一种等离子处理氧化镓基日盲紫外探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种等离子处理氧化镓基日盲紫外探测器及其制备方法包括衬底、氧化镓薄膜、等离子处理界面层和电极；所述衬底为蓝宝石，所述等离子体处理界面层是采用等离子体对所述氧化镓薄膜进行表面处理后形成，所述等离子体处理界面层上设置有金属的电极，通过等离子体进行薄膜的表面处理，有效降低氧化镓薄膜中的空位缺陷，提高了界面质量，极大地提高紫外探测器的光电性能。本发明专利技术的优点：所制备的氧化镓基紫外探测器性能稳定，可实现对波长小于280nm的日盲紫外光的有效探测，具有高灵敏度和响应速度，暗电流小等诸多优势，特别合适在高压变电系统、高压输电线路等各种恶劣环境下的电晕检测应用。下的电晕检测应用。下的电晕检测应用。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子处理氧化镓基日盲紫外探测器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及光电探测
,具体涉及到一种等离子体处理氧化镓基日盲紫外探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]透明导电氧化物β
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Ga2O3是一种新型的宽禁带半导体，室温下其禁带宽度约为4.9eV，击穿电场强度为8MV/cm。β
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Ga2O3具有优异的化学和热稳定性以及高的紫外可见光透过率，同时通过掺杂容易获得良好的n型导电，可以同时满足透明导电电极所需的良好电导率和高光学透过率的要求，并在日盲光电探测器领域有着广泛的应用，尤其是在高压电晕检测领域，选择在日盲波段进行电晕放电的检测，可得到准确、理想的探测效果。目前，氧化镓基日盲光电探测器，由于薄膜内部往往存在着较多的氧空位等缺陷和薄膜表面存在较多的表面态(氧空位多而引起)，易与Ti电极构成Ohmic接触，这些因素都大大降低了光电探测器的光电性能，如光暗比低，响应速度慢等。
[0003]等离子体是除固体，液体和气体之外的一种更高能量的第四种物质状态，由电子、离子、分子、自由基、光子和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子处理氧化镓基日盲紫外探测器，其特征在于，包括衬底(1)、氧化镓薄膜(2)、等离子处理界面层(3)和电极(4)；所述衬底(1)为蓝宝石，所述等离子体处理界面层(3)是采用等离子体对所述氧化镓薄膜(2)进行表面处理后形成，所述等离子体处理界面层(3)上设置有金属的电极(4)。2.根据权利要求1所述的一种等离子处理氧化镓基日盲紫外探测器，其特征在于，所述氧化镓薄膜(2)为非晶氧化镓薄膜和结晶氧化镓薄膜中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的一种等离子处理氧化镓基日盲紫外探测器，其特征在于，所述电极(4)的材料为Au、Ag、Ti、Pt、In、Al、Ni和ITO中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的一种等离子处理氧化镓基日盲紫外探测器，其特征在于，所述等离子体处理界面层(3)是采用等离子体对所述氧化镓薄膜(2)进行改性处理后得到的。5.根据权利要求1所述的一种等离子处理氧化镓基日盲紫外探测器，其特征在于，所述等离子体的气源为O2、Ar、N2、H2、SiCl4、HCl、Cl2中的任意一种或多种组合。6.根据权利要求1所述的一种等离子处理氧化镓基日盲紫外探测器，其特征在于，所述等离子体对所述氧化镓薄膜(2)进行改性处理的等离子体气源的流量为1sccm～200sccm，射频功率为0W～300W，等离子体处理时间为1min
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100min，处理温度为0℃～...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵天丽，阮迪清，胡海争，邢志文，钱松程，郭道友，王顺利，
申请(专利权)人：浙江理工大学，
类型：发明
国别省市：