一种适用于micro-OLED的彩色器件结构制造技术

本发明专利技术公开一种适用于micro

【技术实现步骤摘要】
一种适用于micro
‑
OLED的彩色器件结构


[0001]本专利技术属于Micro OLED
，更具体地，本专利技术涉及一种适用于micro
‑
OLED的彩色器件结构。

技术介绍

[0002]与传统的AMOLED显示技术相比，硅基OLED微显示以单晶硅芯片为基底并借助于成熟的CMOS工艺使其像素尺寸更小、集成度更高，可制作成媲美大屏显示的近眼显示产品而受到广泛关注。基于其技术优势和广阔的市场，在军事以及消费电子领域，硅基OLED微显示都将掀起近眼显示的新浪潮，为用户带来前所未有的视觉体验。
[0003]硅基OLED广泛应用于VR/AR领域，其中AR眼镜中大多都采用的是光波导技术，无论是衍射光波导还是几何光波导，光在耦合进出波导以及传输的过程中都会有大比例的损失，甚至高达90％以上；为了满足显示的亮度需求，即对发光单元的本体的要求其具有较高的亮度，在硅基OLED中就需要器件有较高的效率和亮度。
[0004]受限于高PPI的要求以及mask制作工艺，蒸镀机台的对位工艺限制，硅基OLED中白光很难通过side by side的方式由RGB组合实现，通常直接设计器件结构，使用common mask蒸镀，实现白色发光。常见的白光器件结构利用电荷产生层，把蓝光发光层和红色以及绿色发光层串联。电荷产生层能够分别向阳极方向传递电子，向阴极方向传递空穴，所以激子能够分别在蓝光发光层和红绿发光层之间复合，互不影响；叠层结构的器件固然能够增加效率和亮度，但是其驱动电压也是同步增加，而且结构复杂，同时因为其电荷产生层中引入了活泼金属，而活泼金属会降低OLED的使用寿命，所以叠层结构的器件存在工作寿命短问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种适用于micro
‑
OLED的彩色器件结构，旨在改善上述问题。
[0006]本专利技术是这样实现的，一种适用于micro
‑
OLED的彩色器件结构，其特征在于，所述结构从下至上依次包括：
[0007]阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、蓝色发光层、中间连接层、绿色发光层、红色发光层、电子传输层、电子注入层、阴极、光耦合取出层，其中，中间连接层为具有电子传输能力和空穴传输能力的双极性材料。
[0008]进一步的，蓝色发光层由蓝色主体材料B
‑
Host和蓝色掺杂材料B
‑
dopant组成，蓝色掺杂材料B
‑
dopant的掺杂浓度为3％～5％，蓝色掺杂材料B
‑
dopant为荧光类的蓝色发光染料，其主发光峰位于460nm；
[0009]绿色发光层由绿色主体材料G
‑
Host和绿色掺杂材料G
‑
dopant组成，绿色掺杂材料G
‑
dopant的掺杂浓度为8％～10％，绿色掺杂材料G
‑
dopant为磷光类的绿色发光染料，其主发光峰位于530nm；
[0010]红色发光层由红光主体材料R
‑
Host和红色掺杂材料R
‑
dopant组成，红色掺杂材料
R
‑
dopant的掺杂浓度为1％～3％，红色掺杂材料R
‑
dopant为磷光类的红色发光染料，其主发光峰位于610nm。
[0011]进一步的，阳极到电子注入层的厚度为131nm，
[0012]进一步的，蓝色发光层由蓝色主体材料B
‑
Host和蓝色掺杂材料B
‑
dopant组成，蓝色掺杂材料B
‑
dopant的掺杂浓度为3％～5％，蓝色掺杂材料B
‑
dopant为荧光类的蓝色发光染料，其主发光峰位于460nm；
[0013]绿色发光层由绿色主体材料G
‑
Host和绿色掺杂材料G
‑
dopant组成，绿色掺杂材料G
‑
dopant的掺杂浓度为8％～10％，绿色掺杂材料G
‑
dopant为荧光类的绿色发光染料，其主发光峰位于530nm；
[0014]红色发光层由红光主体材料R
‑
Host和红色掺杂材料R
‑
dopant组成，红色掺杂材料R
‑
dopant的掺杂浓度为1％～3％，红色掺杂材料R
‑
dopant为荧光类的红色发光染料，其主发光峰位于610nm。
[0015]进一步的，阳极到电子注入层的厚度为151nm。
[0016]本专利技术通过使用中间连接层连接蓝色发光层和红绿发光层，降低了OLED器件的工作电压，较低的工作电压，使该器件结构对前段IC的工艺要求低，能适用于更多不同类型的产品；此外，不使用电荷产生层，器件具有更好的寿命，寿命能提高2倍以上，器件结构简单，降低了工艺的复杂性，相比较叠层器件，减少了器件的层数。
附图说明
[0017]图1为本专利技术实施例一提供的适用于micro
‑
OLED的彩色器件结构的结构示意图；
[0018]图2为本专利技术实施例一、实施例二的彩色器件结构的发光光谱；
[0019]图3为本专利技术实施例提供的亮度对比图；
[0020]图4为本专利技术实施例提供的寿命对比图；
[0021]101.阳极、102.空穴注入层、103.空穴传输层、104.电子阻挡层、105.蓝色发光层、106.中间连接层、107.绿色发光层、108.红色发光层、109.电子传输层、110.电子注入层、111.阴极、112.光耦合取出层。
具体实施方式
[0022]下面对照附图，通过对实施例的描述，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明，以帮助本领域的技术人员对本专利技术的专利技术构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解。
[0023]图1为本专利技术实施例一提供的适用于micro
‑
OLED的彩色器件结构的结构示意图，为了便于说明，仅示出与本专利技术实施例相关的部分。
[0024]该彩色器件结构从下至上依次包括：
[0025]阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、蓝色发光层、中间连接层、绿色发光层、红色发光层、电子传输层、电子注入层、阴极、光耦合取出层，其中，中间连接层为具有电子传输能力和空穴传输能力的双极性材料；
[0026]蓝色发光层由蓝色主体材料B
‑
Host和蓝色掺杂材料B
‑
dopant组成，蓝色掺杂材料B
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dopant的掺杂浓度(即质量百分比)为3％～5％，蓝色掺杂材料B
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dopant为荧光类的蓝色
发光染料，其主发光峰位于460nm附近；
[0027]绿色发光层由绿色主体材料G
‑
Host和绿色掺杂材料G
‑
dopant组成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于micro
‑
OLED的彩色器件结构，其特征在于，所述结构从下至上依次包括：阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、蓝色发光层、中间连接层、绿色发光层、红色发光层、电子传输层、电子注入层、阴极、光耦合取出层，其中，中间连接层为具有电子传输能力和空穴传输能力的双极性材料。2.如权利要求1所述适用于micro
‑
OLED的彩色器件结构，其特征在于，蓝色发光层由蓝色主体材料B
‑
Host和蓝色掺杂材料B
‑
dopant组成，蓝色掺杂材料B
‑
dopant的掺杂浓度为3％～5％，蓝色掺杂材料B
‑
dopant为荧光类的蓝色发光染料，其主发光峰位于460nm；绿色发光层由绿色主体材料G
‑
Host和绿色掺杂材料G
‑
dopant组成，绿色掺杂材料G
‑
dopant的掺杂浓度为8％～10％，绿色掺杂材料G
‑
dopant为磷光类的绿色发光染料，其主发光峰位于530nm；红色发光层由红光主体材料R
‑
Host和红色掺杂材料R
‑
dopant组成，红色掺杂材料R
‑
dopant的掺杂浓度为1％～3％，红色掺杂材料R
‑
dopant为磷光类的红色发光染料，其主发光峰位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕磊，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：