一维有机无机杂化钙钛矿及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一维有机无机杂化钙钛矿及其制备方法，所述方法包括：在第一温度下，将前驱物CH3NH3X、PbX2与溶剂混合，使所述前驱物充分溶解，得到有机无机杂化钙钛矿的前驱体溶液；在第二温度下，所述有机无机杂化钙钛矿的前驱体溶液析出一维有机无机杂化钙钛矿CH3NH3PbX3；其中，第二温度低于第一温度。由此，通过无衬底的方式，可以成功的制备得到一维超长有机无机杂化钙钛矿，所制备的一维钙钛矿的长度可以大于5毫米，还可以达到厘米量级、甚至达到分米量级，产品的晶体质量较高，能够转移到任意衬底上，有利于钙钛矿基光电子器件向着高性能、可集成化方向发展。可集成化方向发展。可集成化方向发展。

【技术实现步骤摘要】
一维有机无机杂化钙钛矿及其制备方法


[0001]本专利技术属于光电材料
，具体涉及一维有机无机杂化钙钛矿及其制备方法。

技术介绍

[0002]钙钛矿材料在太阳能电池、光电探测等领域中已经展现出重要的应用。一维钙钛矿结构有着更高的晶体质量及更少的晶界吸引了更加广泛的关注。当前一维钙钛矿的合成主要是通过在衬底上旋涂钙钛矿溶液或者滴涂钙钛矿溶液，之后通过反溶剂或者溶剂蒸发法来实现一维钙钛矿的制备。基于衬底所制备的一维钙钛矿不仅难以转移到其它衬底而且晶体质量受到限制，阻碍了钙钛矿基光电子器件的进一步应用。另外，由于衬底会引入大量的成核位点，导致所制备的一维钙钛矿缺乏足够的生长动力、很难实现超长一维钙钛矿的生长。另外，传统基于衬底的生长方法不易控制一维钙钛矿的结晶过程，也会严重影响钙钛矿的生长质量。
[0003]因此，提供一种可以制备出高质量超长的一维有机无机杂化钙钛矿的方法，具有重要的意义。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少在一定程度上改善上述技术问题的至少之一。
[0005]为改善上述技术问题，本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制备一维有机无机杂化钙钛矿的方法，其特征在于，所述方法包括：在第一温度下，将前驱物CH3NH3X、PbX2与溶剂混合，使所述前驱物充分溶解，得到有机无机杂化钙钛矿的前驱体溶液；在第二温度下，所述有机无机杂化钙钛矿的前驱体溶液析出一维有机无机杂化钙钛矿CH3NH3PbX3；其中，所述第二温度低于所述第一温度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，X选自Br或者I的至少一种。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述溶剂为有机溶剂；任选地，所述有机溶剂选自γ
‑
GBL、DMF、DMSO的至少一种。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述CH3NH3X与所述PbX2的摩尔量之比为(0.8
‑
1.2)：1。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述CH3NH3...

【专利技术属性】
技术研发人员：任天令，耿祥顺，囤冠华，谢丹，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：