配置为控制非易失性存储器件的控制器的操作方法和储存设备的操作方法技术

公开了一种控制器的操作方法，该控制器被配置为控制非易失性存储器件。该方法包括：从非易失性存储器件接收与包括在非易失性存储器件中的选定存储单元相关联的单元计数数据；基于单元计数数据来调整非易失性存储器件的操作参数；基于调整后的操作参数对选定存储单元执行谷值搜索操作；以及基于谷值搜索操作的结果对选定存储单元执行读操作。结果对选定存储单元执行读操作。结果对选定存储单元执行读操作。

【技术实现步骤摘要】
配置为控制非易失性存储器件的控制器的操作方法和储存设备的操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]2020年12月1日向韩国知识产权局提交的题为“配置为控制非易失性存储器件的控制器的操作方法和储存设备的操作方法”的韩国专利申请No.10
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2020
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0166010通过引用整体合并在此。


[0003]本文描述的实施例涉及半导体存储器，更具体地，涉及配置为控制非易失性存储器件的控制器的操作方法和储存设备的操作方法。

技术介绍

[0004]半导体存储器可以分类为：易失性存储器，其中存储的数据在断电时消失，例如静态随机存取存储器(SRAM)或动态随机存取存储器(DRAM)；或非易失性存储器，其中即使断电，存储的数据也会保留，例如闪存、相变RAM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)或铁电RAM(FRAM)。闪存广泛用作计算系统的大容量存储介质。

技术实现思路

[0005]实施例涉及一种控制器的操作方法，该控制器被配置为控制非易失性存储器件，该方法包括：本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种控制器的操作方法，所述控制器被配置为控制非易失性存储器件，所述方法包括：从所述非易失性存储器件接收与包括在所述非易失性存储器件中的选定存储单元相关联的单元计数数据；基于所述单元计数数据来调整所述非易失性存储器件的操作参数；基于调整后的操作参数对所述选定存储单元执行谷值搜索操作；以及基于所述谷值搜索操作的结果对所述选定存储单元执行读操作。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述操作参数包括在所述谷值搜索操作中使用的起始电平和偏移。3.根据权利要求1所述的方法，其中，从所述非易失性存储器件接收与包括在所述非易失性存储器件中的选定存储单元相关联的单元计数数据包括：向所述非易失性存储器件发送第一单元计数命令；以及从所述非易失性存储器件接收所述单元计数数据。4.根据权利要求1所述的方法，其中，基于所述单元计数数据来调整所述非易失性存储器件的操作参数包括：基于所述单元计数数据来检测所述选定存储单元的劣化状态；以及基于所述劣化状态来控制所述操作参数。5.根据权利要求4所述的方法，其中，当所述劣化状态指示电荷损失状态时，减小所述操作参数的起始电平，以及其中，当所述劣化状态指示电荷增益状态时，增大所述操作参数的起始电平。6.根据权利要求4所述的方法，其中，当所述劣化状态指示相邻编程状态之间的距离减小时，减小所述操作参数的偏移，以及其中，当所述劣化状态指示相邻编程状态之间的距离增大时，增大所述操作参数的偏移。7.根据权利要求4所述的方法，其中，基于所述劣化状态控制所述操作参数包括：基于所述劣化状态来调整所述操作参数；以及向所述非易失性存储器件发送包括调整后的操作参数的信息在内的设置特征命令。8.根据权利要求4所述的方法，其中，基于与所述选定存储单元相关联的读取计数、擦除计数、编程状态和单元类型中的至少一个以及所述单元计数数据，检测所述选定存储单元的劣化状态。9.根据权利要求8所述的方法，其中，基于机器学习或自适应算法来检测所述劣化状态。10.根据权利要求1所述的方法，其中，基于所述谷值搜索操作的结果对所述选定存储单元执行读操作包括：基于所述谷值搜索操作的结果来确定最优读电平；以及使用所述最优读电平对所述选定存储单元执行读操作。11.根据权利要求10所述的方法，其中，使用所述最优读电平对所述选定存储单元执行读操作包括：向所述非易失性存储器件发送包括所述最优读电平的信息在内的设置特征命令；
向所述非易失性存储器件发送与所述选定存储单元对应的地址以及读取命令；以及从所述非易失性存储器件接收使用所述最优读电平读取的数据。12.根据权利要求10所述的方法，还包括：在从所述非易失性存储器件接收与所述选定存储单元相关联的单元计数数据之前，使用多个读电压对所述选定存储单元执行读操作；以及使用所述多个读电压来校正由所述读操作读取的数据的错误。13.一种储存设备的操作方法，所述储存设备包括非易失性存储器件和控制器，所述方法包括：由所述控制器向所述非易失性存储器...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳尚辰，李允宑，李熙元，李侊祐，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：