多晶硅控制栅刻蚀方法技术

本发明专利技术公开了一种多晶硅控制栅刻蚀方法，包括：步骤一、在底层结构上形成第一多晶硅层和硬质掩膜层并对硬质掩膜层进行图形化刻蚀；步骤二、进行多晶硅开口刻蚀以对开口区域的第一多晶硅层进行部分厚度刻蚀以形成第一开口；多晶硅开口刻蚀中会形成聚合物，通过增加多晶硅开口刻蚀中形成的聚合物使多晶硅开口刻蚀完成后在第一开口的侧面形成由聚合物累积形成的第一侧墙；步骤三、进行多晶硅主体刻蚀以对第一开口底部的第一多晶硅层进行刻蚀以形成多晶硅控制栅的侧面，多晶硅控制栅的侧面围成第二开口，多晶硅主体刻蚀会自适应第一侧墙的形貌进行刻蚀。本发明专利技术使多晶硅控制栅具有垂直侧面并从而减少或消除多晶硅控制栅的侧面顶部尖角。顶部尖角。顶部尖角。

【技术实现步骤摘要】
多晶硅控制栅刻蚀方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种多晶硅控制栅(CGPL)刻蚀(ET)方法。

技术介绍

[0002]在闪存(Flash)制程的CGPL ET中，CGPL的形貌对于产品的相关性能起到了重要作用，CGPL顶端的尖角的控制至关重要。而在如厚度小于的薄栅的CGPL ET中，因无光刻胶(NON
‑
PR)制程，以及腔体清洗模式(Clean Mode)情况下，薄栅的侧壁不易形成侧墙保护(Polymer protection)而形成内凹缺陷的形貌。
[0003]如图1所示，是现有多晶硅控制栅刻蚀方法形成的器件结构示意图；现有多晶硅控制栅刻蚀方法包括：
[0004]步骤一、提供底层结构101，在所述底层结构101上形成第一多晶硅层102，在所述第一多晶硅层102的表面上形成硬质掩膜层103。
[0005]对所述硬质掩膜层103进行图形化刻蚀将多晶硅开口区域打开。
[0006]通常，所述底层结构101包括：
[0007]半导体衬底；
[0008本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅控制栅刻蚀方法，其特征在于，包括：步骤一、提供底层结构，在所述底层结构上形成第一多晶硅层，在所述第一多晶硅层的表面上形成硬质掩膜层，对所述硬质掩膜层进行图形化刻蚀将多晶硅开口区域打开；步骤二、以所述硬质掩膜层为进行多晶硅开口刻蚀，所述多晶硅开口刻蚀将所述多晶硅开口区域的所述第一多晶硅层的顶部的部分厚度去除并形成第一开口，所述多晶硅开口刻蚀中会形成聚合物，通过增加所述多晶硅开口刻蚀中形成的所述聚合物使所述多晶硅开口刻蚀完成后在所述第一开口的侧面形成由所述聚合物累积形成的第一侧墙；步骤三、进行多晶硅主体刻蚀，所述多晶硅主体刻蚀对所述第一开口底部的所述第一多晶硅层进行刻蚀以形成多晶硅控制栅的侧面，所述多晶硅控制栅的侧面围成第二开口，所述多晶硅主体刻蚀会自适应所述第一侧墙的形貌进行刻蚀，从而会改变所述多晶硅主体刻蚀的初始刻蚀方向并和所述多晶硅主体刻蚀工艺对所述多晶硅栅的侧面内凹影响相抵消，使所述多晶硅控制栅具有垂直侧面并从而减少或消除所述多晶硅控制栅的侧面顶部尖角。2.如权利要求1所述的多晶硅控制栅刻蚀方法，其特征在于，还包括：步骤四、进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：张振兴，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：