发光装置及包括发光装置的电子设备制造方法及图纸

本申请涉及发光装置，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极与所述第二电极之间的包括发射层的中间层，其中：所述中间层进一步包括位于所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区；相对于100wt％的所述第一电极，所述第一电极包含大于约0wt％且等于或小于约8wt％的量的氧化锡；以及所述空穴传输区包含如本文定义的由式1表示的化合物。化合物。化合物。

【技术实现步骤摘要】
发光装置及包括发光装置的电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年11月27日提交的第10
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2020
‑
0163050号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请出于所有目的通过援引并入本文，如同在本文中完全阐述一样。


[0003]本专利技术的实施方案一般涉及显示装置，并且更具体地涉及发光装置以及包括发光装置的电子设备。

技术介绍

[0004]发光装置是自发射装置，其具有广视角、高对比度和短响应时间，并且在亮度、驱动电压和响应速度方面显示出优异的特性。
[0005]在发光装置中，第一电极位于衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。从第一电极注入的空穴通过无助于在发射层内部产生的激子间的光发射的非发光激子传输区移动至发射层，并且从第二电极注入的电子通过电子传输区移动至发射层。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。
[0006]本
技术介绍
章节中公开的以上信息仅用于对本专利技术构思的背景的理解，并且因此它可以含有不构成现有技术的信息。

技术实现思路

[0007]根据本专利技术的原理和示例性实施方式构造的发光装置和包括该发光装置的电子设备在第一电极中具有低浓度的氧化锡，并且在空穴传输区中具有由式1表示的化合物，并且因此，可以具有降低的生产成本，同时具有与现有技术的发光装置的驱动电压、效率和使用寿命相等的驱动电压、效率和使用寿命。
[0008]本专利技术构思的其它特征将在以下描述中阐述，并且在某种程度上根据所述描述将是显而易见的，或者可以通过本专利技术构思的实践而获悉。
[0009]根据本专利技术的一个方面，发光装置包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极与所述第二电极之间的包括发射层的中间层，其中：所述中间层进一步包括位于所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区，相对于100wt％的所述第一电极，所述第一电极包含大于约0wt％且等于或小于约8wt％的量的氧化锡，以及所述空穴传输区包含由式1表示的化合物：
[0010]式1
[0011](M)(X)n
[0012]其中，在式1中，
[0013]M是过渡金属，
[0014]X是卤素元素，以及
[0015]n是1至4的整数。
[0016]所述第一电极可以进一步包含氧化铟、氧化铟锌、氧化锌或其任意组合。
[0017]相对于100wt％的所述第一电极，可以存在大于约1wt％且等于或小于约7wt％的量的氧化锡。
[0018]所述第一电极可以具有具有约5.15eV至约5.4eV的绝对值的功函。
[0019]变量M可以是钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨、锰、锝、铼、铁、钌、锇、钴、铑、铱、镍、钯、铂、铜、银、金、锌或其任意组合。
[0020]变量M可以是铜、银、金或其任意组合。
[0021]变量X可以是F、Cl、Br、I或其任意组合。
[0022]所述由式1表示的化合物可以是CuF、CuCl、CuBr、CuI、AgF、AgCl、AgBr或AgI。
[0023]所述空穴传输区可以进一步包含空穴传输材料。
[0024]基于100重量份的所述空穴传输材料，可以存在约0.01重量份至约49.99重量份的量的所述由式1表示的化合物。
[0025]所述由式1表示的化合物可以包括p
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掺杂剂。
[0026]所述空穴传输区可以具有具有约2.0eV至约2.5eV的绝对值的最低未占据分子轨道能级。
[0027]所述第一电极可以具有具有第一绝对值的功函，并且所述空穴传输区的所述最低未占据分子轨道能级可以具有小于所述第一绝对值的第二绝对值。
[0028]所述第一电极可以具有具有第一绝对值的功函，并且所述空穴传输区可以具有具有第二绝对值的最低未占据分子轨道能级，以及所述第一绝对值与所述第二绝对值之间的差可以是约2.65eV至约3.4eV。
[0029]所述空穴传输区可以包括空穴注入层，所述空穴注入层可以直接接触所述第一电极并且可以包含所述由式1表示的化合物。
[0030]所述中间层可以进一步包括在所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区，并且可以包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
[0031]所述空穴传输区和所述发射层中的至少一个可以包含含芳基胺的化合物、含吖啶的化合物、含咔唑的化合物或其任意组合，或者所述发射层和所述电子传输区中的至少一个可以包含含硅的化合物、含氧化膦的化合物、含氧化硫的化合物、含氧化磷的化合物、含三嗪的化合物、含嘧啶的化合物、含吡啶的化合物、含二苯并呋喃的化合物、含二苯并噻吩的化合物或其任意组合。
[0032]电子设备可以包括如上描述的发光装置。
[0033]所述电子设备可以包括具有源电极和漏电极的薄膜晶体管，以及所述发光装置的所述第一电极可以电连接至所述薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极中的至少一个。
[0034]所述电子设备可以包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。
[0035]应理解，前述的一般描述和以下的详细描述两者是示例性且解释性的，并且旨在提供对要求保护的专利技术的进一步解释。
附图说明
[0036]包括附图以提供对本专利技术的进一步理解以及将附图并入本说明书中并且构成本说明书的一部分，附图例示出本专利技术的实施方案，并且与描述一起用于解释本专利技术构思。
[0037]图1是根据本专利技术的原理构造的发光装置的实施方案的示意性横截面视图。
[0038]图2是根据本专利技术的原理构造的发光设备的实施方案的横截面视图。
[0039]图3是根据本专利技术的原理构造的发光设备的另一个实施方案的横截面视图。
具体实施方式
[0040]在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以便提供对本专利技术的各种实施方案或实施方式的透彻理解。如本文使用，“实施方案”和“实施方式”是可互换的词语，其是采用本文公开的专利技术构思中的一种或多于一种的装置或方法的非限制性实例。然而，显而易见地，各种实施方案可以在没有这些具体细节的情况下实践，或者可以用一种或多于一种的等同的布置来实践。在其它情况中，以框图形式示出公知的结构和装置以便避免不必要地混淆各种实施方案。此外，各种实施方案可以是不同的，但不必是排它的。例如，在不背离本专利技术构思的情况下，实施方案的具体形状、配置和特性可以在另一个实施方案中使用或实施。
[0041]除非另外指明，例示的实施方案应被理解为提供其中可以在实践中实施本专利技术构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另外指明，在不背离本专利技术构思的情况下，各种实施方案的特征、组件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(在下文单独地或共同地被称为“元件”)可以以其它方式组合、分离、互换和/或重新布置。
[0042]通常提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光装置，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极与所述第二电极之间的包括发射层的中间层，其中：所述中间层进一步包括位于所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区；相对于100wt％的所述第一电极，所述第一电极包含大于0wt％且等于或小于8wt％的量的氧化锡；以及所述空穴传输区包含由式1表示的化合物：式1(M)(X)
n
其中，在式1中，M是过渡金属，X是卤素元素，以及n是1至4的整数。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电极进一步包含氧化铟、氧化铟锌、氧化锌或其任意组合。3.如权利要求1所述的发光装置，其中第一电极具有具有5.15eV至5.4eV的绝对值的功函。4.如权利要求1所述的发光装置，其中M是钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨、锰、锝、铼...

【专利技术属性】
技术研发人员：申准龙，朴元荣，徐东揆，俞炳旭，李大镐，李炳奭，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：