温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开涉及一种具有衰减器的波导。本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及具有衰减器的波导结构及其制造方法。该结构包括：波导结构，其包括半导体材料；衰减器，其位于波导结构下方；气隙结构，其位于波导结构和衰减器下方并与波导结构和衰减器竖直对准；以及...
该专利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯（美国）集成电路科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。