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本实用新型提供了太阳能电池正面钝化膜层，所述太阳能电池正面钝化膜层包括硅基底，所述硅基底的表面依次层叠有第一氮化硅层、第二氮化硅层和氮氧化硅层，所述第一氮化硅层、第二氮化硅层和氮氧化硅层的折射率逐级降低；所述氮氧化硅层的厚度为40～60nm...
该专利属于天合光能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天合光能股份有限公司授权不得商用。

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