一种带隙基准电压源电路及带隙基准电压源制造技术

本发明专利技术公开一种带隙基准电压源电路及带隙基准电压源，包括：启动电路用于启动基准电压源；偏置电流源电路通过在亚阈值区的场效应晶体管的栅源电压差控制在线性区的场效应晶体管的电阻，并根据工作在线性区的场效应晶体管的漏源电压和电阻得到偏置电流；低阈值源跟随电路通过控制运算放大器的输出阻抗控制环路增益；带隙基准核心电路根据双极型晶体管在负温度系数的基极

【技术实现步骤摘要】
一种带隙基准电压源电路及带隙基准电压源


[0001]本专利技术涉及开关电源电路设计
，特别是涉及一种带隙基准电压源电路及带隙基准电压源。

技术介绍

[0002]本部分的陈述仅仅是提供了与本专利技术相关的
技术介绍
信息，不必然构成在先技术。
[0003]随着当前电子电路技术和物联网系统的发展，基准电压源电路应用也越来越广泛。基准电压源电路是物联网系统中集成电路的重要电路之一，为整个系统提供稳定的电流或电压。然而，传统的带隙基准电压源仅对温度特性曲线进行一阶补偿，难以满足现代高精度系统的要求。
[0004]为了得到高精度和低温漂的基准电压源，需要进行高阶补偿；而且，传统的基准电压源电路结构中都使用了无源电阻元件和双极结型晶体管BJT，这样的方法极大的增加了集成电路面积，同时过大的面积造成更多的功率损耗和材料的浪费，降低电路性能。

技术实现思路

[0005]为了解决上述问题，本专利技术提出了一种带隙基准电压源电路及带隙基准电压源，利用PN结的反向饱和电流随温度敏感变化的特性，通过曲率补偿降低电路输出电压的温度系数，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带隙基准电压源电路，其特征在于，包括：依次连接的启动电路、偏置电流源电路、低阈值源跟随电路、带隙基准核心电路、曲率补偿电路和基准电压输出电路；所述启动电路，用于上电后启动基准电压源；所述偏置电流源电路，用于通过工作在亚阈值区的场效应晶体管的栅源电压差控制工作在线性区的场效应晶体管的电阻，并根据工作在线性区的场效应晶体管的漏源电压和电阻得到偏置电流；所述低阈值源跟随电路，用于接收偏置电流，以通过控制带隙基准核心电路中运算放大器的输出阻抗控制环路增益；所述带隙基准核心电路，用于接收偏置电流，并根据双极型晶体管在负温度系数的基极
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发射极电压和正温度系数的基极
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发射极电压，得到基准电压；所述曲率补偿电路，用于产生与温度系数呈反比的补偿电流，根据补偿电流对基准电压进行曲率补偿；所述基准电压输出电路，用于输出补偿后的基准电压。2.如权利要求1所述的一种带隙基准电压源电路，其特征在于，所述启动电路包括：第一场效应晶体管M1、第十七场效应晶体管M17、第二十二场效应晶体管M22和第二十四场效应晶体管M24；第一场效应晶体管M1的源极连接电源，第一场效应晶体管M1的漏极连接第十七场效应晶体管M17的源极，第十七场效应晶体管M17的漏极连接第二十四场效应晶体管M24的漏极，第二十四场效应晶体管M24的源极接地，第二十四场效应晶体管M24的栅极连接基准输出电压，第十七场效应晶体管M17的漏极连接第十七场效应晶体管M17的栅极，且连接第二十二场效应晶体管M22的栅极。3.如权利要求2所述的一种带隙基准电压源电路，其特征在于，处于零电流状态时，第二十二场效应晶体管M22的栅极处于高电位，第二十二场效应晶体管M22导通，并产生电流以启动电流镜，输出电压使得第二十四场效应晶体管M24导通，第二十二场效应晶体管M22截止，实现基准电压源的启动。4.如权利要求1所述的一种带隙基准电压源电路，其特征在于，所述偏置电流源电路包括：第二场效应晶体管M2、第三场效应晶体管M3、第七场效应晶体管M7、第八场效应晶体管M8、第二十场效应晶体管M20、第二十一场效应晶体管M21、第二十三场效应晶体管M23、第二十五场效应晶体管M25、第二十六场效应晶体管M26和第二十八场效应晶体管M28；第二场效应晶体管M2和第三场效应晶体管M3的源极连接电源，第二场效应晶体管M2的栅极连接第三场效应晶体管M3的栅极、漏极和第八场效应晶体管M8的源极，第二场效应晶体管M2的漏极连接第七场效应晶体管M7的源极，第七场效应晶体管M7的栅极连接第八场效应晶体管M8的栅极、漏极和第二十一场效应晶体管M21的漏极，第七场效应晶体管M7的漏极连接第二十场效应晶体管M20的漏极、栅极和第二十一场效应晶体管M21的栅极，第二十一场效应晶体管M21的源极连接第二十六场效应晶体管M26的漏极，第二十场效应晶体管M20的源极连接第二十三场效应晶体管M23的栅极、漏极和第二十五场效应晶体管M25的栅极，第二十三场效应晶体管M23的源极连接第二十五场效应晶体管M25的漏极和第二十八场效应晶体管M28的栅极，第二十五场效应晶体管M25的源极连接第二十六场效应晶体管M26的栅极和第二十八场效应晶体管M28的漏极，第二十六场效应晶体管M26的源极接地，第二十八场效应晶体管M28的源极接地。
5.如权利要求4所述的一种带隙基准电压源电路，其特征在于，所述偏置电流源电路中采用电流镜，将偏置电流经电流镜镜像至带隙基准核心电路中；或，第二十三场效应晶体管M23工作在饱和区，采用第二十三场效应晶体管M23与第二十五场效应晶体管M25栅极相连到第二十三场效应晶体管M23漏极的方式，保证第二十五场效应晶体管M25工作在线性区，并作为恒定电阻，由第二十五场效应晶体管M25管的漏源电压和电阻产生偏置电流。6.如权利要求1所述的一种带隙基准电压源电路，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：华庆，王奔，
申请(专利权)人：山东师范大学，
类型：发明
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