(1)能够在俯视观察气相成长装置(1)的情况下修正载具(C)相对于晶圆(WF)旋转方向的位置的偏离。气相成长装置(1)具备装载锁定室(13)，前述装载锁定室(13)设置有支承载具(C)的架(17)，在载具(C)和架(17)处设置修正机构，前述修正机构修正俯视观察气相成长装置(1)的情况下载具(C)的旋转方向的位置。(1)的情况下载具(C)的旋转方向的位置。(1)的情况下载具(C)的旋转方向的位置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】气相成长装置


[0001]本专利技术涉及用于外延晶圆的制造等的气相成长装置及气相成长方法。

技术介绍

[0002]已知用于在基板上沉积膜的多腔处理系统的装载锁定腔中，使用对准环及对准销等的定位机构，相对于用于移送基板的载具对准基板的位置(专利文献1)。
[0003]专利文献1 : 美国专利第9，929，029号说明书。
[0004]上述定位机构在俯视观察气相成长装置的情况下，将载具相对于基板(晶圆)的上下及左右方向的位置对准至作为基准的位置，但晶圆的旋转方向的位置不修正。为了在晶圆处沉积均匀的膜而载具具有在晶圆的旋转方向上周期性地变化的形状的情况下，若载具相对于晶圆的旋转方向的位置未对准，则对处理后的晶圆的品质造成不良影响。然而，上述现有技术中，关于俯视观察气相成长装置的情况下修正载具相对于晶圆的旋转方向的位置没有任何公开。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种气相成长装置，前述气相成长装置能够在俯视观察气相成长装置的情况下修正载具相对于晶圆的旋转方向的位置的偏离。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种气相成长装置，前述气相成长装置使用支承晶圆的环状的载具，在前述晶圆处形成CVD膜，其特征在于，具备装载锁定室，前述装载锁定室设置有支承前述载具的架，在前述载具和前述架处设置有修正机构，前述修正机构修正沿着前述晶圆的周向的前述载具的旋转方向的位置。2.如权利要求1所述的气相成长装置，其特征在于，前述修正机构包括限制前述载具的顺时针的旋转及逆时针的旋转的一对修正机构。3.如权利要求1或2所述的气相成长装置，其特征在于，前述修正机构包括俯视观察装置的情况下修正前述载具的上下方向及左右方向的位置的修正机构。4.如权利要求1至3中任一项所述的气相成长装置，其特征在于，前述修正机构包括设置于前述载具的第1卡合部和设置于前述架的第2卡合部。5.如权利要求4所述的气相成长装置，其特征在于，前述第2卡合部具备与前述第1卡合部卡合的卡合面、使前述载具相对于前述架相对地旋转的旋转面、确定前述载具相对于前述架的修正位置的定位面。6.如权利要求4所述的气相成长装置，其特征在于，前述第1卡合部具备与前述第2卡合部卡合的卡合面、使前述载具相对于前述架相对地旋转的旋转面、确定前述载具相对于前述架的修正位置的定位面。7.如权利要求5或6所述的气相成长装置，其特征在于，前述卡合面和前述旋转面是同一面。8.如权利要求1至...

【专利技术属性】
技术研发人员：南出由生，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：