【技术实现步骤摘要】
使用单脉冲智能校验的存储器设备和操作方法
[0001]本申请涉及非易失性存储器设备和非易失性存储器设备的操作。
技术介绍
[0002]本章节提供关于与本公开相关联的技术的背景信息，且因此不一定是现有技术。
[0003]半导体存储器在各种电子装置中使用。举例来说，非易失性半导体存储器用于蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、移动计算装置、非移动计算装置和其它装置中。电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和快闪存储器属于最流行的非易失性半导体存储器。
[0004]一些非易失性存储器利用定位于半导体衬底上方且与半导体衬底中的沟道区绝缘的浮动栅极。浮动栅极定位于源极区和漏极区之间。控制栅极设置于浮动栅极上方且与浮动栅极绝缘。晶体管的阈值电压由保持在浮动栅极上的循环条件电荷量控制。也就是说，在晶体管接通之前必须施加到控制栅极以允许其源极和漏极之间的传导的最小电压量由浮动栅极上的电荷电平控制。
[0005]一些非易失性存储器利用电荷捕集层来存储信息。一个此类实例具有氧化物
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氮化物
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：存储器单元块，所述存储器单元中的每一个连接到多个字线中的一个并布置成串，且被配置成将阈值电压保持在限定阈值窗口的共同阈值电压范围内；控制电路，其耦合到所述多个字线和所述串且被配置成：确定具有第一编程电压的编程操作的第一编程脉冲之后所述存储器单元的所述阈值电压的分布的编程低尾电压，所述编程低尾电压对应于所述存储器单元的循环条件，以及基于所述编程低尾电压计算所述编程操作的第二编程脉冲的第二编程电压，且施加到与所述存储器单元相关联的所述多个字线中的所选者中的每一个来对所述存储器单元进行编程，使得所述存储器单元的所述阈值电压的所述分布具有所要编程低尾电压，而无进一步编程脉冲。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制电路进一步被配置成：在感测所述串中的选定一个是否传导电流的同时将至少一个校验电压脉冲施加到与所述存储器单元相关联的所述多个字线中的所述所选者中的至少一个，且在所述第一编程脉冲之后对至少一个校验操作期间传导电流的所述串中的所述选定一个的所述存储器单元的至少一个传导数量进行计数，以及基于所述至少一个校验操作期间传导电流的所述串中的所述选定一个的所述存储器单元的所述至少一个传导数量与多个传导数量阈值中的一个的比较来确定所述编程低尾电压。3.根据权利要求2所述的设备，其中所述至少一个校验操作包含第一校验操作和第二校验操作，且所述至少一个传导数量包含与所述第一校验操作相关联的第一传导数量和与所述第二校验操作相关联的第二传导数量，且所述控制电路进一步被配置成：在所述第一校验操作中将第一校验电压的第一校验脉冲施加到与所述存储器单元相关联的所述多个字线中的所述所选者中的所述至少一个，在等待多个感测时间中的每一个之后施加所述第一校验脉冲的同时感测所述串中的所述选定一个是否传导电流，且对所述第一校验操作期间传导电流的所述串中的所述选定一个的所述存储器单元的所述第一传导数量进行计数和保存，以递归方式确定所述第一校验操作期间传导电流的所述串中的所述选定一个的所述存储器单元的所述第一传导数量是否小于所述多个传导数量阈值中的一个，响应于所述第一校验操作期间传导电流的所述串中的所述选定一个的所述存储器单元的所述第一传导数量小于所有所述多个传导数量阈值而将多个校验偏移电压中的一个相加到所述第一校验电压以确定第二校验电压，响应于所述第一校验操作期间传导电流的所述串中的所述选定一个的所述存储器单元的所述第一传导数量不小于所有所述多个传导数量阈值，以递归方式确定所述第一校验操作期间传导电流的所述串中的所述选定一个的所述存储器单元的所述第一传导数量是否大于所述多个传导数量阈值中的一个，响应于所述第一校验操作期间传导电流的所述串中的所述选定一个的所述存储器单元的所述第一传导数量大于所有所述多个传导数量阈值而从所述第一校验电压减去所述多个校验偏移电压中的所述一个以确定所述第二校验电压，在所述第二校验操作期间将所述第二校验电压的第二校验脉冲施加到与所述存储器
单元相关联的所述多个字线中的所述所选者中的至少一个，在等待所述多个感测时间中的每一个之后施加所述第二校验脉冲的同时感测所述串中的所述选定一个是否传导电流，且对所述第二校验操作期间传导电流的所述串中的所述选定一个的所述存储器单元的所述第二传导数量进行计数和保存，以递归方式确定所述第二校验操作期间传导电流的所述串中的所述选定一个的所述存储器单元的所述第二传导数量是否小于所述多个传导数量阈值中的一个，响应于所述第一校验操作期间传导电流的所述串中的所述选定一个的所述存储器单元的所述第二传导数量不小于所有所述多个传导数量阈值，以递归方式确定所述第二校验操作期间传导电流的所述串中的所述选定一个的所述存储器单元的所述第二传导数量是否大于所述多个传导数量阈值中的一个，基于响应于所述第一校验操作期间传导电流的所述串中的所述选定一个的所述存储器单元的所述第二传导数量并非大于所有所述多个传导数量阈值而以递归方式确定所述第一校验操作和所述第二校验操作中的至少一个期间传导电流的所述串中的所述选定一个的所述存储器单元的所述第一传导数量和所述第二传导数量中的至少一个是否小于或大于所述多个传导数量阈值中的所述一个，来选择多个差量编程电压中的一个。4.根据权利要求3所述的设备，其中所述控制电路进一步被配置成：响应于接收到起始所述编程操作的编程命令确定是否已存在块跳跃，响应于确定尚不存在块跳跃而确定与所述存储器单元相关联的所述多个字线中的所述所选者中的所述至少一个是否为所述串的第一串中的区的第一逻辑字线，响应于确定已存在块跳跃或确定与所述存储器单元相关联的所述多个字线中的所述所选者中的所述至少一个是所述串的所述第一串中的所述区的所述第一逻辑字线，开始所述编程操作，响应于基于所述以递归方式确定所述第一校验操作和所述第二校验操作中的所述至少一个期间传导电流的所述串中的所述选定一个的所述存储器单元的所述第一传导数量和所述第二传导数量中的所述至少一个是否小于或大于所述多个传导数量阈值中的所述一个而选择所述多个差量编程电压中的所述一个，来将所述多个差量编程电压中的所述一个相加到所述第一编程电压以计算所述第二编程脉冲的所述第二编程电压，将具有所述第二编程电压的所述第二编程脉冲施加到与所述存储器单元相关联的所述多个字线中的所选者中的所述每一个来编程所述存储器单元，在最终校验操作中将至少一个最终校验脉冲施加到与所述存储器单元相关联的所述多个字线中的所述所选者中的所述至少一个，在等待至少一个感测时间之后施加所述至少一个最终校验脉冲的同时感测所述串中的所述选定一个是否传导电流，且对所述最终校验操作期间传导电流的所述串中的所述选定一个的所述存储器单元的最终传导数量进行计数和保存，确定所述最终校验操作期间传导电流的所述串中的所述选定一个的所述存储器单元的所述最终传导数量是否小于或大于最终传导数量阈值，响应于确定所述最终校验操作期间传导电流的所述串中的所述选定一个的所述存储器单元的所述最终传导数量不小于或大于所述最终传导数量阈值而将后续差量编程电压相加到所述第一编程电压以计算后续编程脉冲的后续编程电压，
将具有所述后续编程电压的所述后续编程脉冲施加到与所述存储器单元相关联的所述多个字线中的所选者中的所述至少一个以编程所述存储器单元，且返回到所述最终校验操作，以及重复所述施加所述后续编程脉冲和所述最终校验操作直至所述存储器单元的所述阈值电压的所述分布具有所述所要编程低尾电压。5.根据权利要求3所述的设备，其中所述多个感测时间包含第一感测时间和第二感测时间，且所述控制电路进一步被配置成选择所述第一编程电压使得所述编程低尾电压是低于所述所要编程低尾电压的预定间隔电压。6.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一编程电压为至少15.5伏。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个字线分组为多个层次，且所述控制电路进一步被配置成：选择一定量的所述多个层次用于将所述至少一个校验电压脉冲施加到与选定的所述量的所述多个层次相关联的所述多个字线并感测所述串中的所述选定一个是否传导电流，且在所述第一编程脉冲之后对所述至少一个校验操作期间传导电流的所述串中的所述选定一个的所述存储器单元的至少一个传导数量进行计数，以及基于所述至少一个校验操作期间传导电流的所述串中的所述选定一个的所述存储器单元的所述至少一个传导数量确定所述编程低尾电压，所述存储器单元的所述至少一个传导数量取决于选定的所述量的所述多个层次。8.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制电路包含编程电压寄存器，且所述多个字线分组为字线区，且所述控制电路进一步被配置成在另一编程操作中编程连接到所述字线区中的一个内的所述多个字线的所选者中的每一个的存储器单元和所述存储器单元块的所述串中的其它串的存储器单元时，将等于所述第一编程电压加上所述第二编程电压的结束编程电压存储在所述编程电压寄存器中以施加到所述多个字线中的所述所选者中的每一个。9.一种与包含存储器单元块的存储器设备通信的控制器，所述存储器单元中的每一个连接到多个字线中的一个且布置成串，且被配置成将阈值电压保持在限定阈值窗口的共同阈值电压范围内，所述控制器被配置成：确定具有第一编程电压的编程操作的第一编程脉冲之后所述存储器单元的所述阈值电压的分布的编程低尾电压，所述编程低尾电压对应于所述存储器单元的循环条件；以及基于所述编程低尾电压计算所述编程操作的第二编程脉冲的第二编程电压，且指示所述存储器设备施加到与所述存储器单元相关联的所述多个字线中的所选者中的每一个来对所述存储器单元进行编程，使得所述存储器单元的所述阈值电压的所述分布具有所要编程低尾电压，而无进一步编程脉冲。10.根据权利要求9所述的控制器，其中所述控制器进一步被配置成：指示所述存储器设备在感测所述串中的选定一个是否传导电流的同时将至少一个校验电压脉冲施加到与所述存储器单元相关联的所述多个字线中的所述所选者中的至少一个，且在所述第一编程脉冲之后对至少一个校验操作期间传导电流的所述串中的所述选定一个的所述存储器单元的至少一个传导数量进行计数；以及基于所述至少一个校验操作期间传导电流的所述串中的所述选定一个的所述存储器
单元的所述至少一个传导数量与多个传导数量阈值中的一个的比较来确定所述编程低尾电压。11.根据权利要求10所述的控制器，其中所述至少一个校验操作包含第一校验操作和第二校验操作，且所述至少一个传导数量包含与所述第一校验操作相关联的第一传导数量和与所述第二校验操作相关联的第二传导数量，且所述控制器进一步被配置成：指示所述存储器设备在所述第一校验操作中将第一校验电压的第一校验脉冲施加到与所述存储器单元相关联的所述多个字线中的所述所选者中的所述至少一个；指示所述存储器设备在等待多个感测时间中的每一个之后施加所述第一校验脉冲的同时感测所述串中的所述选定一个是否传导电流，且对所述第一校验操作期间传导电流的所述串中的所述选定一个的所述存储器单元的所述第一传导数量进行计数和保存；以递归方式确定所述第一校验操作期间传导电流的所述串中的所述选定一个的所述存储器单元的所述第一传导数量是否小于所述多个传导数量阈值中的一个；响应于所述第一校验操作期间传导电流的所述串中的所述选定一个的所述存储器单元的所述第一传导数量小于所有所述多个传导数量阈值而将多个校验偏移电压中的一个相加到所述第一校验电压以确定第二校验电压；响应于所述第一校验操作期间传导电流的所述串中的所述选定一个的所述存储器单元的所述第一传导数量不小于所有所述多个传导数量阈值，以递归方式确定所述第一校验操作期间传导电流的所述串中的所述选定一个的所述存储器单元的所述第一传导数量是否大于所述多个传导数量阈值中的一个；响应于所述第一校验操作期间传导电流的所述串中的所述选定一个的所述存储器单元的所述第一传导数量大于所有所述多个传导数量阈值而从所述第一校验电压减去所述多个校验偏移电压中的所述一个以确定所述第二校验电压；指示所述存储器设备在所述第二校验操作期间将所述第二校验电压的第二校验脉冲施加到与所述存储器单元相关联的所述多个字线中的所述所选者中的至少一个；指示所述存储器设备在等待所述多个感测时间中的每一个之后施加所述第二校验脉冲的同时感测所述串中的所述选定一个是否传导电流，且对所述第二校验操作期间传导电流的所述串中的所述选...
【专利技术属性】
技术研发人员：X，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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