电容式压力传感器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种电容式压力传感器及其制造方法。所述电容式压力传感器，包括基板、硅层、氧化层、第一氮化硅层与第二氮化硅层。氧化层设置于基板与硅层之间。硅层具有多个孔洞。氧化层具有一开口，以使氧化层与硅层构成一空腔。第一氮化硅层填入每个孔洞中，以密封所述空腔。第二氮化硅层则介于第一氮化硅层与硅层的外缘之间以及介于第一氮化硅层与氧化层的外缘之间，且所述第二氮化硅层的厚度小于第一氮化硅层的厚度。氮化硅层的厚度。氮化硅层的厚度。

【技术实现步骤摘要】
电容式压力传感器及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种压力传感器技术，且特别是涉及一种电容式压力传感器及其制造方法。

技术介绍

[0002]压力传感原理及方法有许多种类，因应用范围不同而有不同的设计方法及考量，各种方法皆有其优缺点，目前市面上商用的压力传感器，依其传感原理常见的可分为三种：电容式(capacitive)、电阻式(piezoresistive)以及压电式(piezoelectric)。
[0003]目前已有使用绝缘层上覆硅(SOI)基板制作的电容式压力传感器，可利用半导体工艺技术制作出精密的压力传感器。然而，因为工艺窗口(process window)小，所以容易发生如氧化物残留导致的传感器空腔体积变小，而影响传感精确度的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术是提供一种电容式压力传感器，在传感器空腔内无残留物，进而改善传感精确度。
[0005]本专利技术另提供一种电容式压力传感器的制造方法，能扩大工艺窗口，确保传感器的空腔体积。
[0006]根据本专利技术的一实施例，电容式压力传本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容式压力传感器，其特征在于，包括：基板，具有传感区域；硅层，形成于所述基板上方，且所述硅层具有多个孔洞分布于所述传感区域内；氧化层，设置于所述基板与所述硅层之间，所述氧化层的外缘大于所述硅层的外缘，且于所述传感区域内的所述氧化层具有一开口，以在所述基板上由所述氧化层与所述硅层构成一空腔；第一氮化硅层，覆盖所述传感区域外的所述硅层与所述氧化层，且所述第一氮化硅层填入每个所述孔洞中，以密封所述空腔；以及第二氮化硅层，介于所述第一氮化硅层与所述硅层的所述外缘之间以及介于所述第一氮化硅层与所述氧化层的所述外缘之间，且所述第二氮化硅层的厚度小于所述第一氮化硅层的厚度。2.根据权利要求1所述的电容式压力传感器，其特征在于，所述第一氮化硅层更延伸出每个所述孔洞，而覆盖每个所述孔洞的洞口周缘，且所述第二氮化硅层位于每个所述孔洞的所述洞口周缘与所述第一氮化硅层之间。3.一种电容式压力传感器的制造方法，其特征在于，包括：提供基板，所述基板具有传感区域；在所述基板上依序形成氧化层与硅层，其中所述氧化层的外缘大于所述硅层的外缘；利用低压化学气相沉积在所述基板上全面地沉积第二氮化硅层；在所述第二氮化硅层中形成多个孔洞，露出所述传感区域内的所述硅层；以所述第二氮化硅层作为掩膜，蚀刻露出的所述硅层，直到露出所述传感区域内的所述氧化层，以将所述多个孔洞图案移转到所述硅层；通过所述硅层的所述多个孔洞去除所述氧化层，以在所述基板上形成一空腔；在所述基板上全面地沉积...

【专利技术属性】
技术研发人员：何昆政，陈旷举，刘汉英，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：