一种193nm光刻胶用丙烯酸酯树脂单体的合成方法技术

本发明专利技术涉及一种193nm光刻胶用丙烯酸酯树脂单体的合成方法，以丙烯酸乙烯酯或甲基丙烯酸乙烯酯以及醇为反应原料，以小极性的烷烃溶剂为反应溶剂，加入阻聚剂，用碱性的离子交换树脂作为催化剂，在低温条件下通过酯交换得到丙烯酸酯。本发明专利技术提出了的193nm光刻胶用丙烯酸酯树脂单体的合成方法，反应过程操作简单，反应高效、安全，是一条可以适用于工业化生产的工艺路线。的工艺路线。的工艺路线。

【技术实现步骤摘要】
一种193nm光刻胶用丙烯酸酯树脂单体的合成方法


[0001]本专利技术涉及光刻胶
，具体涉及一种193nm光刻胶用丙烯酸 酯树脂单体的合成方法。

技术介绍

[0002]光刻胶(Photoresist)又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、 离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。 光刻胶是图形转移介质，其利用光照反应后溶解度不同将掩膜版图形转移 至衬底上。目前广泛用于光电信息产业的微细图形线路加工制作，是电子 制造领域关键材料。
[0003]光刻胶成像时可分辨线宽与曝光波长成正比，与曝光机透镜开口数成 反比，所以缩短曝光波长是提高分辨率的主要途径。因此，随着集成电路 的发展，光刻工艺也经历了从G线(436nm)光刻、I线(365nm)光刻、到深 紫外248nm光刻，及目前的193nm光刻的发展历程。
[0004]193nm光刻胶是近年来研究的一大热点，主要用于高端手机、个人电 脑/服务器CPU、中高端手机热点、基带、CPU、显卡图形处理器、FPGA、 矿机ASIC、中低端微处理器、蓝牙芯片、电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种193nm光刻胶用丙烯酸酯树脂单体的合成方法，其特征在于，以丙烯酸乙烯酯或甲基丙烯酸乙烯酯以及醇为反应原料，以小极性的烷烃溶剂为反应溶剂，加入阻聚剂，用碱性的离子交换树脂作为催化剂，在低温条件下通过酯交换得到丙烯酸酯。2.根据权利要求1所述的一种193nm光刻胶用丙烯酸酯树脂单体的合成方法，其特征在于，所述醇为1
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金刚烷醇、2
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甲基金刚烷醇、2
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乙基金刚烷醇、2
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羰基
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四氢呋喃
‑3‑
醇、对羟基苯酚或对氨基苯酚；所述小极性的烷烃溶剂为环己烷、正己烷或正庚烷；所述阻聚剂为四氯苯醌或对苯醌。3.根据权利要求1所述的一种193nm光刻胶用丙烯酸酯树脂单体的合成方法，其特征在于，所述的碱性离子交换树脂为带有仲胺基基团的弱碱性离子交换树脂。4.根据权利要求3所述的一种193nm光刻胶用丙烯酸酯树脂单体的合成方法，其特征在于，所述的碱性离子交换树脂的pH为7
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8。5.根据权利要求1所述的一种193nm光刻胶用丙烯酸酯树脂单体的合成方法，其特征在于，所述丙烯酸酯树脂单体为2
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乙基
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金刚烷基甲基丙烯酸酯、2
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乙基
‑2‑
金刚烷基丙烯酸酯、2
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甲基
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金刚烷基甲基丙烯酸酯、2
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甲基
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金刚烷基丙烯酸酯、2
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金刚烷基甲基丙烯酸酯、2
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金刚烷基丙烯酸酯、2
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羰基
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四氢呋喃

【专利技术属性】
技术研发人员：张琛，王静云，杜照磊，李石磊，孙佳伟，宋扬，
申请(专利权)人：河北凯诺中星科技有限公司，
类型：发明
国别省市：