碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管结壳热阻测试方法技术

本公开涉及一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管结壳热阻测试方法，包括对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通电测试，获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的偏置电压；在所述偏置电压条件下，测试所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管源极和漏极之间的电压V

【技术实现步骤摘要】
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管结壳热阻测试方法


[0001]本申请涉及集成电路热分析
，特别是涉及一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管结壳热阻测试方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor，MOSFET)，被广泛使用在模拟电路与数字电路中。其中，碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，在高频、高压功率系统中具有广泛的应用前景。结壳热阻是衡量半导体器件从芯片表面到封装表面的热扩散能力的参数，其作为表征SiC MOSFET热特性的关键指标，在SiC MOSFET器件的筛选、鉴定以及可靠性评价等工作中举足轻重。
[0003]但是，SiC MOSFET与Si基MOSFET相比，SiC MOSFET栅极SiO2和SiC界面存在较多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管结壳热阻测试方法，其特征在于，包括：对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管进行通电测试，获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的偏置电压；在所述偏置电压条件下，测试所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管源极和漏极之间的电压V
sd
与温度数据，获得所述电压V
sd
与温度的函数关系；结合所述函数关系，采用瞬态双界面法测试获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的降温时间数据；根据所述降温时间数据，计算获得碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的结壳热阻。2.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通电测试，获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的偏置电压包括：在所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极加载固定负压V
gs
，漏级加载负脉冲电压V
ds
；绘制不同V
gs
条件下的所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管源极和漏极的I
ds
‑
V
ds
特性曲线；选取所述I
ds
‑
V
ds
特性曲线中多条曲线重合时，将V
gs
的绝对值为最小值时的V
gs
作为所述偏置电压。3.如权利要求2所述的测试方法，其特征在于，所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管安装于测试夹具，且所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的源极和漏极采用开尔文连接。4.如权利要求2所述的测试方法，其特征在于，所述负脉冲电压V
ds
的脉冲占空比小于等于0.5％。5.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，获得所述电压V
sd
与温度的函数关系包括：在所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管源极和漏极之间加载所述偏置电压；在所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管漏极和源极之间加载恒定测试电流I
M
，记录所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管漏极和源极之间的电压V
sd
；将所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管放置于温度装置，并设定所述温度装置的温度参数；记录不同温度点下的V
sd
数据，并进行线性拟合，获取所述电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：付志伟，侯波，陈思，周斌，王之哲，杨晓锋，黄云，施宜军，梁振堂，徐及乐，
申请(专利权)人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所工业和信息化部电子第五研究所中国赛宝实验室，
类型：发明
国别省市：