异质结太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池制造技术领域。包括晶硅衬底，晶硅衬底正面依次沉积有正面本征非晶硅层、N型掺杂层、正面TCO层和正面金属电极；晶硅衬底背面依次沉积有背面本征非晶硅层、P型掺杂层、背面TCO层和背面金属电极，正面金属电极中的细栅电极和未被金属电极遮挡的正面TCO层上覆盖含有下转换荧光材料的功能性薄膜。通过引入含有下转换荧光材料的功能性薄膜，可以将太阳能电池不能利用的短波区的光子转换为与其光谱响应相匹配的光子能量，即吸收400nm以下的光子，转换为400

【技术实现步骤摘要】
异质结太阳能电池及其制备方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池制造
，尤其涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着世界能源需求的日益增长，碳排放问题的加剧，清洁能源体系的开发迫在眉睫。太阳能电池技术作为最具潜力的新能源技术，近年来被广泛研究。其中，硅基太阳能电池因效率优势，在光伏行业的应用规模和工业量产中占主导地位。既PERC（背钝化接触电池）电池技术之后，HJT（硅基异质结电池）、TopCON（隧穿氧化层钝化接触）、IBC（指叉型背接触电池）被认为是当前最具潜力的三大高效电池技术。截至2022年03月，出具效率认证报告的所有电池技术中，IBC电池技术的最高效率为26.6%，HJT电池技术的最高效率为26.30%，TopCON电池技术的最高效率为26.00%，但是目前具备产业化能力的的硅基太阳能电池效率普遍低于25%，而纯晶硅电池的理论效率极限为29.4%，实际量产效率与理论结果的差距，说明量产的电池技术仍然还有很大的可优化空间。
[0003]对于上述晶硅电池来说，光电转换效率在电池生产和应用的过程中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括晶硅衬底（1），所述晶硅衬底（1）正面依次沉积有正面本征非晶硅层（2）、N型掺杂层（3）、正面TCO层（4）和正面金属电极（5）；所述晶硅衬底（1）背面依次沉积有背面本征非晶硅层（6）、P型掺杂层（7）、背面TCO层（8）和背面金属电极（9），所述正面金属电极（5）中的细栅电极和未被金属电极遮挡的正面TCO层（4）上覆盖功能性薄膜（10），所述功能性薄膜（10）中含有下转换荧光材料。2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述正面本征非晶硅层（2）和背面本征非晶硅层（6）的厚度均为3
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15nm，为非晶硅、微晶硅、纳米晶硅、非晶/微晶硅碳、非晶/微晶硅氧材料中的一种或者至少两种的复合膜层。3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述N型掺杂层（3）和P型掺杂层（7）的厚度均为5
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25nm，为掺杂型的非晶硅、微晶硅、纳米晶硅、非晶/微晶硅碳、非晶/微晶硅氧材料中的一种或者至少两种的复合膜层；或者为非晶硅、微晶硅、纳米晶硅、非晶/微晶硅碳、非晶/微晶硅氧材料中的一种与非掺杂材料的混合膜层。4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述正面TCO层（4）和背面TCO层（8）为包含TCO薄膜的混合膜层，所述TCO薄膜为掺杂的氧化锌、掺杂的氧化铟、FTO中的一种或者至少两种的复合膜层。5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述正面金属电极（5）和背面金属电极（9）为银电极、铜电极、银铜电极或铝电极；正面金属电极（5）位于异质结太阳能电池的入光面上，包括细栅电极和主栅电极，或细栅电极和细栅连接点。6.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述功能性薄膜（10）的原料为胶体、液体、溶胶或凝胶，主体为PMMA、EVA...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍少娟，王继磊，杨立友，黄金，白焱辉，任法渊，杨骥，杨文亮，
申请(专利权)人：晋能清洁能源科技股份公司，
类型：发明
国别省市：