发光器件制造技术

技术编号:33697513 阅读:16 留言:0更新日期:2022-06-05 23:23
本申请涉及显示技术领域,具体公开一种发光器件,包括阵列排布的像素单元,各所述像素单元包括缓冲层、发光层、阳极、阴极预埋金属层以及阴极导线层;所述缓冲层包括第一面和第二面,所述发光层和所述阳极依次层叠设置于所述第一面,所述阴极预埋金属层与所述发光层并行设置且至少部分暴露于所述第一面之外;所述阴极导线层自暴露的所述阴极预埋金属层的表面延伸至所述第二面。相比于传统技术中在发光单元的同一侧进行阳极和阴极的金属布线方式,本实施例通过上述双面布线的方式,有效缓解了单侧布线带来的空间利用率低的问题,减小了相邻像素单元之间的间隙所占用的空间,提高了像素密度。密度。密度。

【技术实现步骤摘要】
发光器件


[0001]本申请涉及显示
,特别是涉及一种发光器件。

技术介绍

[0002]传统的LED倒装工艺中,是在一个发光单元的同一侧分别进行阳极和阴极的金属布线,这势必会在发光单元的该侧形成一个台阶状结构,由于LED器件的外延层具有一定的厚度,一般为5微米,且外延材料的刻蚀角度一般为70度左右,基于几何关系,若需将相邻像素分隔开,两列相邻像素的间距至少要达到5微米,而这将无法实现较高的像素密度。

技术实现思路

[0003]基于此,有必要针对上述问题,提供一种发光器件。
[0004]一种发光器件,包括阵列排布的像素单元,各所述像素单元包括缓冲层、发光层、阳极、阴极预埋金属层以及阴极导线层;
[0005]所述缓冲层包括第一面和第二面,所述发光层和所述阳极依次层叠设置于所述第一面,所述阴极预埋金属层与所述发光层并行设置且至少部分暴露于所述第一面之外;所述阴极导线层自暴露的所述阴极预埋金属层的表面延伸至所述第二面。
[0006]在其中一个实施例中,所述阴极导线层自阴极预埋金属层上暴露于所述第一面之外的表面延伸至相邻两侧的缓冲层的第二面,各所述像素单元的阴极导线层互连。
[0007]在其中一个实施例中,所述阴极导线层自阴极预埋金属层上暴露于所述第一面之外的表面延伸至对应像素单元中所述缓冲层的第二面,同一行中各所述像素单元的阴极导线层互不相连;
[0008]同一行中各所述像素单元的阳极互连。
[0009]在其中一个实施例中,所述发光器件还包括平坦化层,所述平坦化层位于所述第一面,且覆盖各所述像素单元。
[0010]在其中一个实施例中,所述阳极暴露于所述平坦化层外。
[0011]在其中一个实施例中,所述缓冲层的厚度与所述发光层的厚度之间的差值位于

1微米至+1微米之间。
[0012]在其中一个实施例中,所述缓冲层的厚度和所述发光层的厚度位于0.2微米至1微米之间。
[0013]在其中一个实施例中,所述阴极预埋金属层暴露于所述第一面之外的面积占其表面积的50%。
[0014]在其中一个实施例中,所述阴极导线层与所述阳极分别连接驱动芯片上的对应引脚。
[0015]在其中一个实施例中,所述阴极导线层和所述阳极包括Cr、Al、Ni、Pt、Au中的至少一种。
[0016]上述发光器件,在缓冲层的两侧进行阳极和阴极的布线,即,将发光层和阳极依次
层叠于缓冲层的第一面,将阴极预埋金属层与发光层并列设置于第一面上,同时阴极预埋金属层部分暴露于第一面外,阴极导线层自暴露的阴极预埋金属层上延伸至缓冲层的第二面上,由此形成双面布线的结构。相比于传统技术中在发光单元的同一侧进行阳极和阴极的金属布线方式,本实施例通过上述双面布线的方式,有效缓解了单侧布线带来的空间利用率低的问题,减小了相邻像素单元之间的间隙所占用的空间,提高了像素密度。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案,下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为传统技术中的发光器件单侧进行阳极和阴极布线的示意图;
[0019]图2为本申请一实施例提供的发光器件的制备方法的流程框图;
[0020]图3

10为本申请实施例提供的发光器件的制备方法的结构示意图;
[0021]图11为AM驱动方式对应的发光器件的电极位置示意图;
[0022]图12为PM驱动方式对应的发光器件的电极位置示意图。
[0023]附图标记说明:
[0024]10、第一衬底;20、缓冲层;30、发光层;40、阳极;50、阴极预埋金属层;60、阴极导线层;70、平坦化层;80、第二衬底;90、粘合层;100、驱动芯片。
具体实施方式
[0025]为了便于理解本申请,下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是,本申请可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。
[0026]除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本申请。
[0027]应当明白,当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时,其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层,或者可以存在居间的元件或层。相反,当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时,则不存在居间的元件或层。应当明白,尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分,这些元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分与另一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分。因此,在不脱离本申请教导之下,下面讨论的第一元件、部件、区、层、掺杂类型或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分;举例来说,可以将第一掺杂类型成为第二掺杂类型,且类似地,可以将第二掺杂类型成为第一掺杂类型;第一掺杂类型与第二掺杂类型为不同的掺杂类型,譬如,第一掺杂类型可以为P型且第二掺杂类型可以为N型,或第一掺杂类型可以为N型且第二掺杂类型可以为P型。
[0028]空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等,在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白,除了图中所示的取向以外,空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如,如果附图中的器件翻转,描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此,示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外,器件也可以包括另外地取向(譬如,旋转90度或其它取向),并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
[0029]在此使用时,单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式,除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白,当术语“组成”和/或“包括”在该说明书中使用时,可以确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在,但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。同时,在此使用时,术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
[0030]这里参考作为本申请的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述本申请的实施例,这样可以预期由于例如制造技术和/或本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件,其特征在于,包括阵列排布的像素单元,各所述像素单元包括缓冲层、发光层、阳极、阴极预埋金属层以及阴极导线层;所述缓冲层包括第一面和第二面,所述发光层和所述阳极依次层叠设置于所述第一面,所述阴极预埋金属层与所述发光层并行设置且至少部分暴露于所述第一面之外;所述阴极导线层自暴露的所述阴极预埋金属层的表面延伸至所述第二面。2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述阴极导线层自阴极预埋金属层上暴露于所述第一面之外的表面延伸至相邻两侧的缓冲层的第二面,各所述像素单元的阴极导线层互连。3.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述阴极导线层自阴极预埋金属层上暴露于所述第一面之外的表面延伸至对应像素单元中所述缓冲层的第二面,同一行中各所述像素单元的阴极导线层互不相连;同一行中各所述像素单元的阳极互连。4.根据权利要求1所述的发光器件,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:ꢀ七四专利代理机构
申请(专利权)人:深圳市奥视微科技有限公司
类型:新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1