太阳能电池正面钝化膜层制造技术

本实用新型专利技术提供了太阳能电池正面钝化膜层，所述太阳能电池正面钝化膜层包括硅基底，所述硅基底的表面依次层叠有第一氮化硅层、第二氮化硅层和氮氧化硅层，所述第一氮化硅层、第二氮化硅层和氮氧化硅层的折射率逐级降低；所述氮氧化硅层的厚度为40～60nm。本实用新型专利技术提供的太阳能电池正面钝化膜层，在氮氧化硅膜层厚度较大的情况下，不仅能够保证优异的钝化效果，还可以降低太阳能电池正面钝化膜层反射率，从而降低电池和组件的光学反射率。此外，采用本实用新型专利技术中的太阳能电池正面钝化膜层制备得到的电池和组件颜色更深且更加均匀，吸收阳光的效率更高，从而电池和组件的效率及功率更高。更高。更高。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池正面钝化膜层


[0001]本技术属于太阳能电池生产制造
，尤其涉及太阳能电池正面钝化膜层。

技术介绍

[0002]太阳能电池在发电领域具有巨大潜力，而采用晶体硅制造的太阳能电池是未来几年光伏行业的主流技术。在规模生产中常采用在硅片表面沉积减反射膜的方式来增加光的利用率，进而提升电池转化效率。其中，采用等离子体增强化学的气相沉积法(PECVD)技术制备得到的膜层均匀性好，致密性高，并且可以通过调节特气类型及流量等制备出不同的膜层结构，是太阳能电池制备过程中采用的主要镀膜方式。
[0003]大多数的太阳能电池正面钝化膜层均采用氮化硅膜层，氮化硅膜层具有良好的介电特性(介电常数低、损耗低)、高绝缘性和高致密性的氮化硅，对杂质离子有很好的阻挡能力，然而氮化硅膜层的光学反射率较高，很难将其降至2.0以下，并且氮化硅膜层与硅基底结合界面态高和消光特性可能会限制电池效率的进一步提升。目前，氮氧化硅膜层在太阳能电池中的应用可以降低氮化硅膜层的光学反射率，但是其钝化效果较差，从而限制氮氧化硅膜层的厚度的增大。
[0004]CN10本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池正面钝化膜层，其特征在于，所述太阳能电池正面钝化膜层包括硅基底，所述硅基底的表面依次层叠有第一氮化硅层、第二氮化硅层和氮氧化硅层，所述第一氮化硅层、第二氮化硅层和氮氧化硅层的折射率逐级降低；所述氮氧化硅层的厚度为40～60nm。2.根据权利要求1所述的太阳能电池正面钝化膜层，其特征在于，所述氮氧化硅层的折射率为1.4～1.9。3.根据权利要求1所述的太阳能电池正面钝化膜层，其特征在于，所述第一氮化硅层的折射率为2.15～2.4。4.根据权利要求1所述的太阳能电池正面钝化膜层，其特征在于，所述第二氮化硅层的折射率为1.98～2.2。5.根据权利要求1所述的太阳能电池正面钝化膜层，其特征在于，所述第一氮化硅层的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：左景武，陆玉刚，常永胜，卓启东，张岩焱，赫权贵，陈红，李汉诚，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：新型
国别省市：