蚀刻液组合物和显示面板及其制备方法技术

本申请提供一种蚀刻液组合物和显示面板及其制备方法，蚀刻液组合物包括过氧化氢、螯合剂、辅助螯合剂、腐蚀抑制剂、蚀刻剂、pH调节剂以及水，辅助螯合剂为羧基酸。在本申请中，通过将羧基酸加入蚀刻液组合物中，形成不含氟的蚀刻液组合物，避免蚀刻液组合物对膜层造成损伤，同时，提高蚀刻液组合物的稳定性。提高蚀刻液组合物的稳定性。提高蚀刻液组合物的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻液组合物和显示面板及其制备方法


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种蚀刻液组合物和显示面板及其制备方法。

技术介绍

[0002]随显示面板通常包括基板和设置于基板上的铜钼叠金属层，蚀刻铜钼叠金属层的蚀刻液通常为含有氟的蚀刻液，如含氟的双氧水系蚀刻液，而采用含氟的双氧水系蚀刻液蚀刻铜钼叠金属层的同时，会对基板等其他膜层造成损伤，从而影响器件的性能。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种蚀刻液组合物和显示面板，以解决含氟蚀刻液对铜钼叠金属层以外的膜层造成损伤的问题。
[0004]本申请提供一种蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物包括过氧化氢、螯合剂、辅助螯合剂、腐蚀抑制剂、蚀刻剂、pH调节剂以及水，所述辅助螯合剂为羧基酸。
[0005]可选的，在本申请的一些实施例中，以所述蚀刻液组合物的总重量为100％计，所述过氧化氢的重量为15
‑
25％，所述螯合剂的重量为0.5
‑
3％，所述辅助螯合剂的重量为0.1
‑
3％，所述腐蚀抑制剂为0.01
‑
2％，所述蚀刻剂的重量为0.01
‑
5％，所述pH调节剂的重量为0.05
‑
2％，余量为所述水。
[0006]可选的，在本申请的一些实施例中，以所述蚀刻液组合物的总重量为100％计，所述过氧化氢的重量为19
‑
23％，所述螯合剂的重量为1
‑
2％，所述辅助螯合剂的重量为0.5
‑
2％，所述腐蚀抑制剂为0.05
‑
1％，所述蚀刻剂的重量为0.1
‑
0.5％，所述pH调节剂的重量为0.1
‑
2％，余量为所述水。
[0007]可选的，在本申请的一些实施例中，所述辅助螯合剂为至少含有一个羧基且不含氮原子的有机酸。
[0008]可选的，在本申请的一些实施例中，所述至少含有一个羧基且不含氮原子的有机酸包括柠檬酸、乙醇酸、蓚酸、丙二酸、戊酸、丙酸、果酸、葡萄糖酸和丁二酸中的一种或几种组合。
[0009]可选的，在本申请的一些实施例中，所述螯合剂为配位化合物，所述腐蚀抑制剂为唑类化合物，所述蚀刻剂为磷酸类化合物和磷酸盐类化合物中的一种或两种组合，所述pH调节剂为含有氢氧根离子的化合物。
[0010]可选的，在本申请的一些实施例中，所述螯合剂包括亚氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙基内硝基乙酸、氨基三亚(甲基磷酸)、(1
‑
羟基乙烷
‑
1，1
‑
二烯化合物)双(磷酸)、乙基二胺四(甲基磷酸)、二亚乙基三胺五(甲基磷酸)、丙氨酸、谷氨酸、氨基丁酸和甘氨酸中的一种或几种组合，所述腐蚀抑制剂包括3
‑
氨基
‑
1，2，3
‑
三唑、3
‑
氨基
‑
1，2，4
‑
三唑、4
‑
氨基
‑
1，2，3
‑
三唑、4
‑
氨基
‑
1，2，4
‑
三唑、5
‑
甲基四唑、5
‑
氨基四唑、咪唑和吡唑中的一种或几种组合，所述蚀刻剂包括磷酸、亚磷酸、次磷酸和焦磷酸中的一种或几种组合，所述
pH调节剂包括氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化铵中的一种或几种组合。
[0011]本申请还提供一种显示面板的制备方法，包括：
[0012]提供一基板；
[0013]在所述基板上形成铜钼叠层；
[0014]采用如上所述的蚀刻液组合物蚀刻所述铜钼叠层，形成间隔设置的铜钼叠部。
[0015]本申请还提供一种显示面板，所述显示面板包括基板和间隔设置于所述基板上的铜钼叠部。
[0016]可选的，在本申请的一些实施例中，所述铜钼叠部的侧壁与所述基板的锐角为50
‑
80度。
[0017]本申请提供一种蚀刻液组合物和显示面板及其制备方法，蚀刻液组合物包括过氧化氢、螯合剂、辅助螯合剂、腐蚀抑制剂、蚀刻剂、pH调节剂以及水，辅助螯合剂为羧基酸。在本申请中，通过将羧基酸加入蚀刻液组合物中，形成不含氟的蚀刻液组合物，避免蚀刻液组合物对膜层造成损伤，同时，对铜钼叠层具有良好的蚀刻性能，且提高蚀刻液组合物的稳定性。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1是本申请实施例提供的显示面板制备方法的流程示意图。
[0020]图2是本申请实施例提供的显示面板的正面扫描电子显示微镜示意图。
[0021]图3是本申请实施例提供的显示面板的侧面扫描电子显示微镜示意图。
具体实施方式
[0022]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。在本申请中，“反应”可以为化学反应或物理反应。
[0023]本申请提供一种蚀刻液组合物和显示面板及其制备方法，蚀刻液组合物包括过氧化氢、螯合剂、辅助螯合剂、腐蚀抑制剂、蚀刻剂、pH调节剂以及水，辅助螯合剂为羧基酸。
[0024]在本申请中，通过将羧基酸加入蚀刻液组合物中，形成不含氟的蚀刻液组合物，从而避免蚀刻液组合物对膜层造成损伤，同时，对铜钼叠层具有良好的蚀刻性能，且提高蚀刻液组合物的稳定性。
[0025]以下进行详细说明：
[0026]本申请提供一种蚀刻液组合物，蚀刻液组合物包括过氧化氢、螯合剂、辅助螯合剂、腐蚀抑制剂、蚀刻剂、pH调节剂以及水。
[0027]在一实施例中，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，过氧化氢的重量为15
‑
25％。具体的，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，过氧化氢的重量可以为15％、17％、20％、23％或25％等。在本申请中，将过氧化氢的重量设置为15
‑
25％，使得蚀刻液组合物在蚀刻铜钼叠层时，可以提高蚀刻效率，从而提高蚀刻液组合物的性能。
[0028]在一实施例中，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，过氧化氢的重量为19
‑
23％。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻液组合物，其特征在于，所述蚀刻液组合物包括过氧化氢、螯合剂、辅助螯合剂、腐蚀抑制剂、蚀刻剂、pH调节剂以及水，所述辅助螯合剂为羧基酸。2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，以所述蚀刻液组合物的总重量为100％计，所述过氧化氢的重量为15
‑
25％，所述螯合剂的重量为0.5
‑
3％，所述辅助螯合剂的重量为0.1
‑
3％，所述腐蚀抑制剂为0.01
‑
2％，所述蚀刻剂的重量为0.01
‑
5％，所述pH调节剂的重量为0.05
‑
2％，余量为所述水。3.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，以所述蚀刻液组合物的总重量为100％计，所述过氧化氢的重量为19
‑
23％，所述螯合剂的重量为1
‑
2％，所述辅助螯合剂的重量为0.5
‑
2％，所述腐蚀抑制剂为0.05
‑
1％，所述蚀刻剂的重量为0.1
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0.5％，所述pH调节剂的重量为0.1
‑
2％，余量为所述水。4.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述辅助螯合剂为至少含有一个羧基且不含氮原子的有机酸。5.根据权利要求4所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述至少含有一个羧基且不含氮原子的有机酸包括柠檬酸、乙醇酸、蓚酸、丙二酸、戊酸、丙酸、果酸、葡萄糖酸和丁二酸中的一种或几种组合。6.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述螯合剂为配位化合物，所述腐蚀抑制剂为唑类化合物，所述蚀刻剂为磷酸类化合物和磷酸盐类化合物中的一种或两种组合，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李恩庆，康明伦，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：