非易失性存储器设备及对其编程的方法技术

技术编号:33701636 阅读:32 留言:0更新日期:2022-06-06 08:12
一种操作执行多个存储器单元的多个编程循环的存储器设备的方法包括施加多个编程循环之中的第一编程循环的第一编程脉冲和第一验证脉冲,通过使用基于第一验证脉冲的输出对第一关闭单元计数进行计数,使用第一关闭单元计数确定第一验证跳过时段,响应于第一验证跳过时段的结束施加第N编程脉冲和多个验证脉冲,通过使用基于多个验证脉冲的输出对第二关闭单元计数进行计数,以及使用第二关闭单元计数确定第二验证跳过时段。数确定第二验证跳过时段。数确定第二验证跳过时段。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器设备及对其编程的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年12月1日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10

2020

0166003号的优先权,其公开内容通过引用整体并入本文。


[0003]本专利技术构思的实施例涉及一种对非易失性存储器设备进行编程的方法。

技术介绍

[0004]半导体存储器设备可以被分类为易失性存储器和非易失性存储器,所述易失性存储器如动态随机存取存储器(DRAM)或静态RAM(SRAM),所述非易失性存储器如电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、铁电RAM(FRAM)、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)或闪存。当电源被切断时,易失性存储器设备丢失其中存储的数据,而非易失性存储器设备即使在电源被切断时也保留存储在其中的数据。
[0005]使用非易失性存储器的设备包括例如MP3播放器、数码相机、移动电话、便携式摄像机、闪卡和固态盘(SSD)。随着使用非易失性存储器作为存储设备的设备的数量增加,非易失性存储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种操作执行多个存储器单元的多个编程循环的存储器设备的方法,所述方法包括:施加多个编程循环之中的第一编程循环的第一编程脉冲和第一验证脉冲;通过使用基于第一验证脉冲的输出对第一关闭单元计数进行计数;使用第一关闭单元计数确定第一验证跳过时段;响应于第一验证跳过时段的结束,施加第N编程脉冲和多个验证脉冲;通过使用基于多个验证脉冲的输出对第二关闭单元计数进行计数;以及使用第二关闭单元计数确定第二验证跳过时段。2.如权利要求1所述的方法,其中,第一验证跳过时段包括至少一个循环并且对应于其中仅施加顺序地增加与步进电压一样多的多个编程脉冲的时段,第一验证跳过时段的长度与第一关闭单元计数成反比,第二验证跳过时段包括至少一个循环并且对应于其中施加多个验证脉冲以及顺序地增加与步进电压一样多的多个编程脉冲的时段,多个验证脉冲包括用于多个编程状态之中除完成的编程状态之外的剩余编程状态的验证脉冲,以及第二验证跳过时段的长度与第二关闭单元计数成反比。3.如权利要求1所述的方法,还包括:基于第二关闭单元计数绕过第二验证跳过时段的确定;以及基于第二关闭单元计数,增加用于除第一验证跳过时段之外的剩余编程循环的步进电压。4.如权利要求1所述的方法,其中,所述多个存储器单元连接到第一串选择线,以及其中,所述方法还包括:加载第一关闭单元计数;以及将第一编程循环的第一编程脉冲和第一验证脉冲施加到包括在除第一串选择线之外的串选择线中的存储器单元,以及基于第一关闭单元计数将电压偏移添加到第一编程脉冲的幅值。5.如权利要求1所述的方法,还包括:响应于所述多个编程循环的终止,重新编程以再次执行所述多个编程循环,其中,重新编程还包括:加载第一关闭单元计数;使用第一关闭单元计数确定电压偏移的幅值;以及施加第一编程循环的第一编程脉冲和第一验证脉冲,以及其中,电压偏移被添加到第一编程脉冲的幅值。6.如权利要求1所述的方法,其中,所述多个存储器单元各自对应于多级单元、三级单元或四级单元中的至少一个。7.如权利要求1所述的方法,还包括:从查找表中加载编程/擦除周期信息、温度信息或编程顺序信息中的至少一个;以及基于第一关闭单元计数,第二关闭单元计数,以及加载的编程/擦除周期信息、温度信息或编程顺序信息中的至少一个,确定第一验证跳过时段和第二验证跳过时段。
8.一种存储器设备,包括:存储器单元阵列,包括多个存储器单元;以及控制逻辑电路,被配置为执行多个存储器单元的多个编程循环,其中,控制逻辑电路包括:关闭单元计数电路,被配置为基于至少一个验证脉冲识别关闭单元的数量;验证跳过时段管理器电路,被配置为基于关闭单元的数量或临界值确定验证跳过时段的长度;以及步进电压管理器电路,被配置为基于关闭单元的数量确定用于多个编程循环的步进电压的幅值。9.如权利要求8所述的存储器设备,其中,控制逻辑电路在所述多个编程循环中的第一编程循环中施加第一编程脉冲和第一验证脉冲,通过使用基于第一验证脉冲的输出对第一关闭单元的数量进行计数,基于第一关闭单元的数量确定第一验证跳过时段,响应于第一验证跳过时段的终止而施加第N编程脉冲和多个验证脉冲,通过使用基于多个验证脉冲的输出对第二关闭单元的数量进行计数,以及基于第二关闭单元的数量确定第二验证跳过时段。10.如权利要求9所述的存储器设备,其中,控制逻辑电路被配置为基于第二关闭单元的数量绕过第二验证跳过时段的确定,以及基于第二关闭单元的数量增加用于多个编程循环之中除第一验证跳过时段之外的编程循环的步进电压电平。11.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴志胤尹盛远尹铉竣郑原宅
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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