一种埋阻金属箔制造技术

本实用新型专利技术涉及一种埋阻金属箔，所述埋阻金属箔包括层叠设置的电阻层和铜层；所述电阻层和铜层之间设置有至少一个局部粘接层；所述电阻层上与所述铜层邻接的表面设置有凹槽，和/或，所述电阻层上与所述铜层邻接的表面设置有粗糙区域；所述凹槽上和/或所述粗糙区域设置所述局部粘接层。本实用新型专利技术所述埋阻金属箔不同层间结构的结合面的结合力较强，具有较高的稳定性。高的稳定性。高的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种埋阻金属箔


[0001]本技术涉及电阻
，尤其涉及一种埋阻金属箔。

技术介绍

[0002]电子产品的小型化是一个重要的趋势，将电阻等无源器件引埋到印制板中是一种减小电子产品尺寸的有效手段。
[0003]CN214014634U公开了一种埋阻金属箔，其中，其公开的埋阻金属箔包括导电层、至少两层电阻层以及多个导电凸起，通过在与导电层相邻的电阻层的一面或者在靠近电阻层的导电层的一面上设置多个间隔分布的导电凸起，以使得导电凸起位于电阻层和导电层之间，避免了现有技术中由于表面粗糙度不均匀的铜箔直接与电阻层接触而导致电阻层不均匀，造成电阻层各个不同区域的阻值不均匀的问题，以降低电阻层的不同位置的电阻值的差异，进而便于设计高精度的隐埋电阻；另外，通过设置电阻率均不同的多层电阻层，以便于设计具有不同电阻值的隐埋电阻。
[0004]CN214014635U公开了一种埋阻金属箔，其公开的埋阻金属箔通过设置多个间隔分布的颗粒团簇，并设置导电层，以使得颗粒团簇位于导电层与电阻层之间，避免了现有技术中由于表面粗糙度不均匀的铜箔直接与电阻层接触而导致电阻层不均匀，造成电阻层不同位置的阻值不均匀的问题，以降低电阻层的不同位置的电阻值的差异，进而便于设计高精度的隐埋电阻；另外，颗粒团簇由多个第一金属颗粒组成，相对于单个金属颗粒，增加了表面粗糙度，从而有利于增加导电层的附着力，使得导电层能够与电阻层可靠连接。
[0005]目前，有许多关于埋阻金属箔的研究，但是，如何增强埋阻金属箔不同层间结构的结合面的结合力，是需要解决的问题之一。

技术实现思路

[0006]针对现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种埋阻金属箔，所述埋阻金属箔不同层间结构的结合面的结合力较强，具有较高的稳定性。
[0007]为达此目的，本技术采用以下技术方案：
[0008]本技术提供一种埋阻金属箔，所述埋阻金属箔包括层叠设置的电阻层和铜层；
[0009]所述电阻层和铜层之间设置有至少一个(例如2个、4个、6个、8个等)局部粘接层；
[0010]所述电阻层上与所述铜层邻接的表面设置有凹槽，和/或，所述电阻层上与所述铜层邻接的表面设置有粗糙区域；
[0011]所述凹槽上和/或所述粗糙区域设置所述局部粘接层。
[0012]本技术所述埋阻金属箔，局部粘接层连接电阻层和铜层，通过在电阻层上设置凹槽和/或粗糙区域，增加了电阻层表面的粗糙度，从而利于提升铜层的附着力，进一步在凹槽和/或粗糙区域设置粘接层，能够更大程度上增强电阻层和铜层的结合力，使埋阻金属箔具有更高的稳定性。
[0013]优选地，所述凹槽的个数至少为2个，例如2个、4个、6个、8个等；
[0014]和/或，
[0015]所述粗糙区域的个数至少为1个，例如2个、4个、6个、8个等。
[0016]优选地，所述凹槽和/或所述粗糙区域设置于所述电阻层的边缘处。
[0017]优选地，所述凹槽和/或所述粗糙区域间隔分布于所述电阻层上。
[0018]优选地，所述铜层的厚度为2
‑
20微米，例如4微米、6微米、8微米、10微米、12微米、14微米、16微米、18微米等。
[0019]本技术中，所述铜层的厚度设置为2
‑
20微米，以满足印制板微细线路制作的要求，当然，所述铜层的厚度可根据实际使用要求设置为其他数值，在此不做更多赘述。
[0020]优选地，所述凹槽的深度为2
‑
50纳米，例如5纳米、10纳米、15纳米、20纳米、25纳米、30纳米、35纳米、40纳米、45纳米等。
[0021]示例性地，所述电阻层厚度为10
‑
200纳米，例如20纳米、30纳米、40纳米、50纳米、60纳米、70纳米、80纳米、100纳米、120纳米、40纳米、160纳米、180纳米等。
[0022]优选地，所述电阻层的一侧设置有金属颗粒，所述金属颗粒位于所述电阻层和铜层之间；
[0023]和/或，
[0024]所述铜层的一侧设置有金属颗粒，所述金属颗粒位于所述电阻层和铜层之间。
[0025]本技术中，通过设置金属颗粒，可以提升电阻层和铜层之间的附着力，提升埋阻金属箔的稳定性。
[0026]优选地，所述金属颗粒包括第一金属颗粒和/或至少两个第二金属颗粒组成的颗粒团簇，所述第一金属和第二金属颗粒的材质相同或不相同。
[0027]优选地，所述第一金属颗粒为单独的颗粒状，第一金属颗粒间隔分布，至少两个第二金属颗粒组成的颗粒团簇也是间隔分布。
[0028]优选地，所述第一金属颗粒与至少两个第二金属颗粒组成的颗粒团簇交替分布，若干个间隔分布的第一金属颗粒之间，间隔分布有一个或多个颗粒团簇，或者，若干个间隔分布的颗粒团簇之间，间隔分布有一个或多个第二金属颗粒。
[0029]优选地，所述金属颗粒的厚度为2
‑
50纳米，例如5纳米、10纳米、15纳米、20纳米、25纳米、30纳米、35纳米、40纳米、45纳米等。
[0030]本技术所述金属颗粒的厚度是在竖直方向上，为所述金属颗粒的最高点与最低点之间的距离。若所述金属颗粒的厚度过小时，则无法为所述铜层与所述电阻层增加良好的附着力；若所述金属颗粒的厚度过大时，则可能导致所述铜层产生针孔，从而影响所述铜层的性能。当然，所述金属颗粒的高度还可以根据实际使用要求进行设置为其他数值，在此不做更多的赘述。
[0031]优选地，不同金属颗粒的厚度相同。
[0032]本技术通过将不同金属颗粒设置为厚度相同，保证了埋阻金属箔的表面平整，更利于电阻层发挥作用。
[0033]优选地，所述金属颗粒均匀分布在电阻层和/或铜层上。
[0034]本技术通过将所述金属颗粒均匀分布，使得铜层与电阻层的各个连接处的剥离强度都比较接近，进一步确保了所述铜层与所述电阻层之间的连接稳定性。
[0035]优选地，所述铜层的导电率为所述电阻层的2
‑
1000倍，例如50倍、100倍、200倍、300倍、400倍、500倍、600倍、700倍、800倍、900倍等。
[0036]优选地，所述埋阻金属箔还包括介质层，所述介质层设置于所述电阻层远离所述铜层的一侧。
[0037]本技术所述介质层起承载作用，在所述介质层上形成所述电阻层，同时所述介质层可保护所述电阻层。
[0038]示例性地，所述介质层为可剥离载体层。
[0039]优选地，所述介质层的材质包括聚酰亚胺(PI)，此时，介质层作为载体，在介质层上形成电阻层，应用到线路板中时，介质层无需撕除。
[0040]优选地，述介质层的材质包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)，当应用在线路板中时，可剥离载体层需要撕除。容易理解的是，为了便于剥离，在可剥离载体层上还涂覆有胶层。
[0041]示例性地，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种埋阻金属箔，其特征在于，所述埋阻金属箔包括层叠设置的电阻层和铜层；所述电阻层和铜层之间设置有至少一个局部粘接层；所述电阻层上与所述铜层邻接的表面设置有凹槽，和/或，所述电阻层上与所述铜层邻接的表面设置有粗糙区域；所述凹槽上和/或所述粗糙区域设置所述局部粘接层。2.根据权利要求1所述的埋阻金属箔，其特征在于，所述凹槽的个数至少为2个；和/或，所述粗糙区域的个数至少为1个。3.根据权利要求1或2所述的埋阻金属箔，其特征在于，所述凹槽和/或所述粗糙区域设置于所述电阻层的边缘处。4.根据权利要求1或2所述的埋阻金属箔，其特征在于，所述凹槽和/或所述粗糙区域间隔分布于所述电阻层上。5.根据权利要求1所述的埋阻金属箔，其特征在于，所述铜层的厚度为2
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【专利技术属性】
技术研发人员：张可，苏陟，喻建国，朱宇华，
申请(专利权)人：广州方邦电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：