一种复合金属箔及线路板制造技术

技术编号:33615546 阅读:40 留言:0更新日期:2022-06-02 00:29
本发明专利技术公开一种复合金属箔及线路板,复合金属箔包括:第一导电层和第一电阻层,第一电阻层设置于第一导电层的一侧,第一电阻层的厚度范围为20nm

【技术实现步骤摘要】
一种复合金属箔及线路板


[0001]本专利技术涉及复合金属箔
,尤其涉及一种复合金属箔及线路板。

技术介绍

[0002]随着无线通讯和电子设备的高速发展,电子设备朝着精密化、小型化和轻薄化演化,因此,要求电子设备内部的元器件的尺寸要尽可能的向小型化、轻薄化发展。
[0003]电子设备内部的电阻元件由之前的带针脚的插接电阻,到贴片电阻,再到埋入式电阻,逐渐向轻薄化发展。埋入式电阻的制备过程大致如下:将复合金属箔贴附电路板上,通过刻蚀工艺刻蚀出埋入式电阻。伴随着电子产品的精密化、小型化和轻薄化,在电子产品狭小的内部空间中集成众多的埋入式电阻可能会带来新的风险。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例的一个目的在于:提供复合金属箔,能够提高第一电阻层的载流量,进而提高第一电阻层的耐ESD(Electro-Static Discharge,静电释放)性能,进而提高埋入式电阻的抗静电击穿性能,解决在电子产品狭小的内部空间内集成众多埋入式电阻可能会带来的新风险。
[0005]本专利技术实施例的再一个目的在于:提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合金属箔,其特征在于,包括:第一导电层和第一电阻层;所述第一电阻层设置于所述第一导电层的一侧;所述第一电阻层的厚度范围为20nm-1500nm;所述第一电阻层的方阻的范围为3Ω-300Ω。2.根据权利要求1所述的复合金属箔,其特征在于,所述第一电阻层靠近和/或远离所述第一导电层的侧面的粗糙度Rz的范围为0.1μm-30μm。3.根据权利要求1所述的复合金属箔,其特征在于,所述第一电阻层靠近和/或远离所述第一导电层的侧面的粗糙度Sdr的范围为大于或等于0.5%。4.根据权利要求1所述的复合金属箔,其特征在于,所述第一电阻层靠近和/或远离所述第一导电层的侧面设置凸起结构。5.根据权利要求4所述的复合金属箔,其特征在于,所述第一电阻层靠近和/或远离所述第一导电层的侧面设置有多个连续的凸起结构。6.根据权利要求1-5任一所述的复合金属箔,其特征在于,所述第一电阻层靠近和/或远离所述第一导电层的侧面的粗糙度Rz的范围为0.1μm-10μm,以及所述侧面的粗糙度Sdr的范围为大于或等于20%。7.根据权利要求1-5任一所述的复合金属箔,其特征在于,所述第一电阻层靠近和/...

【专利技术属性】
技术研发人员:苏陟
申请(专利权)人:广州方邦电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1