一种真空磁控镀膜生产线制造技术

本实用新型专利技术公开了一种真空磁控镀膜生产线，包括磁控镀膜机构和抽真空机构；其中，磁控镀膜机构包括若干真空室和磁控溅射镀膜室，真空室用于提供真空环境，磁控溅射镀膜室用于对基材溅射镀膜；抽真空机构用于对真空室抽真空，抽真空机构包括连接管、滑阀泵、连通连接管和滑阀泵的通气管道，连接管与真空室连接，连接管与通气管道连接处设置有第一阀，所述通气管道上还设置有第二阀。本实用新型专利技术的抽真空机构能够减小真空波动，使溅射镀膜保持稳定，通过设置有第一阀、第二阀和滑阀泵，可对真空室内进行抽气或充气工作，使腔室内部达到大气压强或一定负压强后，基材可进出真空室，便于基材稳定通过各真空室，进而能够提高生产效率。进而能够提高生产效率。进而能够提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种真空磁控镀膜生产线


[0001]本技术涉及镀膜生产
，特别涉及一种真空磁控镀膜生产线。

技术介绍

[0002]现有的卧式真空真空磁控镀膜生产线具有的磁控镀膜机构的真空腔体数量不足，磁控镀膜机构的真空腔体抽真空能力不足，抽真空时真空度波动大，镀膜过程不稳定。

技术实现思路

[0003]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出一种真空磁控镀膜生产线，能够提高真空室的抽真空能力，减小真空波动，磁控镀膜稳定。
[0004]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
[0005]一种真空磁控镀膜生产线，包括磁控镀膜机构和抽真空机构；
[0006]其中，磁控镀膜机构包括依次连通的若干真空室和磁控溅射镀膜室，真空室用于提供真空环境，磁控溅射镀膜室用于对基材溅射镀膜；
[0007]抽真空机构用于对真空室抽真空，包括连接管、滑阀泵、连通连接管和滑阀泵的通气管道，连接管与真空室连接，滑阀泵用于抽真空，连接管与通气管道连接处设置有第一阀，第一阀用于打开或关闭抽气通路，通气管道上还设置有第二阀，第二阀用于进行充气工作。
[0008]根据本技术实施例的一种真空磁控镀膜生产线，至少具有如下有益效果：
[0009]本技术真空磁控镀膜生产线设置有磁控镀膜机构和抽真空机构，磁控溅射镀膜室可对基材进行溅射镀膜，抽真空机构能够减小真空波动，使溅射镀膜保持稳定，通过在抽真空机构设置有第一阀、第二阀和滑阀泵，可对真空室内进行抽气或充气工作，使腔室内部达到大气压强或一定的负压强后，基材可进出真空室，这样设置便于基材能够稳定通过各真空室，因此能够提高生产效率。
[0010]根据本技术的一些实施例，若干真空室沿基材前进方向依次为前低真空室、前高真空室、前缓冲室、后缓冲室、后高真空室和后低真空室，磁控溅射镀膜室设置于前缓冲室和后缓冲室之间。
[0011]有益的是：通过设置前、后低真空室和前、后高真空室能够使真空度平稳过渡，前、后缓冲室能够使真空度具有一个很好的缓冲，有利于基材稳定通过各真空室，磁控溅射镀膜室可以对基材进行溅射镀膜，从而保证基材稳定完成镀膜。
[0012]根据本技术的一些实施例，在前低真空室远离磁控溅射镀膜室的一侧设置有进片台，进片台用于输送基材进入前低真空室，在后低真空室远离磁控溅射镀膜室的一侧设置有出片台，出片台用于输出已完成镀膜的基材。
[0013]有益的是：通过设置进片台、出片台，能够便于传动电机能够稳定输送基材进入前低真空室和将已完成溅射镀膜的基材输出。
[0014]根据本技术的一些实施例，磁控溅射镀膜室设置有旋转圆柱靶，旋转圆柱靶用于溅射靶材进行镀膜。
[0015]有益的是：磁控溅射镀膜室设置有旋转圆柱靶，在充入工作介质后，给旋转圆柱靶通电，使靶材产生辉光放电，促使靶材上分子从靶材表面溅射到基材表面形成薄膜。
[0016]根据本技术的一些实施例，连接管为三通管，三通管的第一通口与真空室连接，第二通口与第一阀连接，第三通口为备用。
[0017]有益的是：三通管的第一、第二通口用于连接真空室和第一阀，进而，使真空室和第一阀间具有良好的密封性，第三通口为备用，也可按需要连接多一个抽真空机构。
[0018]根据本技术的一些实施例，通气管道为“L”型，通气管道包括垂直部和水平部，垂直部顶端与第一阀连接，水平部末端与滑阀泵连接。
[0019]有益的是：因第一阀和滑阀泵存在高度差，设置“L”型的通气管道能够有效将第一阀与滑阀泵相连，无需提升滑阀泵高度，能够节省占用空间。
[0020]根据本技术的一些实施例，磁控镀膜机构还包括若干个分子泵，若干分子泵分别设置于磁控溅射镀膜室两侧，且与磁控溅射镀膜室连通，分子泵用于对磁控溅射镀膜室抽真空。
[0021]有益的是：通过设置分子泵对磁控溅射镀膜室抽真空，而抽真空时无需加热，无油气污染，且能够节省水电，因而使生产更为环保。
[0022]根据本技术的一些实施例，磁控镀膜机构还具有若干个真空锁，真空锁位于各真空室连接处，用于开启或关闭工件通道以允许或限制基材通过。
[0023]有益的是：通过在各真空室间设置有真空锁，当真空锁关闭时，密封效果好，因而真空波动小，而当相邻的两个真空室的真空度相当时，真空锁开启工件通道，可允许基材通过，便于基材的输送。
[0024]根据本技术的一些实施例，真空磁控镀膜生产线还包括支脚，支脚位于磁控镀膜机构下方，用于支撑和固定磁控镀膜机构。
[0025]有益的是：通过在磁控镀膜机构下方设置支脚可用于支撑并固定磁控镀膜机构，能够使磁控镀膜机构在整个镀膜过程中具有稳定性，有利于对基材进行镀膜。
[0026]根据本技术的一些实施例，第一阀的安装方式为纵向安装。
[0027]有益的是：第一阀的安装方式为纵向安装，在重力和气压的作用下，纵向安装第一阀，提高真空泵第一阀关闭时的密封效果。
[0028]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0029]本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0030]图1为本技术实施例的一种真空磁控镀膜生产线的结构示意图；
[0031]图2为真空室和抽真空机构的正视图；
[0032]图3为磁控溅射镀膜室的示意图。
[0033]附图标记：磁控镀膜机构100、真空室110、抽真空机构120、连接管130、第一阀140、
第二阀150、通气管道160、滑阀泵170、前低真空室180、前高真空室190、前缓冲室200、磁控溅射镀膜室210、后缓冲室220、后高真空室230、后低真空室240、进片台250、出片台260、旋转圆柱靶270、分子泵280、真空锁290、支脚300。
具体实施方式
[0034]下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的零件或具有相同或类似功能的零件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
[0035]在本技术的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或零件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0036]在本技术的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种真空磁控镀膜生产线，其特征在于，包括：磁控镀膜机构(100)，包括依次连通的若干真空室(110)和磁控溅射镀膜室(210)，所述真空室(110)用于提供真空环境，所述磁控溅射镀膜室(210)用于对基材溅射镀膜；抽真空机构(120)，用于对所述真空室(110)抽真空，包括连接管(130)、滑阀泵(170)、连通所述连接管(130)和所述滑阀泵(170)的通气管道(160)，所述连接管(130)与所述真空室(110)连接，所述滑阀泵(170)用于抽真空，所述连接管(130)与所述通气管道(160)连接处设置有第一阀(140)，所述第一阀(140)用于打开或关闭抽气通路，所述通气管道(160)上还设置有第二阀(150)，所述第二阀(150)用于进行充气工作。2.根据权利要求1所述的一种真空磁控镀膜生产线，其特征在于，若干所述真空室(110)沿基材前进方向依次为前低真空室(180)、前高真空室(190)、前缓冲室(200)、后缓冲室(220)、后高真空室(230)和后低真空室(240)，所述磁控溅射镀膜室(210)设置于所述前缓冲室(200)和后缓冲室(220)之间。3.根据权利要求2所述的一种真空磁控镀膜生产线，其特征在于，在所述前低真空室(180)远离所述磁控溅射镀膜室(210)的一侧设置有进片台(250)，所述进片台(250)用于输送基材进入前低真空室(180)，在所述后低真空室(240)远离所述磁控溅射镀膜室(210)的一侧设置有出片台(260)，所述出片台(260)用于输出已完成镀膜的基材。4.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄红峰，
申请(专利权)人：肇庆市鸿利达真空设备科技有限公司，
类型：新型
国别省市：