激光掺杂选择性发射极太阳能电池的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种激光掺杂选择性发射极太阳能电池的制作方法，所涉及的制作方法在激光重掺杂步骤之后增加了第二次扩散步骤，如此在太阳能电池的轻掺杂区，第一次扩散步骤中所形成的PSG可以阻止第二次扩散步骤中的磷再次往硅片内部扩散；而在太阳能电池的重掺杂区，由于激光重掺杂步骤会破坏第一次扩散步骤中所形成的PSG，第二次扩散步骤中的磷可以继续往硅片内部扩散，如此相对现有技术能够在重掺杂区形成掺杂浓度更高的重掺杂，以使重掺杂区具有更好的欧姆接触，提升太阳能电池的填充因子；同时第二次扩散步骤还可以修复激光重掺杂时对硅片表面的损伤，进而提高太阳能电池的开路电压。路电压。路电压。

【技术实现步骤摘要】
激光掺杂选择性发射极太阳能电池的制作方法


[0001]本专利技术涉及太阳能光伏
，尤其涉及一种激光掺杂选择性发射极太阳能电池的制作方法。

技术介绍

[0002]重掺杂技术(SE技术)工序利用了激光掺杂具有选择性熔融和扩散的特点，在硅基太阳能电池中制备选择性发射极结构。通过重掺杂技术(SE技术)所制得的SE电池结构中，在光吸收区实行轻掺杂，这样减少表面少子俄歇复合，短波光谱响应好；在金属接触区实行重掺杂，以使金属电极和电池发射区之间形成良好的欧姆接触，其短路电流、开路电压、填充因子和转化效率都较高。
[0003]现有技术中SE电池的一种具体实现方式为：在硅片进行磷扩散后，通过激光对特定区域进行重掺杂。然现有技术所涉及的SE电池制作工艺存在以下问题：硅片受光区域为轻掺杂区，所以扩散步骤中必须采用高方阻工艺(即掺杂量不能过大)，但采用高方阻工艺时形成于硅片表面的PSG较少，如此在激光重掺杂步骤中，不能形成质量较好的重掺杂，从而导致欧姆接触不好，填充因子下降；同时激光重掺杂时的烧蚀会损伤硅片表面，进而使得电池表面复合严重，导致电池开路电压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种激光掺杂选择性发射极太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：制绒步骤：在硅片表面形成绒面；第一次扩散步骤：对制绒后的硅片正面进行第一次磷扩散处理；激光重掺杂步骤：通过激光对第一次磷扩散后的硅片正面进行选择性重掺杂；第二次扩散步骤：对重掺杂后的硅片正面进行第二次磷扩散处理酸刻蚀步骤：采用混合酸液去除硅片背面的磷硅玻璃与背结；去正面PSG步骤：去除硅片正面的磷硅玻璃。2.根据权利要求1所述的激光掺杂选择性发射极太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第一次扩散步骤依次包括第一预扩散步骤及第一推进扩散步骤，第二次扩散步骤依次包括第二预扩散步骤及第二推进扩散步骤；其中，所述第二次扩散步骤中的第二预扩散温度与第二推进扩散温度分别小于所述第一次扩散步骤中的第一预扩散温度与第一推进扩散温度。3.根据权利要求2所述的激光掺杂选择性发射极太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第一预扩散温度为780
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810℃，所述第一推进扩散温度为820
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850℃；所述第二预扩散温度为730
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780℃，所述第二推进扩散温度为760
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810℃。4.根据权利要求2或3所述的激光掺杂选择性发射极太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第一预扩散步骤中，向扩散炉内通入POCl3与O2进行恒定源扩散，POCl3的流量为300
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1000sccm，O2的流量为300
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1000sccm，时间为5
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10min；所述第一推进扩散步骤中，向扩散炉内通入N2，时间为5
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10min。5.根据权利要求4所述的激光掺杂选择性发射极太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第二预扩散步骤中，向扩散炉内通入POCl3与O2进行恒定源扩散，POCl3的流量为300
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1000sccm，O2的流量为300
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1000sccm，时间为5
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15min；所述第二推进扩散步骤中，向扩散炉内通入N2，时间为5
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【专利技术属性】
技术研发人员：王俊，吴坚，
申请(专利权)人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司，
类型：发明
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