半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，抑制薄膜晶体管的占用面积并提高半导体装置的可靠性。半导体装置在各像素中具有薄膜晶体管。所述薄膜晶体管具有：氧化物半导体层；栅极绝缘层；隔着所述栅极绝缘层与所述氧化物半导体层重叠的栅极电极；与所述氧化物半导体层接触的源极电极；与所述氧化物半导体层接触的漏极电极；和与所述氧化物半导体层接触，并且以横穿所述氧化物半导体层的方式配置在所述源极电极与所述漏极电极之间的n(n为自然数)个金属层，在俯视时，所述氧化物半导体层在所述源极电极与所述漏极电极之间具有(n+1)个沟道区域。述漏极电极之间具有(n+1)个沟道区域。述漏极电极之间具有(n+1)个沟道区域。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术的一个实施方式涉及在各像素中具有薄膜晶体管的半导体装置。特别地，本专利技术涉及具有使用氧化物半导体的薄膜晶体管的显示装置。

技术介绍

[0002]近年来，作为电视机、移动终端等的显示器，通常使用液晶显示装置和有机发光二极管(OLED)显示装置。这些显示装置在显示部具有多个像素，通过薄膜晶体管执行各像素的明状态和暗状态的控制。因此，当在薄膜晶体管中产生短路等缺陷时，具有该薄膜晶体管的像素始终成为明状态或暗状态，存在无法作为像素正常地发挥功能的问题。
[0003]对于这样的问题，开发了通过对薄膜晶体管赋予冗余性来使像素正常地发挥功能的技术。例如，在专利文献1中公开了在源极总线与像素电极之间串联连接有2个薄膜晶体管的像素结构。根据该像素结构，即使一个薄膜晶体管因短路等而发生了故障，只要另一个薄膜晶体管正常地动作，就能够作为像素维持正常的动作。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特许第2834756号公报。
专利技术内容
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在各像素中具有薄膜晶体管的半导体装置，其特征在于，所述薄膜晶体管具有：氧化物半导体层；栅极绝缘层；隔着所述栅极绝缘层与所述氧化物半导体层重叠的栅极电极；与所述氧化物半导体层接触的源极电极；与所述氧化物半导体层接触的漏极电极；和与所述氧化物半导体层接触，并且以横穿所述氧化物半导体层的方式配置在所述源极电极与所述漏极电极之间的n个金属层，其中，n为自然数，在俯视时，所述氧化物半导体层在所述源极电极与所述漏极电极之间具有(n+1)个沟道区域。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：在所述n为1的情况下，在俯视时，所述氧化物半导体层在所述源极电极与所述金属层之间具有第1沟道区域，在所述漏极电极与所述金属层之间具有第2沟道区域。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：花田明纮，海东拓生，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：