具有衰减器的波导制造技术

本公开涉及一种具有衰减器的波导。本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及具有衰减器的波导结构及其制造方法。该结构包括：波导结构，其包括半导体材料；衰减器，其位于波导结构下方；气隙结构，其位于波导结构和衰减器下方并与波导结构和衰减器竖直对准；以及浅沟槽隔离结构，其位于波导结构的侧面并与气隙结构合并。并。并。

【技术实现步骤摘要】
具有衰减器的波导


[0001]本公开涉及半导体结构，更具体地说，涉及具有衰减器的波导结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体光波导结构(例如，光子部件)是集成的光电子系统的重要部件。例如，半导体光波导结构能够通过限制光向周围衬底中的扩展来引导具有最小能量损失的光波(例如，光)。光波导结构可以用于许多不同的应用中，包括例如半导体激光器、光学滤波器、开关、调制器、隔离器和光电检测器。半导体材料的使用还使得能够使用已知的制造技术将整体(monolithic)集成到光电子器件中。
[0003]光子器件的打开或未连接的端口或者其他端点可能导致光信号的泄漏或背散射(backscatter)到芯片中。这也可能引起与其他光子器件的串扰以及对光信号的整体干扰。为了防止此类问题的发生，吸收器耦合到光子器件的打开或未连接的端口或者其他端点。Ge是光子器件制造中常用的吸收器材料，它很容易集成到光子器件的制造过程中。

技术实现思路

[0004]在本公开的方面，一种结构包括：波导结构，其包括半导体材料；衰减器，其位于所述波导结构下方；气隙结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种结构，包括：波导结构，其包括半导体材料；衰减器，其位于所述波导结构下方；气隙结构，其位于所述波导结构和所述衰减器下方并与所述波导结构和所述衰减器竖直对准；以及浅沟槽隔离结构，其位于所述波导结构的侧面并与所述气隙结构合并。2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述衰减器包括Ge材料，并且所述半导体材料为Si材料。3.根据权利要求2所述的结构，其中，Ge材料密封所述气隙结构。4.根据权利要求2所述的结构，其中，所述Ge材料位于所述气隙结构上方的沟槽内。5.根据权利要求1所述的结构，其中，所述浅沟槽隔离结构包括电介质材料，所述电介质材料还对所述气隙结构加衬。6.根据权利要求1所述的结构，其中，所述气隙结构包括大于1:1的纵横比。7.根据权利要求1所述的结构，其中，所述衰减器包括大于1:1的纵横比。8.根据权利要求1所述的结构，其中，所述气隙结构被Si和SiGe材料密封。9.根据权利要求1所述的结构，还包括标记层，所述标记层包括与所述衰减器相同的材料，所述标记层形成在体衬底上。10.根据权利要求1所述的结构，其中，所述衰减器和所述波导结构位于体衬底上。11.一种结构，包括：波导结构，其位于体衬底上并且包括第一半导体材料；衰减器，其位于所述波导结构下方并与所述波导结构竖直对准，所述衰减器包括不同于所述第一半导体材料的...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：