本实用新型专利技术公开了一种真空腔体清洁密封装置，属于晶体制备技术领域；包括压缩空气清洁装置和真空吸收装置，压缩空气清洁装置的压缩空气喷射口设置在真空炉的上盖内侧；真空吸收装置的真空吸收口设置在真空腔体上沿的密封O圈两侧；压缩空气喷射口与真空吸收口相对应；本实用新型专利技术通过实现分体式腔体的上盖落在真空腔体上沿前，实现对密封O圈所有位置进行清洁，同时将灰尘和异物进行清理的功能，解决了真空炉真空腔体密封O圈清洁不到位影响密封效果的问题。效果的问题。效果的问题。
【技术实现步骤摘要】
一种真空腔体清洁密封装置
[0001]本技术属于晶体制备
，涉及一种真空腔体清洁密封装置。
技术介绍
[0002]碳化硅晶体的生产中最主要的是真空炉；目前，为保证生产作业，真空炉的真空腔体使用分体结构，如图1所示。该真空腔体分为上盖及腔体两部分，在使用过程中需频繁将上盖通过提升装置与真空腔体分开，作业完成后将上盖落下再次进行密封。为保证再次密封后真空腔体的密闭性，上盖与真空腔体间需安装橡胶O圈，通过上盖的重量来挤压密封O圈使之变形，从而达到上盖与真空腔体间无空隙的目的。
[0003]该种密封方式存在的问题为，上盖再次落下进行密封之前都需对密封O圈进行清洁，避免密封O圈表面存在灰尘或异物，影响密封后真空腔体的密闭性，该方法需消耗大量的人力成本，且人为无法同时清洁密封O圈的所有位置，当清洁完某一位置继续清洁其它位置时，存在周围空间内的灰尘和异物又落在之前清洁位置上的情况，导致密封O圈清洁不合格，真空腔体密闭性变差。该方法同时存在的另一个问题，单纯靠上盖的重量来给密封O圈施加压力，无法保证密封O圈足够的形变量，密封O圈与真空腔体上沿和上盖无法完全接触，不足以起到密封的作用。目前大多使用螺丝将上盖和腔体进行连接并紧固，该方法虽然可以保证密封O圈足够的形变量，使之与上盖及真空腔体上沿完全接触，但需手动进行紧固螺丝作业，同样存在耗费大量人力成本的问题。
技术实现思路
[0004]本技术克服了现有技术的不足，提出一种真空腔体清洁密封装置。解决真空炉真空腔体密封O圈清洁不到位影响密封效果的问题。
[0005]为了达到上述目的，本技术是通过如下技术方案实现的。
[0006]一种真空腔体清洁密封装置，包括压缩空气清洁装置和真空吸收装置，所述压缩空气清洁装置的压缩空气喷射口设置在真空炉的上盖内侧；所述真空吸收装置的真空吸收口设置在真空腔体上沿的密封O圈两侧；所述压缩空气喷射口与真空吸收口相对应。
[0007]进一步的，真空炉的上盖内侧均匀布置有多个压缩空气喷射口，密封O圈两侧相对应的位置均匀布置有多个真空吸收口。
[0008]进一步的，所述压缩空气清洁装置包括压缩空气发生装置、压缩空气管道和第一电磁阀，所述第一电磁阀设置在压缩空气管道上，压缩空气发生装置通过压缩空气管道连接至压缩空气喷射口。
[0009]更进一步，所述第一电磁阀设置在上盖的上方。
[0010]进一步的，所述真空吸收装置包括抽真空装置、第一真空吹扫管道和第二电磁阀，所述第二电磁阀设置在第一真空吹扫管道上，抽真空装置通过第一真空吹扫管道连接至真空吸收口。
[0011]更进一步，所述第二电磁阀设置在真空腔体上沿的下部。
[0012]更进一步，所述密封O圈为中空结构，密封O圈的上下底设置有通孔。
[0013]进一步优化的方案，所述通孔通过第二真空吹扫管道与抽真空装置相连通，所述第二真空吹扫管道上设置有第三电磁阀。
[0014]进一步优化的方案，所述第二真空吹扫管道上设置有泄压口，所述泄压口连接有第四电磁阀。
[0015]本技术相对于现有技术所产生的有益效果为：
[0016]本技术通过实现分体式腔体的上盖落在真空腔体上沿前，自动对密封O圈所有位置进行清洁，同时将灰尘和异物进行清理的功能，解决了分体式腔体频繁开启上盖后进行密封过程中作业人员需花费大量时间对密封O圈进行手动清洁，并且无法保证清洁合格的问题；并且使用特殊的密封O圈，上盖落下之后对密封O圈进行抽真空，实现上盖和真空腔体间无空隙，保证了真空腔体的密封性同时节省了大量人力。
附图说明
[0017]图1为真空炉内腔体的截面图。
[0018]图2为压缩空气喷射口很真空吸收口的设置示意图，图2中（a）为上盖内侧，（b）为真空腔体的上沿。
[0019]图3为实施例1所述的清洁密封装置的示意图。
[0020]图4为实施例2所述的清洁密封装置的示意图。
[0021]图5为实施例2中密封O圈的局部结构俯视图。
[0022]图中，1为压缩空气喷射口，2为上盖，3为真空吸收口，4为真空腔体上沿，5为密封O圈，6为压缩空气管道，7为第一电磁阀，8为第一真空吹扫管道，9为第二电磁阀，10为通孔，11为第二真空吹扫管道，12为第三电磁阀，13为泄压口，14为第四电磁阀，15为提升装置，16为石英管，17为灰尘颗粒。
具体实施方式
[0023]为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，结合实施例和附图，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。下面结合实施例及附图详细说明本技术的技术方案，但保护范围不被此限制。
[0024]为了解决现有分体式腔体频繁开启上盖后进行密封过程中作业人员需花费大量时间对密封O圈进行手动清洁，并且无法同时对密封O圈所有位置进行清洁，密封O圈清洁不到位的问题；以及为保证上盖落下后密封O圈有足够的形变量，目前使用螺丝连接上盖和真空腔体并进行紧固，需耗费大量人力成本的问题。以下实施例提供了一种真空腔体自动清洁及自动密封装置，该装置不仅在上盖落在真空腔体上沿前能自动对密封O圈所有位置进行清洁，同时将灰尘和异物进行清理，并且使用特殊的密封O圈，上盖落下之后对O圈进行抽真空，实现上盖和真空腔体间无空隙，保证了真空腔体的密封性同时节省了大量人力。
[0025]实施例1
[0026]如图1
‑
3所示，在真空炉的上盖2上安装压缩空气清洁装置，真空炉的上盖2内侧均匀布置压缩空气喷射口1；压缩空气清洁装置包括压缩空气发生装置、压缩空气管道6和第
一电磁阀7，所述第一电磁阀7设置在压缩空气管道6上，压缩空气发生装置通过压缩空气管道6连接至压缩空气喷射口1。第一电磁阀7设置在上盖2的上方。压缩空气发生装置为常规提供压缩空气的罐体。
[0027]真空腔体上沿4装有密封O圈5，在真空腔体上沿4下方安装真空吸收装置，在真空腔体上沿4上密封O圈5的两侧均匀开设多个真空吸收口3，所述真空吸收装置包括抽真空装置、第一真空吹扫管道8和第二电磁阀9，所述第二电磁阀9设置在第一真空吹扫管道8上，抽真空装置通过第一真空吹扫管道8连接至真空吸收口3。所述第二电磁阀9设置在真空腔体上沿4的下部。抽真空装置为常规的抽气装置，用于形成真空。真空吸收口3与压缩空气喷射口1的位置相对应，具体数量视实际情况决定，满足密封O圈5全部位置的清洁即可。
[0028]该装置的运行原理为，当作业完成后上盖2下降至指定位置时，第一电磁阀7开启，压缩空气经过压缩空气管道6及压缩空气喷射口1喷出，对O圈表面进行吹扫，同时第二电磁阀9开启，密封O圈5上被压缩空气吹散的灰尘经由真空吸收口3、第一真空吹扫管道8排走，此过程持续到上盖2落在真空腔体上结束，第一电磁阀7和第二电磁阀9关闭，可以保证密封O圈5所有位置同步进行清洁。
[0029]实施例2...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种真空腔体清洁密封装置，其特征在于，包括压缩空气清洁装置和真空吸收装置，所述压缩空气清洁装置的压缩空气喷射口（1）设置在真空炉的上盖（2）内侧；所述真空吸收装置的真空吸收口（3）设置在真空腔体上沿（4）的密封O圈（5）两侧；所述压缩空气喷射口（1）与真空吸收口（3）相对应。2.根据权利要求1所述的一种真空腔体清洁密封装置，其特征在于，真空炉的上盖（2）内侧均匀布置有多个压缩空气喷射口（1），密封O圈（5）两侧相对应的位置均匀布置有多个真空吸收口（3）。3.根据权利要求1所述的一种真空腔体清洁密封装置，其特征在于，所述压缩空气清洁装置包括压缩空气发生装置、压缩空气管道（6）和第一电磁阀（7），所述第一电磁阀（7）设置在压缩空气管道（6）上，压缩空气发生装置通过压缩空气管道（6）连接至压缩空气喷射口（1）。4.根据权利要求3所述的一种真空腔体清洁密封装置，其特征在于，所述第一电磁阀（7）设置在上盖（2）的上方。5.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：周环宇，周立平，刘英斌，杨凯，
申请(专利权)人：山西烁科晶体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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