【技术实现步骤摘要】
一种新型的ITO薄膜布线结构
[0001]本技术涉及一种ITO的布线结构，具体的说是指一种新型的ITO薄膜布线结构。
技术介绍
[0002]ITO(Indium Tin Oxides)是一种N型氧化物半导体
‑
氧化铟锡，作为纳米铟锡金属氧化物，其具有很好的导电性和透明性，可以切断对人体有害的电子辐射、紫外线及远红外线；因此，铟锡氧化物通常喷涂在玻璃、塑料及电子显示屏上，用作透明导电薄膜。目前，运用在净水器控制器上的ITO薄膜具有多个透明导电区，每个透明导电区与一Pin针连接且对应一个按键，Pin针与PCB电路板连接，现有ITO薄膜上由于灯带的原因每个透明导电区周围没有布有地线，这就导致相邻透明导电区的信号互相干扰影响PCB电路板而造成按键的误触。
技术实现思路
[0003]本技术提供的是一种新型的ITO薄膜布线结构，其主要目的在于克服现有ITO薄膜上每个透明导电区周围没有布地线，而造成相邻透明导电区的信号互相干扰的问题。
[0004]为了解决上述的技术问题，本技术采用如下的技术方案：
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种新型的ITO薄膜布线结构，其特征在于：包括上、下布置的两排第一透明导电区和左、右间隔布置的n组第一地线区，该两排第一透明导电区均由n+1个左、右间隔布置的第一透明导电区组成，每组第一地线区的两侧各有两个第一透明导电区，除排列最右组的第一地线区外其他组的第一地线区均包括第一中地线区、第一上地线区和第一下地线区，所述第一中地线区和第一上地线区之间、第一上地线区和第一下地线区之间均通过透明银浆连接，所述最右组的第一地线区包括第二中地线区和第二上地线区，所述第二中地线区和第二上地线区之间通过透明银浆连接，所述ITO薄膜的右端宽度方向上设有第二地线区，所述ITO薄膜的中部设有与第一中地线区、第二中地线区和第二地线区连接的银浆功能线，该银...
【专利技术属性】
技术研发人员：张瑞坤，林永志，罗春霖，
申请(专利权)人：厦门星科电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。