一种温度补偿BOD电路制造技术

本发明专利技术公开了一种温度补偿BOD电路，属于单片机设计领域。该温度补偿BOD电路由第一镜像支路、第二镜像支路、第三镜像支路、启动电路和电压比较器组成，通过选取第三镜像支路中正温度系数电阻和负温度系数电阻合适的系数数值，来生成需要的VRES，进而更精准地跟踪VPG的温度系数，使得VOUT的温度系数得到改善，从而更精准的监控电源电压变化。更精准的监控电源电压变化。更精准的监控电源电压变化。

【技术实现步骤摘要】
一种温度补偿BOD电路


[0001]本专利技术涉及单片机设计领域，特别涉及一种温度补偿BOD电路。

技术介绍

[0002]在单片机系统中，供电电压过低时，会导致执行程序出现混乱的问题，该问题的出现并非是由于单片机造成的，由此需要一种电源检测机制来保证电源电压过低时可以感知并采取适当保护措施。
[0003]对于单片机系统而言，相关技术中采用根据不同供电电压设置对应掉电检测(Brown Out Detector，BOD)电平的方法。如单片机5V系统，设置BOD电平为4.0V；又如单片机3V系统，设置BOD电平为2.7V。通过设置BOD电平，当单片机的供电电压低于BOD电平时，单片机停止程序执行，而当供电电压又恢复到BOD电平以上，单片机开始执行程序，以保证系统的可靠性。
[0004]然而，上述设置内建基准电压的方式无法适应材料的不同温度特性，导致电源电压变化监控的精度不稳定。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供了一种温度补偿BOD电路，能够解决相关技术中电源电压变化监控精度不稳定的问题。所述技术方案如下：...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种温度补偿BOD电路，其特征在于，所述温度补偿BOD电路，包括：第一镜像支路、第二镜像支路、第三镜像支路、启动电路和电压比较器；所述第一镜像支路和所述第二镜像支路分别包括一个第一镜像PMOS管和一个镜像NMOS管，所述第二镜像支路还包括一个第一电阻；所述第三镜像支路包括一个第二镜像PMOS管、一个正温度系数电阻和一个负温度系数电阻，所述第一镜像PMOS管与所述第二镜像PMOS管具有不同的镜像比例；所述第一镜像支路中，所述第一镜像PMOS管与所述镜像NMOS管的漏端同与所述启动电路相连。2.根据权利要求1所述的温度补偿BOD电路，其特征在于，所述第一镜像支路中，所述第一镜像PMOS管的源端连接所述电源电压，所述第一镜像PMOS管的漏端连接所述镜像NMOS管的漏端，所述镜像NMOS管的源端接地。3.根据权利要求2所述的温度补偿BOD电路，其特征在于，所述第二镜像支路中，所述第一镜像PMOS管的源端连接所述电源电压，所述第一镜像PMOS管的漏端连接所述镜像NMOS管的漏端，所述镜像NMOS管的衬底接地，所述镜像NMOS管的源端与所述第一电阻相连，所述第一电阻的另一端接地。4.根据权利要求3所述的温度补偿BOD电路，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁志勇，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：