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本发明公开了一种多晶硅控制栅刻蚀方法，包括：步骤一、在底层结构上形成第一多晶硅层和硬质掩膜层并对硬质掩膜层进行图形化刻蚀；步骤二、进行多晶硅开口刻蚀以对开口区域的第一多晶硅层进行部分厚度刻蚀以形成第一开口；多晶硅开口刻蚀中会形成聚合物，通过...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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