液晶擦写板及其控制方法、制备方法技术

本申请实施例提供了液晶擦写板及其控制方法、制备方法。该液晶擦写板包括层叠的透明基板、双稳态液晶层和阵列基板，还包括光调制膜，光调制膜的光透过率与光照度正相关，在待擦除区域的光调制膜接收到源自擦除光源的第一光照度的光时，呈现第一光透过率，输出小于第一光照度的第二光照度的光至薄膜晶体管，使得待擦除区域的双稳态液晶形成擦除状态，以及在非擦除区域的光调制膜接收到源自环境光的第三光照度的光时，呈现第二光透过率，输出第四光照度的光至薄膜晶体管，使得非擦除区域的双稳态液晶保持原有状态。本申请实施例实现了保护薄膜晶体管，或者保护书写痕迹、防止误擦除。除。除。

【技术实现步骤摘要】
液晶擦写板及其控制方法、制备方法


[0001]本申请涉及电子书写
，具体而言，本申请涉及一种液晶擦写板及其控制方法、制备方法。

技术介绍

[0002]随着电子书写
的发展，现在的电子书写板，如液晶擦写板能够实现书写和擦除，包括用户在屏幕上按压时，液晶擦写板的按压区域的液晶翻转呈现书写状态，屏幕上出现书写痕迹；在擦除光源进行照射时，对照射区域的书写痕迹进行擦除，具体是薄膜晶体管接收到擦除光源后产生的漏电流使得书写状态的液晶形成到擦除状态。
[0003]然而，在环境光光照度较低时，擦除所需的光照度较小，液晶擦写板在擦除时提供的光照度过高时，容易造成薄膜晶体管不可逆的损坏，影响薄膜晶体管的使用寿命；以及环境光的光照度过高时，薄膜晶体管在较高光照度的环境光作用下容易输出较大的漏电流，容易造成书写痕迹变淡或者造成误擦除。
[0004]所以现有技术中，在环境光的光照度较低时，直接以擦除光远高于擦除所需的光照度照射到薄膜晶体管，容易导致薄膜晶体管产生额外损耗；在环境光的光照度较高时，容易影响书写痕迹或造成误擦除。

技术实现思路

[0005]本申请针对现有方式的缺点，提出一种液晶擦写板及其控制方法、制备方法，用以解决现有技术存在的环境光光照度较低时容易损伤薄膜晶体管或环境光光照度较高时容易影响书写痕迹或造成误擦除的技术问题。
[0006]第一个方面，本申请实施例提供了一种液晶擦写板，包括层叠的透明基板、双稳态液晶层和阵列基板；还包括光调制膜；
[0007]所述透明基板包括透明导电层；所述阵列基板包括层叠的基底层和薄膜晶体管；
[0008]所述光调制膜设置于所述薄膜晶体管远离所述基底层的一侧，所述光调制膜在所述阵列基板上的正投影至少覆盖所述薄膜晶体管的沟道区，所述光调制膜的光透过率与光照度正相关；
[0009]所述光调制膜用于在所述待擦除区域接收到源自擦除光源的第一光照度的光时，呈现第一光透过率，输出第二光照度的光至所述薄膜晶体管，所述第二光照度小于所述第一光照度，所述第二光照度的光使得所述薄膜晶体管驱动所述双稳态液晶层中待擦除区域的双稳态液晶形成擦除状态；
[0010]所述光调制膜还用于在所述非擦除区域接收到源自环境光的第三光照度的光时，呈现第二光透过率，输出第四光照度的光至所述薄膜晶体管，使得所述双稳态液晶层中非擦除区域的双稳态液晶保持原有状态。
[0011]可选地，所述透明基板包括层叠的透明基底和透明导电层，所述透明导电层靠近所述双稳态液晶层；
[0012]所述光调制膜设置于所述透明基底远离所述透明导电层的一侧；
[0013]或，所述光调制膜设置于所述透明导电层远离所述透明基底的一侧；
[0014]或，所述光调制膜设置于所述透明基底层与所述透明导电层的之间。
[0015]可选地，所述光调制膜设置于所述薄膜晶体管远离所述基底层的一侧。
[0016]可选地，所述薄膜晶体管包括：栅极结构，设置于所述基底层的一侧；
[0017]第一绝缘层设置于所述栅极结构和所述基底层的一侧；有源结构设置于所述栅极结构远离所述基底层的一侧，包括所述沟道区和源漏区；源漏极结构设置于所述源漏区远离所述第一绝缘层的一侧，露出所述沟道区；第二绝缘层设置于所述沟道区、源漏极结构和所述第一绝缘层的一侧；像素电极层设置于所述源漏极结构中的源极结构或漏极结构远离所述第一绝缘层的一侧；
[0018]以及，所述光调制膜设置于所述像素电极层和所述第二绝缘层之间，或所述源漏极结构和所述有源结构之间。
[0019]可选地，还包括：所述第二绝缘层为所述光调制膜。
[0020]可选地，所述光调制膜的光透过率与光照度之间呈指数相关，包括；
[0021]所述第一光照度大于所述第三光照度，所述第一光透过率大于所述第二光透过率并呈指数上升，所述第二光照度大于所述第四光照度并呈指数上升。
[0022]可选地，所述光调制膜的材料包括聚四氟乙烯或环烯烃共聚物。
[0023]可选地，所述光调制膜在所述透明基板上整层设置；
[0024]或，所述光调制膜在所述阵列基板上整层设置。
[0025]可选地，所述阵列基板包括阵列排布的像素单元，所述像素单元包括所述薄膜晶体管；
[0026]所述光调制膜包括多个阵列排布的光调制单元，所述光调制单元仅覆盖所述薄膜晶体管对应区域。
[0027]可选地，所述光调制膜包括多个阵列排布的光调制单元，所述光调制单元在所述有源结构上的正投影覆盖所述沟道区。
[0028]第二个方面，本申请实施例提供了一种液晶擦写板的控制方法，应用于本申请第一方面提供的液晶擦写板，包括：
[0029]以第一光照度的光照射液晶擦写板的待擦除区域；
[0030]使得所述待擦除区域的光调制膜接收到所述第一光照度的光时呈现第一光透过率，输出第二光照度的光至所述待擦除区域的薄膜晶体管，所述第二光照度小于所述第一光照度，所述非擦除区域的光调制膜接收到源自周围环境的第三照度的光时呈现第二光透过率，输出第四光照度的光至所述非擦除区域的薄膜晶体管；
[0031]使得所述待擦除区域的薄膜晶体管驱动所述待擦除区域的双稳态液晶形成擦除状态，保持所述非擦除区域的双稳态液晶保持原有状态。
[0032]第三个方面，本申请实施例提供了一种液晶擦写板的制备方法，应用于本申请第一方面提供的液晶擦写板，包括：
[0033]提供阵列基板，所述阵列基板包括层叠的基底层和薄膜晶体管；
[0034]制备透明基板并在所述透明基板处制备光调制膜层，所述透明基板包括层叠的透明基底和透明导电层，使得所述光调制膜设置于所述透明基底远离所述透明导电层的一
侧、所述透明导电层远离所述透明基底的一侧或者所述透明基底与所述透明导电层之间；
[0035]在所述阵列基板靠近所述薄膜晶体管的一侧，制备双稳态液晶层，并与所述设置有光调制膜的所述透明基板对盒。
[0036]第四个方面，本申请实施例提供了一种液晶擦写板的制备方法，应用于本申请第一方面提供的液晶擦写板，包括：
[0037]提供阵列基板，所述阵列基板包括层叠的基底层和薄膜晶体管；
[0038]在所述薄膜晶体管远离所述基底层的一侧，制备光调制膜；
[0039]提供透明基板；
[0040]在设置有所述光调制膜的所述阵列基板靠近所述薄膜晶体管的一侧，制备双稳态液晶层，并与所述透明基板对盒。
[0041]本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：
[0042]本申请实施例提供的液晶擦写板，包括光调制膜，薄膜晶体管接收透过光调制膜后的光，能够在较低光照度环境光下，使得薄膜晶体管直接接收的光照度较低，保护薄膜晶体管。
[0043]而且，在较高光照度的环境光下，环境光透过光调制膜后输出到薄膜晶体管的光照度较低，保护书写痕迹。具体地：
[0044]本申请实施例提供的液晶擦写板，包括层叠的透明本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种液晶擦写板，其特征在于，包括层叠的透明基板、双稳态液晶层和阵列基板；还包括光调制膜；所述透明基板包括透明导电层；所述阵列基板包括层叠的基底层和薄膜晶体管；所述光调制膜设置于所述薄膜晶体管远离所述基底层的一侧，所述光调制膜在所述阵列基板上的正投影至少覆盖所述薄膜晶体管的沟道区，所述光调制膜的光透过率与光照度正相关；所述光调制膜用于在所述待擦除区域接收到源自擦除光源的第一光照度的光时，呈现第一光透过率，输出第二光照度的光至所述薄膜晶体管，所述第二光照度的光使得所述薄膜晶体管驱动所述双稳态液晶层中待擦除区域的双稳态液晶形成擦除状态；所述光调制膜还用于在所述非擦除区域接收到源自环境光的第三光照度的光时，呈现第二光透过率，输出第四光照度的光至所述薄膜晶体管，使得所述双稳态液晶层中非擦除区域的双稳态液晶保持原有状态。2.如权利要求1所述的液晶擦写板，其特征在于，所述透明基板包括层叠的透明基底和透明导电层，所述透明导电层靠近所述双稳态液晶层；所述光调制膜设置于所述透明基底远离所述透明导电层的一侧；或，所述光调制膜设置于所述透明导电层远离所述透明基底的一侧；或，所述光调制膜设置于所述透明基底层与所述透明导电层的之间。3.如权利要求1所述的液晶擦写板，其特征在于，所述光调制膜设置于所述薄膜晶体管远离所述基底层的一侧。4.如权利要求1所述的液晶擦写板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：栅极结构，设置于所述基底层的一侧；第一绝缘层设置于所述栅极结构和所述基底层的一侧；有源结构设置于所述栅极结构远离所述基底层的一侧，包括所述沟道区和源漏区；源漏极结构设置于所述源漏区远离所述第一绝缘层的一侧，露出所述沟道区；第二绝缘层设置于所述沟道区、源漏极结构和所述第一绝缘层的一侧；像素电极层设置于所述源漏极结构中的源极结构或漏极结构远离所述第一绝缘层的一侧；以及，所述光调制膜设置于所述像素电极层和所述第二绝缘层之间，或所述源漏极结构和所述有源结构之间。5.如权利要求4所述的液晶擦写板，其特征在于，还包括：所述第二绝缘层为所述光调制膜。6.如权利要求1
‑
5任一所述的液晶擦写板，其特征在于，所述光调制膜的光透过率与光照度之间呈指数相关，包括：所述第一光照度大于所述第三光照度，所述第一光透过率大于所述第二光透过率并呈指数上升，所述第二光照度大于所述第四光照度并呈指数上升。7...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛静，王智勇，韩天洋，武晓娟，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司山东蓝贝思特教装集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：