图像传感器制造技术

提供一种图像传感器，包括：衬底，在该衬底中包括：像素区，该像素区包括多个单元像素；光学阻挡区，位于像素区的外部；以及对准键区，位于像素区的外部，衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；在衬底的第一表面下方的互连结构；在衬底的像素区中的光电转换元件；在衬底的第二表面上的绝缘层；在像素区和对准键区中的绝缘层上的网格层；键图案层，位于设置在对准键区中的绝缘层与设置在对准键区中的网格层之间，键图案层包括突出区以对应于网格层；以及在像素区中的绝缘层和网格层上的滤色器。器。器。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年11月27日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
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2020
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0162920号的优先权，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]本公开的示例实施例涉及图像传感器。

技术介绍

[0004]图像传感器是将光学图像转换为电信号的半导体器件。图像传感器不仅用于消费电子设备(例如，数字相机、移动电话相机和便携式摄像机)，还用于嵌入在汽车、安全设备和机器人中的相机。这些图像传感器需要小型化和高分辨率，并且已经进行了各种研究以满足这些要求。

技术实现思路

[0005]一个或多个示例实施例提供一种具有提高的可靠性的图像传感器。
[0006]根据示例实施例的一方面，提供了一种图像传感器，包括：第一芯片结构，所述第一芯片结构包括：第一衬底；第一互连结构，设置在第一衬底上；以及第一绝缘层，设置在第一衬底上以至少部分地覆盖第一互连结构；以及第二芯片结构，设置在第一芯片结构上，第二芯片结构包括：像素区，包括多个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括：第一芯片结构，所述第一芯片结构包括：第一衬底；第一互连结构，设置在所述第一衬底上；以及第一绝缘层，设置在所述第一衬底上以至少部分地覆盖所述第一互连结构；以及第二芯片结构，设置在所述第一芯片结构上，所述第二芯片结构包括：像素区，包括多个单元像素；光学阻挡区，设置在所述像素区的外部；以及对准键区，设置在所述像素区的外部；其中，所述第二芯片结构还包括：第二衬底，具有面向所述第一芯片结构的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第二互连结构和第二绝缘层，设置在所述第二衬底的所述第一表面与所述第一芯片结构之间；光电转换元件，设置在位于所述像素区中的所述第二衬底中；第三绝缘层，设置在所述第二衬底的所述第二表面上；网格层，设置在位于所述像素区中的所述第三绝缘层和位于所述对准键区中的所述第三绝缘层上；键图案层，设置在位于所述对准键区中的所述第三绝缘层与位于所述对准键区中的所述网格层之间；以及滤色器和微透镜，设置在位于所述像素区中的所述第三绝缘层和位于所述像素区中的所述网格层上，其中，所述键图案层包括：第一区域，设置在所述第三绝缘层上；以及第二区域，从所述第一区域突出以对应于所述网格层。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，设置在所述像素区中的所述网格层的上表面具有第一高度水平，以及其中，设置在所述对准键区中的所述网格层的上表面具有高于所述第一高度水平的第二高度水平。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，设置在所述像素区中的所述网格层的下表面直接接触设置在所述像素区中的所述第三绝缘层的上表面。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述键图案层包括金属材料，并且所述网格层包括绝缘材料。5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，所述网格层包括所述网格层的下部中的金属阻挡层和设置在所述金属阻挡层的上表面上的绝缘层。6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述键图案层的所述第一区域包括与所述键图案层的所述第二区域的材料不同的材料。7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述键图案层的所述第二区域的厚度在至的范围内。8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第二芯片结构还包括遮光导电层，所述遮光导电层设置在所述光学阻挡区中的所述第三绝缘层上，其中，所述遮光导电层和所述键图案层包括相同的材料。
9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，所述遮光导电层的厚度与所述键图案层的所述第一区域的厚度基本相同。10.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述对准键区被设置为至少部分地由所述光学阻挡区围绕。11.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第二芯片结构还包括焊盘区，所述焊盘区设置在所述光...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁英宇，具俊谟，金真杓，朴葰颖，李应揆，赵廷来，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：